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公开(公告)号：CN115221637A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210896537.5
申请日：2022-07-27
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： G06F30/15 , G06F30/17 , G06F17/18 , G06F113/08 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种考虑燃气性质差异的多推进剂零维内弹道计算方法，其包括建立固体火箭发动机的物理模型，获取物理模型初始参数；根据物理模型初始参数和守恒关系建立瞬态控制方程，得到当前时刻的燃烧室压强；计算得到下一时刻不同推进剂产生燃气的燃气余量；获取下一时刻混合燃气的物性参数；计算下一时刻的燃速和燃面面积；重复以上步骤，直到燃面面积为0，完成零维内弹道计算。本发明考虑了混合装药固体火箭发动机在燃烧过程中不同推进剂产生的燃气掺混的过程，计算结果精确。
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公开(公告)号：CN113417763B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110853076.9
申请日：2021-07-27
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明提供了一种固体火箭发动机燃面退移计算方法，包括：构建三角面片集合；构建最短距离场函数构建笛卡尔网格上的燃速分布场r(x)；修改场函数在每个节点坐标x处的数值；基于新的场函数生成用三角面片表达的等值面，将该等值面中的所有三角面片的集合记为I；进行几何布尔运算；计算固体火箭发动机在当前时刻的总燃气生成率；计算固体火箭发动机燃烧室内当前时刻的压强p；燃烧表面面积变化曲线、燃气生成率曲线，以及压强p随时间变化的曲线，即为燃面退移计算结果。该方法整个计算流程不涉及数值差分运算，节省了算力，消除了在棱线、角点附近区域进行数值差分运算所可能引入的计算误差。
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公开(公告)号：CN114878133A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210539673.9
申请日：2022-05-18
申请人： 西北工业大学 , 中国兵器工业试验测试研究院
摘要： 本发明公开了一种超音速自由射流中的变马赫数试验方法，涉及航空航天技术领域，所设计的试验装置能够实现流场均匀区马赫数的宽范围、连续迅速变化，满足超音速飞行器的试验要求。同时易于调节，调节过程不会产生新的波系或尾流扰动。仅包含扩张段的装置设计提高了自由射流来流的利用效率，同时提高了变马赫数试验装置速度和空域的极限模拟能力。在基本参数选定的前提下，可采用直接优化算法计算优化后的装置内型面，防止变马赫数可调风洞喷管型线的复杂优化设计平台计算消耗大量算力，同时避免了多个设计变量优化过程中收敛于局部最优解或奇异解。
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公开(公告)号：CN113417763A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110853076.9
申请日：2021-07-27
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明提供了一种固体火箭发动机燃面退移计算方法，包括：构建三角面片集合；构建最短距离场函数构建笛卡尔网格上的燃速分布场r(x)；修改场函数在每个节点坐标x处的数值；基于新的场函数生成用三角面片表达的等值面，将该等值面中的所有三角面片的集合记为I；进行几何布尔运算；计算固体火箭发动机在当前时刻的总燃气生成率；计算固体火箭发动机燃烧室内当前时刻的压强p；燃烧表面面积变化曲线、燃气生成率曲线，以及压强p随时间变化的曲线，即为燃面退移计算结果。该方法整个计算流程不涉及数值差分运算，节省了算力，消除了在棱线、角点附近区域进行数值差分运算所可能引入的计算误差。
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公开(公告)号：CN106708238A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510444582.7
申请日：2015-07-24
申请人： 浪潮电子信息产业股份有限公司 , 西北工业大学 , 王云岚
IPC分类号： G06F1/32
摘要： 本文公开了一种针对高性能计算应用的能耗管理方法，基于程序的局部性原理和高性能计算应用中存在大量迭代的特点。将高性能计算作业的运行行为用计算密集型、内存密集型等标签标识，根据标识的标签对系统组件的功耗状态进行调整，达到能耗管理的目的。整个方法分为监控步骤，标识步骤、调节步骤、预测步骤、反馈步骤。监控步骤负责监控作业的运行行为；标识步骤将作业当前监控周期的运行行为进行标签标识；调节步骤根据标签对应的调节规则对系统组件的功耗状态进行调整；预测步骤用来预测作业在下一阶段的运行行为；反馈步骤根据调整后作业的运行情况，寻找适合当前作业运行的最佳调整规则，达到性能与节能两者之间的平衡。
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公开(公告)号：CN102701207B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201210206341.5
申请日：2012-06-21
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C01B31/36
摘要： 本发明涉及一种制备Al掺杂的碳化硅纳米线的方法，技术特征在于：在无催化剂的条件下以反应烧结的硅基陶瓷和石墨粉为前驱体在硅基陶瓷表面大量合成的Al掺杂SiC纳米线。本方法低成本、高效地制备大量的高纯Al掺杂的SiC纳米线。此外，通过调整制备温度可以有效控制合成Al掺杂的SiC纳米线的形貌和尺寸。合成的纳米线主要由大量的直径变化的6H-SiC纳米线组成。纳米线的中心线或中心杆的直径分布在50～100nm范围内，中心线或中心杆上节点结构的直径分布在150～300nm范围内，且都是由Si、C、Al、O等四种元素组成。它们的长度可控，最长可以达到毫米数量级。
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公开(公告)号：CN103121858A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310023681.9
申请日：2013-01-23
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C04B41/87
摘要： 本发明涉及一种提高碳/碳复合材料与自身连接性能的方法，在C/C复合材料与其自身之间原位合成SiC纳米线增强陶瓷连接层的方法，利用纳米线的拔出桥连增强作用以及界面钉扎效应，实现C/C复合材料与其自身连接性能的提高。本发明的有益效果：通过在C/C复合材料与其自身之间原位合成SiC纳米线增强陶瓷连接层，克服了背景技术中在连接层中引入的增强相易团聚、分散性差以及连接层与C/C之间的界面结合差等难题，制备的陶瓷连接层可显著地提高C/C复合材料与其自身连接性能。与背景技术相比，其剪切强度可提高到14.09～15.1MPa。
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公开(公告)号：CN102701207A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210206341.5
申请日：2012-06-21
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种制备Al掺杂的碳化硅纳米线的方法，技术特征在于：在无催化剂的条件下以反应烧结的硅基陶瓷和石墨粉为前驱体在硅基陶瓷表面大量合成的Al掺杂SiC纳米线。本方法低成本、高效地制备大量的高纯Al掺杂的SiC纳米线。此外，通过调整制备温度可以有效控制合成Al掺杂的SiC纳米线的形貌和尺寸。合成的纳米线主要由大量的直径变化的6H-SiC纳米线组成。纳米线的中心线或中心杆的直径分布在50～100nm范围内，中心线或中心杆上节点结构的直径分布在150～300nm范围内，且都是由Si、C、Al、O等四种元素组成。它们的长度可控，最长可以达到毫米数量级。
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公开(公告)号：CN106708238B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201510444582.7
申请日：2015-07-24
申请人： 浪潮电子信息产业股份有限公司 , 西北工业大学 , 王云岚
IPC分类号： G06F1/3206 , G06F1/329
摘要： 本文公开了一种针对高性能计算应用的能耗管理方法，基于程序的局部性原理和高性能计算应用中存在大量迭代的特点。将高性能计算作业的运行行为用计算密集型、内存密集型等标签标识，根据标识的标签对系统组件的功耗状态进行调整，达到能耗管理的目的。整个方法分为监控步骤，标识步骤、调节步骤、预测步骤、反馈步骤。监控步骤负责监控作业的运行行为；标识步骤将作业当前监控周期的运行行为进行标签标识；调节步骤根据标签对应的调节规则对系统组件的功耗状态进行调整；预测步骤用来预测作业在下一阶段的运行行为；反馈步骤根据调整后作业的运行情况，寻找适合当前作业运行的最佳调整规则，达到性能与节能两者之间的平衡。
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公开(公告)号：CN104591798A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410841222.6
申请日：2014-12-29
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C04B41/87
摘要： 本发明公开了一种电泳沉积纳米线强韧化SiC抗氧化涂层的制备方法，用于解决现有的制备方法可控性差的技术问题。技术方案是利用电泳工艺在C/C复合材料表面沉积纳米线，并将C/C复合材料预先微氧化处理改善表面结构以利于纳米线沉积，借助电泳参数的改变实现对纳米线含量与厚度的精确控制。通过化学气相沉积制备SiC涂层。电泳沉积的SiC纳米线分布均匀且厚度可控；纳米线沉积于微氧化过程形成的沟壑与孔隙中可将涂层与基底良好地结合，从而降低发生涂层剥落失效的可能；SiC纳米线可强韧化涂层，从而提高涂层性能；同时由于SiC纳米线可减少涂层中裂纹的尺度与数量，阻断氧气扩散进入基底的通道，该方法制备的涂层抗氧化性能优异。
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