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公开(公告)号：CN109115125A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811092972.2
申请日：2018-09-13
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明提供了一种激光损伤硅基或锗基光学元件表面形貌数字化表征方法，以解决现有方法仅能定性描述损伤形貌、表征结果不足以支持后续系统输出特性分析，或者虽然能完整获取损伤表面信息但数据量过大的问题。本发明首先对光学元件的损伤表面进行三维形貌测试，获取完整的三维表面数据，然后利用高斯函数进行二维空间滤波；再利用类sinc函数对损伤形貌曲面的空间截面内的曲线进行拟合，得到拟合目标函数及参数解集U1、U2、U3和U4；随后在参数集U1、U2、U3、U4中随机构造参数向量[A0，B0，C0，D0]，将该参数向量代入前述拟合目标函数即可得到能够表征损伤形貌的曲线。本发明仅需少量参数对复杂的三维损伤形貌特征进行近似、较完整地表征。
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公开(公告)号：CN105355638B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510672778.1
申请日：2015-10-16
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种体沟道CCD表面饱和电荷量幅值大小的筛选方法，对于可以产生表面饱和效应的同一型号的不同CCD器件，通过比较其对同一信号响应所产生的拖尾信号长度的相对大小，可以判断其表面饱和电荷量的相对大小，对于同一信号的响应，拖尾信号越长，则表明其表面饱和电荷量越小。本发明的筛选方法具有原理简单可靠、效率高的特点，其测量结果可直接用于CCD器件强光测量和效应实验中。
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公开(公告)号：CN105355638A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510672778.1
申请日：2015-10-16
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/66
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L22/30
Abstract: 本发明公开了一种体沟道CCD表面饱和电荷量幅值大小的筛选方法，对于可以产生表面饱和效应的同一型号的不同CCD器件，通过比较其对同一信号响应所产生的拖尾信号长度的相对大小，可以判断其表面饱和电荷量的相对大小，对于同一信号的响应，拖尾信号越长，则表明其表面饱和电荷量越小。本发明的筛选方法具有原理简单可靠、效率高的特点，其测量结果可直接用于CCD器件强光测量和效应实验中。
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公开(公告)号：CN116907661A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310832080.6
申请日：2023-07-07
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种高动态范围超快超强激光脉冲脉宽单发测量装置及方法。本发明采用小角度的菲涅尔棱镜和标定片取代了传统二阶相关仪的干涉仪和透镜组合，使得装置的结构大大简化；以标定片作为标准具，采用置入标准具的方法进行定标，免去多点定标的复杂操作；一次定标后，对于固定探测模块能够在后续测量中省去定标操作；这样在测量脉宽中只需要测量和频信号的半高全宽就能够直接计算得出激光脉冲脉宽；采用滤波片，通过数据处理能够提高装置测量的动态范围。
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公开(公告)号：CN109115125B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811092972.2
申请日：2018-09-13
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明提供了一种激光损伤硅基或锗基光学元件表面形貌数字化表征方法，以解决现有方法仅能定性描述损伤形貌、表征结果不足以支持后续系统输出特性分析，或者虽然能完整获取损伤表面信息但数据量过大的问题。本发明首先对光学元件的损伤表面进行三维形貌测试，获取完整的三维表面数据，然后利用高斯函数进行二维空间滤波；再利用类sinc函数对损伤形貌曲面的空间截面内的曲线进行拟合，得到拟合目标函数及参数解集U1、U2、U3和U4；随后在参数集U1、U2、U3、U4中随机构造参数向量[A0，B0，C0，D0]，将该参数向量代入前述拟合目标函数即可得到能够表征损伤形貌的曲线。本发明仅需少量参数对复杂的三维损伤形貌特征进行近似、较完整地表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116907662A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310832081.0
申请日：2023-07-07
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种超快超强激光脉冲脉宽单发测量装置及其标定方法。本发明采用小角度的菲涅尔棱镜和标定片取代了传统二阶相关仪的干涉仪和透镜组合，使得装置的结构大大简化，保证了设备的结构简单、成本低且精度高；利用和频效应，并利用非线性自相关法实现了时间信息到空间信息的转换，从而实现了超快超强激光脉宽的单发测量方法，强度自相关法保障了测量能够以单发模式进行，采用置入标定片的方法进行定标，免去多点定标的复杂操作，一次定标后，对于固定探测模块，能够在后续测量中省去定标操作；在测量脉宽中只需要测量和频光半高全宽就能够直接计算出脉宽；通过数据处理矫正系统色散，能够快捷方便地实现飞秒激光脉冲脉宽的单发测量。
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公开(公告)号：CN107290637B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710432606.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明提供了一种基于等效电路参数提取的单PN结型器件激光损伤效应分析方法，以解决现有分析方法测试成本过高及可能会对器件造成永久性破坏的问题。首先建立待研究单PN结型器件的等效电路模型，然后通过粒子群算法准确获取该等效电路模型中的模型参数(ISD、Rs和Rsh)，分析激光损伤前后相应模型参数的变化，通过这些模型参数与单PN结型器件材料内部物理量的联系，对单PN结型器件内部损伤进行分析。本发明方法简单、原理可靠，测试成本低，且能够在不破坏单PN结型器件的前提下准确获取单PN结型器件激光辐照前后的等效电路模型中的模型参数，通过对辐照前后的模型参数进行比较，就能得到单PN结型器件损伤前后的内部掺杂浓度、载流子寿命以及缺陷变化情况。
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公开(公告)号：CN110086426A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910350408.4
申请日：2019-04-28
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明提供了一种两端式层叠太阳电池I-V曲线快速获取方法，以解决其电路模型参数拟合算法中误差准确计算的难题。首先计算给定等效终端电压集合对应各子电池终端电压、电流集合，然后选取特定子电池电流集合作为电流采样点，基于插值法计算各子电池在电流采点下的插值电压集合，最后对同一电流采样点下子电池插值电压求和获得终端电压集合，作电流采样点与终端电压集合曲线即为两端式层叠电池I-V曲线。本发明方法简单，原理可靠，计算精度高，能够实现两端式层叠电池I-V曲线的快速获取。其结果可作为电路模型参数拟合算法中误差判断依据，从而实现基于实验I-V曲线的两端式层叠太阳电池等效电路模型参数的准确提取。
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公开(公告)号：CN113411567B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110614724.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种激光辐照效应损伤阈值分析方法，具体涉及一种阵列式图像传感器激光损伤阈值估算方法，解决激光干扰损伤效应阈值实验数据存在较大差异的问题。该方法通过获取阵列式图像传感器样品上不同程度的点损伤效应、线损伤与大面积失效激光参数，以及失效阈值，计算得出线损伤阈值、大面积失效阈值，再以点损伤阈值为基准阈值，计算出线损伤、大面积失效以及失效的相关参数，最后通过多次实验得到线损伤、大面积失效和失效的相关系数区间。根据此参数区间和未知器件或相似器件的点损伤阈值，就可得到未知器件或相似器件的线损伤、大面积失效和失效的系数区间。消除测量不确定度、效应现象随机性、样品个体差异的实验误差，提高准确度。
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公开(公告)号：CN113411567A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110614724.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种激光辐照效应损伤阈值分析方法，具体涉及一种阵列式图像传感器激光损伤阈值估算方法，解决激光干扰损伤效应阈值实验数据存在较大差异的问题。该方法通过获取阵列式图像传感器样品上不同程度的点损伤效应、线损伤与大面积失效激光参数，以及失效阈值，计算得出线损伤阈值、大面积失效阈值，再以点损伤阈值为基准阈值，计算出线损伤、大面积失效以及失效的相关参数，最后通过多次实验得到线损伤、大面积失效和失效的相关系数区间。根据此参数区间和未知器件或相似器件的点损伤阈值，就可得到未知器件或相似器件的线损伤、大面积失效和失效的系数区间。消除测量不确定度、效应现象随机性、样品个体差异的实验误差，提高准确度。
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