公开(公告)号：CN107946258A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710947225.1

申请日：2017-10-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·格拉斯曼 ,  W·哈布莱 ,  J·赫格尔 ,  A·凯斯勒 ,  I·尼基廷 ,  A·施特拉斯

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677

摘要： 一种芯片载体(100)，其包括导热电绝缘片(102)、位于所述片(102)的第一主表面上的第一导电结构(104)和位于所述片(102)的第二主表面上的第二导电结构(106)，其中，所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)延伸到所述片(102)的侧向边缘外。

公开(公告)号：CN104217966A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410242777.9

申请日：2014-06-03

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： O·盖特纳 ,  W·哈布莱 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  C·诺伊吉尔格 ,  I·尼基廷

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14

摘要： 本发明提供一种制造包括两个基板的功率模块的方法，其中该方法包括：在第一基板上方设置第一厚度的补偿层；在补偿层上方设置第二基板；并且在将第二基板设置到补偿层上之后，将补偿层的厚度从第一厚度减小到第二厚度。

公开(公告)号：CN113889438A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110747395.1

申请日：2021-07-02

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： I·尼基廷

IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L23/12

摘要： 一种在半导体封装件生产期间进行框架处理的方法包括：提供引线框架，所述引线框架具有通过第一系杆固定到所述引线框架的外围的引线；提供多规格间隔体框架，所述多规格间隔体框架具有通过第二系杆固定到所述间隔体框架的外围的间隔体，所述间隔体比所述第二系杆厚；以及使所述多规格间隔体框架与所述引线框架对准，使得所述多规格间隔体框架的所述间隔体和所述第二系杆不接触所述引线框架的所述引线。还描述了一种功率半导体模块以及一种组装功率半导体模块的方法。

公开(公告)号：CN113097170A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110353843.X

申请日：2017-11-14

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·格拉斯曼 ,  J·赫格尔 ,  A·凯斯勒 ,  I·尼基廷

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

摘要： 一种封装体(100)包括：至少一个电子芯片(102)；第一散热体(104)，所述至少一个电子芯片(102)通过第一互连结构(170)安装在所述第一散热体(104)上；第二散热体(106)，所述第二散热体(106)通过第二互连结构(172)安装在所述至少一个电子芯片(102)上或上方；以及包封材料(108)，所述包封材料(108)包封所述至少一个电子芯片(102)的至少一部分、所述第一散热体(104)的一部分和所述第二散热体(106)的一部分，其中，所述第一互连结构(170)被配置为相比所述第二互连结构(172)具有不同的熔化温度。

公开(公告)号：CN107680945A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710650598.2

申请日：2017-08-02

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·格拉斯曼 ,  W·哈布莱 ,  J·赫格尔 ,  I·尼基廷 ,  A·施特拉斯

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H01L23/473

CPC分类号： H01L23/473 ,  B60R16/02 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H01L2023/4037 ,  H01L2023/4043

摘要： 一种功率模块(100)，包括：半导体芯片(102)；至少一个冷却板(120)，其具有至少一个冷却通道(104)，所述至少一个冷却通道热耦接至半导体芯片(102)且配置成使得冷却剂能够被引导通过所述至少一个冷却通道(104)；和包封材料(108)，其包封半导体芯片(102)的至少一部分和所述至少一个冷却通道(104)的至少一部分，其中，冷却板(120)的主表面的至少一部分形成功率模块(100)的外表面的一部分。

公开(公告)号：CN103871977B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310757220.4

申请日：2013-12-13

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： I·尼基廷 ,  M·施内甘斯

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体器件及其生产方法。一个半导体器件包括半导体芯片，所述半导体芯片包括第一主面和第二主面，其中第二主面是所述半导体芯片的背面。进一步地，所述半导体器件包括导电层，特别地，被布置在所述半导体芯片的第二主面的第一区域上。进一步地，所述半导体器件包括聚合物结构，所述聚合物结构被布置在所述半导体芯片的第二主面的第二区域上，其中第二区域是所述半导体芯片的第二主面的外围区域，且第一区域与第二区域毗邻。

公开(公告)号：CN104392985A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410380144.4

申请日：2014-08-04

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K·霍塞尼 ,  J·马勒 ,  I·尼基廷

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/071 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08168 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/40101 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076

摘要： 本发明提供了一种包括衬底的多芯片器件，该器件包括包括电绝缘芯的衬底、布置在衬底的第一主表面上的第一导电材料，以及布置在衬底的与第一主表面相对的第二主表面上的第二导电材料。该器件进一步包括从第一主表面延伸至第二主表面并且电耦合第一导电材料与第二导电材料的导电连接、布置在第一主表面上并且电耦合至第一导电材料的第一半导体芯片，以及布置在第二主表面上并且电耦合至第二导电材料的第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN102969298A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210400856.9

申请日：2012-08-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·马勒 ,  I·尼基廷

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及加工至少一个管芯的方法和管芯装置。在各种实施例中，一种加工至少一个管芯的方法可包括：在至少一个管芯的至少一个接触垫之上形成至少一个占位元件；形成管芯嵌入层以至少部分地使所述至少一个管芯和所述至少一个占位元件嵌入；移除所述至少一个占位元件以在至少一个管芯嵌入层中形成至少一个开口且暴露出所述至少一个管芯的所述至少一个接触垫；用导电材料填充所述至少一个开口以电接触所述至少一个管芯的所述至少一个接触垫。

公开(公告)号：CN107863328B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201710862319.9

申请日：2017-09-20

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·格拉斯曼 ,  W·哈布莱 ,  J·赫格尔 ,  I·尼基廷 ,  A·施特拉斯

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/473 ,  H01L23/433 ,  H01L21/56

摘要： 公开了一种封装体(100)，其包括至少一个电子芯片(102)、包封所述至少一个电子芯片(102)的至少一部分的包封材料(104)以及位于所述包封材料(104)的外表面的至少一部分上的屏蔽层(106)，所述屏蔽层被配置用于将所述封装体(100)的内部与用于从所述至少一个电子芯片(102)去除热能的冷却流体屏蔽开。

公开(公告)号：CN111312678A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911264867.7

申请日：2019-12-11

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： I·尼基廷 ,  D·阿勒斯 ,  A·格拉斯曼 ,  A·乌勒曼

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L25/16 ,  H01L21/60

摘要： 功率半导体模块包括第一衬底，其中，该第一衬底包括铝；布置在第一衬底上的第一氧化铝层；布置在第一氧化铝层上的导电层；第一半导体芯片，其中，该第一半导体芯片布置在导电层上并且与该导电层电连接；电绝缘材料，该电绝缘材料包围该第一半导体芯片，其中，该第一氧化铝层构造用于将第一半导体芯片与第一衬底电隔离。