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公开(公告)号：CN117612620A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311625455.8
申请日：2023-11-30
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种针对目标产物的CO2还原用电催化剂的设计方法，该方法包括：一、构建MXenes负载的SACs的催化剂样本模型；二、测试催化剂样本模型的反应机理和催化活性，得到MXenes各组分对活性的影响、以及MXenes‑SACs组合方式与不同C1产物的对应关系；三、根据不同C1产物对催化剂样本模型进行分组，得到针对目标产物的电催化剂的分类图谱。本发明通过MXenes一类载体材料，实现不同C1产物的高选择性转化，这对理性而快速地设计CO2还原非贵金催化剂、揭示电子结构对催化活性的调控机制具有重要意义，实现了二氧化碳的向目标产物的定向转化，有利于CO2的快速消耗和变废为宝，节约时间和周期成本。
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公开(公告)号：CN116705188A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310713568.7
申请日：2023-06-15
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种搜索高熵合金稳定结构的方法，涉及高熵合金稳定结构搜索的计算材料技术领域，包括：随机交换高熵合金结构中两个原子的位置，获得第一暂态结构，采用分子动力学算法计算第一暂态结构的能量值，随机交换第一暂态结构中的两个原子的位置，获得第二暂态结构，采用分子动力学算法计算第二暂态结构的能量值，在第一暂态结构的能量值与第二暂态结构的能量值不断比较过程中，通过蒙特卡洛马尔科夫链算法马尔科夫链确定的概率值使用第二暂态结构替换第一暂态结构，搜索稳态结构的高熵合金结构。该方法可以有效建立能够反映高熵合金内部原子排布真实状态的结构。
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公开(公告)号：CN114141945A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111448174.0
申请日：2021-11-30
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种局域压应变控制的范德华自旋阀结构单元，包括在基底上形成第一GeC层、形成CrS2层并调控，形成第二GeC层后施加磁场进行初始磁化，再施加局域垂直压应变得到范德华自旋阀结构单元；本发明公开了一种包括两个以上并联的范德华自旋阀结构单元组成的自旋阀器件；本发明还公开了对自旋阀器件的控制方法：对自旋阀器件施加外磁场并输入电流，通过改变外磁场施加方向调节范德华自旋阀结构单元自旋状态，获取调节输出信号。本发明通过局域压应变调控CrS2相变，得到受磁性转变作用的范德华自旋阀结构单元，免除了不同性质不同材料的匹配问题；本发明的自旋阀器件结构与控制方法简单，实现了逻辑运算且便于能耗管理。
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公开(公告)号：CN115513368A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211167512.8
申请日：2022-09-23
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种锰基MXenes自旋场效应管，包括基底、第一电极层、第一隔离层和氢原子钝化Mn2NO2层，氢原子钝化Mn2NO2层上间隔设置有第二隔离层和第三隔离层，第二电极层和第三电极层，另外还提供了一种锰基MXenes自旋场效应管的使用方法，通过施加局域电场诱发氢原子钝化Mn2NO2部分区域由半导体转变为半金属，形成半金属/半导体/半金属横向异质结，仅采用氢原子钝化Mn2NO2单一材料，通过采用局域电场的方式调控特定区域由半导体转变为半金属性，形成半金属/半导体的横向异质结，以不同外磁场对各个自旋场效应管进行磁化，用于写入信息，并通过检测各个通道中的自旋电子信号，进行逻辑运算与磁性存储。
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公开(公告)号：CN117619116A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311629515.3
申请日：2023-11-30
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种光伏电负荷控制的高效捕集、存储二氧化碳的装置，包括具有MXenes薄膜齿的多齿旋转复合板，多齿旋转复合板四周设置有与MXenes薄膜齿数量相同的CO2吸附罐，CO2吸附罐上开设有进气口，多齿旋转复合板连接有用于提供旋转动力的光伏板，多齿旋转复合板上的MXenes薄膜齿连接有开关，开关连接有用于为MXenes薄膜提供电力的光伏板，CO2吸附罐连接有用于为与CO2吸附罐提供电力的光伏板。本发明通过多齿旋转复合板上的MXenes薄膜与CO2吸附罐配合，实现高效捕集、存储CO2，实现CO2的可控捕集与释放一体化，具有吸收效率高、吸收容量大、吸收焓低、脱附容易，有利于CO2的循环使用。
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公开(公告)号：CN116741320A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310704592.4
申请日：2023-06-14
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种氦泡肿胀过程绒毛生长机制预测方法，该方法包括：一、构建预测模型；二、确定He泡未破裂时深度对W基体表面的影响；三、确定He泡破裂对W基体表面形貌变化的影响。本发明通过对He泡未破裂时其深度对W基体表面的影响，以及He泡破裂对W基体表面形貌变化的影响，得到在W基体表面绒毛生长的情况，通过氦扩散+聚集以及气泡膨胀+破裂两种情况下反应对绒毛生长情况的影响，对全面评估核反应堆材料在工程上的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115101664A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210787613.9
申请日：2022-07-04
申请人： 西北有色金属研究院
摘要： 本发明公开了一种剪切应变控制的CrS2自旋阀器件，由两个以上的自旋阀器件单元并联而成，自旋阀器件单元包括基底，以及设置在基底上的CrS2层和保护层，由以下方法制备得到：一、在基底上生长形成1T'相CrS2层；二、调控形成横向异质结；三、在横向异质结上生长形成保护层；四、调控形成磁性异质结；本发明还公开了该自旋阀器件单元的控制方法：将自旋阀器件连通外电路后施加剪切应变调节自旋阀器件单元的自旋状态。本发明基于CrS2自身具有的铁弹性以及铁磁性与铁弹性的相互耦合，通过应变调控1T'相CrS2层的铁弹性进而调节其磁性转变，解决了不同性质不同材料匹配难题；本发明的控制方法简单易于实现。
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