公开(公告)号：CN119757029A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411916725.5

申请日：2024-12-24

Applicant: 中山大学 ,  西北核技术研究所

Inventor： 林越翔 ,  梁广林 ,  马建军 ,  卢强 ,  李进 ,  洪惠卿 ,  张震 ,  黄林冲 ,  李响 ,  雷明锋 ,  丁洋

IPC: G01N3/08 ,  G01N3/12 ,  G01N3/06 ,  G01N3/18

Abstract: 本发明公开了一种深部岩石热固流耦合试验装置及方法，通过围压加载结构在外周对岩石试样施加围压，通过调节试验空间内的第一流体和/或容纳腔内的第二流体的压力和温度可模拟地热开采过程中深部岩石所承受的不同流体压力和温度作用；使轴向加载机构通过轴向加载板对岩石试样的顶部施工加轴向力，则可模拟地热开采过程中深部岩石所承受的轴向压力。同时，将岩石试样设计为包括多层径向分布且紧密结合的环片层，并在环片层的结合处分别埋设有温度传感器和损伤状态传感器，可实时获取岩石试样不同径向区域的温度和裂纹情况数据，从而使本发明能更全面、准确地模拟地热开采过程岩石的力学行为，并获取准确、全面的试验参数。

公开(公告)号：CN109115125A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201811092972.2

申请日：2018-09-13

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 师宇斌 ,  张检民 ,  窦鹏程 ,  张震 ,  李云鹏 ,  徐作冬

IPC: G01B11/24

Abstract: 本发明提供了一种激光损伤硅基或锗基光学元件表面形貌数字化表征方法，以解决现有方法仅能定性描述损伤形貌、表征结果不足以支持后续系统输出特性分析，或者虽然能完整获取损伤表面信息但数据量过大的问题。本发明首先对光学元件的损伤表面进行三维形貌测试，获取完整的三维表面数据，然后利用高斯函数进行二维空间滤波；再利用类sinc函数对损伤形貌曲面的空间截面内的曲线进行拟合，得到拟合目标函数及参数解集U1、U2、U3和U4；随后在参数集U1、U2、U3、U4中随机构造参数向量[A0，B0，C0，D0]，将该参数向量代入前述拟合目标函数即可得到能够表征损伤形貌的曲线。本发明仅需少量参数对复杂的三维损伤形貌特征进行近似、较完整地表征。

公开(公告)号：CN105355638B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201510672778.1

申请日：2015-10-16

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 张震 ,  周孟莲 ,  程德艳 ,  陈绍武 ,  师宇斌

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种体沟道CCD表面饱和电荷量幅值大小的筛选方法，对于可以产生表面饱和效应的同一型号的不同CCD器件，通过比较其对同一信号响应所产生的拖尾信号长度的相对大小，可以判断其表面饱和电荷量的相对大小，对于同一信号的响应，拖尾信号越长，则表明其表面饱和电荷量越小。本发明的筛选方法具有原理简单可靠、效率高的特点，其测量结果可直接用于CCD器件强光测量和效应实验中。

公开(公告)号：CN105355638A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510672778.1

申请日：2015-10-16

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 张震 ,  周孟莲 ,  程德艳 ,  陈绍武 ,  师宇斌

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L22/30

Abstract: 本发明公开了一种体沟道CCD表面饱和电荷量幅值大小的筛选方法，对于可以产生表面饱和效应的同一型号的不同CCD器件，通过比较其对同一信号响应所产生的拖尾信号长度的相对大小，可以判断其表面饱和电荷量的相对大小，对于同一信号的响应，拖尾信号越长，则表明其表面饱和电荷量越小。本发明的筛选方法具有原理简单可靠、效率高的特点，其测量结果可直接用于CCD器件强光测量和效应实验中。

公开(公告)号：CN104807742A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510182031.8

申请日：2015-04-16

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 林新伟 ,  程德艳 ,  周梦莲 ,  徐作冬 ,  邵碧波 ,  张震

IPC: G01N17/00

Abstract: 本发明公开了一种激光聚焦辐照效应实验装置及方法，装置包括聚焦透镜、效应物固定架、XZ轴方向二维调节机构、Y轴方向电控位移台和视频显微镜，使用显微镜辅助准确定位光斑测量装置表面以及批量效应物样品表面的位置，同时兼顾效应烧蚀痕迹的测量，可以大大减小位置不确定性带来的辐照激光参数的不确定性，提高激光损伤阈值测量、效应规律研究的准确性。

公开(公告)号：CN110086426B

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201910350408.4

申请日：2019-04-28

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 窦鹏程 ,  师宇斌 ,  张检民 ,  李云鹏 ,  徐作冬 ,  张震 ,  冯国斌

IPC: H02S50/10

Abstract: 本发明提供了一种两端式层叠太阳电池I‑V曲线快速获取方法，以解决其电路模型参数拟合算法中误差准确计算的难题。首先计算给定等效终端电压集合对应各子电池终端电压、电流集合，然后选取特定子电池电流集合作为电流采样点，基于插值法计算各子电池在电流采点下的插值电压集合，最后对同一电流采样点下子电池插值电压求和获得终端电压集合，作电流采样点与终端电压集合曲线即为两端式层叠电池I‑V曲线。本发明方法简单，原理可靠，计算精度高，能够实现两端式层叠电池I‑V曲线的快速获取。其结果可作为电路模型参数拟合算法中误差判断依据，从而实现基于实验I‑V曲线的两端式层叠太阳电池等效电路模型参数的准确提取。

公开(公告)号：CN108599726B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201810367553.9

申请日：2018-04-23

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 窦鹏程 ,  冯国斌 ,  张检民 ,  师宇斌 ,  李云鹏 ,  徐作冬 ,  张震

IPC: H02S50/15

Abstract: 本发明提供了一种两端式叠层太阳电池激光损伤效应分析方法，以解决现有分析方法无法实现子PN结性能定量分析的问题。首先获取待研究两端式叠层太阳电池的暗光谱响应与外量子效率谱，然后建立子PN结并联电阻的线性方程组并对其求解，分析激光损伤前后各子PN结并联电阻变化情况，结合其与PN结内部物理量的联系，对两端式叠层太阳电池内部损伤进行分析。

公开(公告)号：CN108599726A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810367553.9

申请日：2018-04-23

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 窦鹏程 ,  冯国斌 ,  张检民 ,  师宇斌 ,  李云鹏 ,  徐作冬 ,  张震

IPC: H02S50/15

Abstract: 本发明提供了一种两端式叠层太阳电池激光损伤效应分析方法，以解决现有分析方法无法实现子PN结性能定量分析的问题。首先获取待研究两端式叠层太阳电池的暗光谱响应与外量子效率谱，然后建立子PN结并联电阻的线性方程组并对其求解，分析激光损伤前后各子PN结并联电阻变化情况，结合其与PN结内部物理量的联系，对两端式叠层太阳电池内部损伤进行分析。

公开(公告)号：CN107290637A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710432606.6

申请日：2017-06-09

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 师宇斌 ,  张检民 ,  刘永棠 ,  徐作冬 ,  张震 ,  窦鹏程 ,  林新伟 ,  李云鹏 ,  程德艳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供了一种基于等效电路参数提取的单PN结型器件激光损伤效应分析方法，以解决现有分析方法测试成本过高及可能会对器件造成永久性破坏的问题。首先建立待研究单PN结型器件的等效电路模型，然后通过粒子群算法准确获取该等效电路模型中的模型参数(ISD、Rs和Rsh)，分析激光损伤前后相应模型参数的变化，通过这些模型参数与单PN结型器件材料内部物理量的联系，对单PN结型器件内部损伤进行分析。本发明方法简单、原理可靠，测试成本低，且能够在不破坏单PN结型器件的前提下准确获取单PN结型器件激光辐照前后的等效电路模型中的模型参数，通过对辐照前后的模型参数进行比较，就能得到单PN结型器件损伤前后的内部掺杂浓度、载流子寿命以及缺陷变化情况。

公开(公告)号：CN107290637B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201710432606.6

申请日：2017-06-09

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 师宇斌 ,  张检民 ,  刘永棠 ,  徐作冬 ,  张震 ,  窦鹏程 ,  林新伟 ,  李云鹏 ,  程德艳

IPC: G01R31/265

Abstract: 本发明提供了一种基于等效电路参数提取的单PN结型器件激光损伤效应分析方法，以解决现有分析方法测试成本过高及可能会对器件造成永久性破坏的问题。首先建立待研究单PN结型器件的等效电路模型，然后通过粒子群算法准确获取该等效电路模型中的模型参数(ISD、Rs和Rsh)，分析激光损伤前后相应模型参数的变化，通过这些模型参数与单PN结型器件材料内部物理量的联系，对单PN结型器件内部损伤进行分析。本发明方法简单、原理可靠，测试成本低，且能够在不破坏单PN结型器件的前提下准确获取单PN结型器件激光辐照前后的等效电路模型中的模型参数，通过对辐照前后的模型参数进行比较，就能得到单PN结型器件损伤前后的内部掺杂浓度、载流子寿命以及缺陷变化情况。