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公开(公告)号：CN1316102A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN99809233.9
申请日：1999-06-02
申请人： 薄膜电子有限公司
CPC分类号： H01L21/02686 , G11C5/02 , G11C17/06 , H01L21/02532 , H01L21/02689 , H01L21/2026 , H01L21/768 , H01L21/76888 , H01L21/76894 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1021 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11502 , H01L51/0001 , H01L51/0024 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种数据存储和处理装置,包括衬底上的ROM和/或WORM和/或REWRITABLE存储模块和/或处理模块。存储和/或处理模块作为单个主层或多个主层提供在衬底上面。该装置包括使该装置工作的晶体管和/或二极管形式的有源元件。在一组实施例中,至少某些或多数使该装置工作的晶体管和/或二极管提供在衬底上或内。在另一组实施例中,衬底上面的至少某些和多数层包括低温兼容有机材料和/或低温兼容加工过的无机膜,甚至不需要设置在衬底上或内的晶体管和/或二极管。制造这种数据存储和处理装置的方法中,存储和/或处理模块通过以连续步骤淀积各层提供在衬底上。在避免使已淀积和加工过的底层处于超过给定稳定极限特别是有机材料的极限的静态或动态温度的热条件下,淀积和加工所说各层。
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公开(公告)号：CN1201396C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN00806575.6
申请日：2000-04-14
申请人： 薄膜电子有限公司
CPC分类号： H01L51/424 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , Y02E10/549
摘要： 在制造包含由电极与半导体有机材料相接触组成的电极排列的有机薄膜半导体器件的方法中，电极排列中的阳极被制作成两层结构，其中第一层是沉积在衬底上的导电或半导体材料或二者的组合，第二层是功函数高于第一层中材料的功函数的导电聚合物。在阳极顶上沉积由半导体有机材料组成的第三层，后者构成器件的有源材料，最后在第三层上沉积第四层金属制成的阴极。在优选的实施方案中，第一层中采用低功函数金属；第二层中用诸如PEDOT-PSS之类的掺杂共轭聚合物，而阴极则由与第一层所使用的相同金属构成。该电极排列在制造有机薄膜二极管或晶体管结构中的应用。
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公开(公告)号：CN1440553A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN01812466.6
申请日：2001-07-06
申请人： 薄膜电子有限公司
CPC分类号： G11C11/22 , G09G3/20 , G09G3/3629 , G09G2300/06 , G09G2310/0251 , G09G2320/0209 , G11C7/06 , G11C7/1006 , G11C8/18
摘要： 在一种驱动无源矩阵显示器或存储器存储单元的阵列的方法中，存储单元包括一种可电气地极化的、展示滞后的材料，更具体地说，包括一种铁电体材料，其中，通过把电位或电压施加到矩阵或阵列中的字或位线上，可以把各存储单元的极化状态加以变换，对一个被选择的字或位线上的一个电位加以控制，以接近n个预先定义的电位电平之一，或与这n个预先定义的电位电平之一相一致，并根据一个协议及时地控制所有字和位线上的电位，以至于可把字线相继地锁定在一个从nWORD电位中被选择的电位上，同时或在时序的某一个周期期间，可把位线相继地锁定在从nBIT电位中被选择的电位上，其中所说的时序的某一个周期由协议连接于用于检测在一条位线或多条位线和连接于位线(一条或多条)的存储单元之间流动的电荷的电路上的协议给定。这一时序具有一介“读周期”，在这一周期期间检测流经连接于那里的所选择的一条位线或多条位线之间流动的电荷；以及一个“刷新/写周期”，在这一周期期间，使与被选择的字和位线相连接的存储单元的极化相应一组预定的值。
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公开(公告)号：CN1348606A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN00806575.6
申请日：2000-04-14
申请人： 薄膜电子有限公司
CPC分类号： H01L51/424 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , Y02E10/549
摘要： 在制造包含由电极与半导体有机材料相接触组成的电极排列的有机薄膜半导体器件的方法中,电极排列中的阳极被制作成两层结构,其中第一层是沉积在衬底上的导电或半导体材料或二者的组合,第二层是功函数高于第一层中材料的功函数的导电聚合物。在阳极顶上沉积由半导体有机材料组成的第三层,后者构成器件的有源材料,最后在第三层上沉积第四层金属制成的阴极。在优选的实施方案中,第一层中采用低功函数金属;第二层中用诸如PEDOT－PSS之类的掺杂共轭聚合物,而阴极则由与第一层所使用的相同金属构成。该电极排列在制造有机薄膜二极管或晶体管结构中的应用。
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公开(公告)号：CN1265394C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN01812466.6
申请日：2001-07-06
申请人： 薄膜电子有限公司
CPC分类号： G11C11/22 , G09G3/20 , G09G3/3629 , G09G2300/06 , G09G2310/0251 , G09G2320/0209 , G11C7/06 , G11C7/1006 , G11C8/18
摘要： 一种驱动无源矩阵显示器或存储器存储单元的阵列的方法，存储单元包括一种铁电材料，其中，通过把电位或电压施加到矩阵或阵列中的字或位线上，可以把各存储单元的极化状态加以切换，对一个被选择的字或位线上的一个电位加以控制，以接近n个预先定义的电位电平之一，或与这n个预先定义的电位电平之一相一致，并根据一个协议及时地控制所有字和位线上的电位，以至于可把字线相继地锁定在一个从nWORD电位中被选择的电位上，同时或在时序的某一个周期期间，可把位线相继地锁定在从nBIT电位中被选择的电位上。
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公开(公告)号：CN1191626C
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN99809233.9
申请日：1999-06-02
申请人： 薄膜电子有限公司
CPC分类号： H01L21/02686 , G11C5/02 , G11C17/06 , H01L21/02532 , H01L21/02689 , H01L21/2026 , H01L21/768 , H01L21/76888 , H01L21/76894 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1021 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11502 , H01L51/0001 , H01L51/0024 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种数据存储和处理装置，包括衬底上的ROM和/或WORM和/或REWRITABLE存储模块和数据处理模块。存储和处理模块作为单个主层或多个堆叠主层提供在衬底上面并且每个主层中的存储模块和数据处理模块通过通路、表面或边缘接点与其它主层和设置在衬底上或内的电路通信，并且该装置包括具有使该装置工作的晶体管和/或二极管形式的有源电路。存储模块和/或数据处理模块的每个主层包括功能子层的层叠体，每个功能子层实现一或一个以上的特定的电路功能，在主层中提供至少某些所说有源电路并且至少某些功能层包括有机薄膜材料和低温兼容加工过的无机薄膜材料的组合。在制造这种装置的方法中，在避免使已淀积和加工过的底层处于超过给定温度值的温度的热条件下，或避免工艺诱发化学损害，淀积和加工所说各主层和功能子层。特别地，利用使用脉冲激光或粒子束的瞬时加热处理无机半导体材料。使用通常用在有机薄膜工艺中的工艺来淀积各程的其它有机材料。
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公开(公告)号：CN1471712A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN01817870.7
申请日：2001-08-24
申请人： 薄膜电子有限公司
CPC分类号： G11C7/1006 , G11C7/06 , G11C11/22
摘要： 在一种包括展示出磁滞现象的电子可极化介电存储材料(12)的非易失性无源矩阵存储器件(10)中，第一组和第二组(14；15)寻址电极构成存储器件的字线(WL)和位线(BL)。存储单元(13)被限定在字线(WL)和位线(BL)之间的重叠处的存储材料(12)中。字线(WL)被分成多段(S)，每段共享邻接位线(BL)并由其限定。提供装置(25)来用于将一个段(S)的每个位线(BL)与一个读出装置(26)相连，从而允许经由段(S)的位线(BL)为读出而同时连接一个字线段(15)的所有存储单元(13)。每个读出装置(26)读出位线(BL)中的电流，以便确定所存储的逻辑值。在一种读出方法中，通过在一个读周期的至少一个部分期间将其电位设置到存储单元(13)的一个转换电压Vs来激活段(S)的一个字线(WL)，同时将段(S)的位线(BL)保持在零电位，在该读周期期间由读出装置(26)读出存储在单个存储单元(13)中的逻辑值。在大容量数据存储装置中的使用。
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公开(公告)号：CN100530420C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN01817870.7
申请日：2001-08-24
申请人： 薄膜电子有限公司
CPC分类号： G11C7/1006 , G11C7/06 , G11C11/22
摘要： 在一种包括展示出磁滞现象的电子可极化介电存储材料(12)的非易失性无源矩阵存储器件(10)中，第一组和第二组(14；15)寻址电极构成存储器件的字线(WL)和位线(BL)。存储单元(13)被限定在字线(WL)和位线(BL)之间的重叠处的存储材料(12)中。字线(WL)被分成多段(S)，每段共享邻接位线(BL)并由其限定。提供装置(25)来用于将一个段(S)的每个位线(BL)与一个读出装置(26)相连，从而允许经由段(S)的位线(BL)为读出而同时连接一个字线段(15)的所有存储单元(13)。每个读出装置(26)读出位线(BL)中的电流，以便确定所存储的逻辑值。在一种读出方法中，通过在一个读周期的至少一个部分期间将其电位设置到存储单元(13)的一个转换电压Vs来激活段(S)的一个字线(WL)，同时将段(S)的位线(BL)保持在零电位，在该读周期期间由读出装置(26)读出存储在单个存储单元(13)中的逻辑值。在大容量数据存储装置中的使用。
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