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公开(公告)号：CN106443202B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201610790514.0
申请日：2016-08-31
IPC: G01R29/02
Abstract: 本发明涉及一种片上自触发单粒子瞬态脉冲宽度测量方法及系统。包括组合逻辑电路；所述组合逻辑电路包括目标电路模块、选通电路模块、单粒子瞬态脉冲宽度测量模块和延时单元延迟时间标定模块。本发明提供了一种自触发信号产生电路结构简单，不需要特殊的延迟设计的一种片上自触发单粒子瞬态脉冲宽度测量方法及系统。
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公开(公告)号：CN106443202A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610790514.0
申请日：2016-08-31
IPC: G01R29/02
CPC classification number: G01R29/023
Abstract: 本发明涉及一种片上自触发单粒子瞬态脉冲宽度测量方法及系统。包括组合逻辑电路；所述组合逻辑电路包括目标电路模块、选通电路模块、单粒子瞬态脉冲宽度测量模块和延时单元延迟时间标定模块。本发明提供了一种自触发信号产生电路结构简单，不需要特殊的延迟设计的一种片上自触发单粒子瞬态脉冲宽度测量方法及系统。
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公开(公告)号：CN106405385A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610793863.8
申请日：2016-08-31
IPC: G01R31/317
CPC classification number: G01R31/31718
Abstract: 本发明涉及一种基于触发器链的逻辑电路单粒子效应测试方法。包括一下步骤：1】基于某个工艺节点设计多级数触发器链；2】对触发器链进行版图设计，再进行版图寄生参数提取；3】利用某个重离子LET值的辐射源进行单粒子效应实验；4】通过时钟信号得到触发器主从锁存器的单粒子翻转截面比值∈；5】通过下列公式计算不同频率下的触发器单粒子翻转的时间敏感因子TVF；6】通过步骤3】和步骤5】得到多级触发器链中组合逻辑单元单粒子瞬态引起的软错误截面；然后对实验结果进行线性拟合。本发明提供了一种准确评估基于触发器链的逻辑电路的单粒子效应的测试方法。
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公开(公告)号：CN106405385B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610793863.8
申请日：2016-08-31
IPC: G01R31/317
Abstract: 本发明涉及一种基于触发器链的逻辑电路单粒子效应测试方法。包括一下步骤：1】基于某个工艺节点设计多级数触发器链；2】对触发器链进行版图设计，再进行版图寄生参数提取；3】利用某个重离子LET值的辐射源进行单粒子效应实验；4】通过时钟信号得到触发器主从锁存器的单粒子翻转截面比值∈；5】通过下列公式计算不同频率下的触发器单粒子翻转的时间敏感因子TVF；6】通过步骤3】和步骤5】得到多级触发器链中组合逻辑单元单粒子瞬态引起的软错误截面；然后对实验结果进行线性拟合。本发明提供了一种准确评估基于触发器链的逻辑电路的单粒子效应的测试方法。
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公开(公告)号：CN116779594A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310806759.8
申请日：2023-07-03
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01L23/552 , H01L21/331 , H01L29/73 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及基于多晶硅加热的双极器件，包括钝化层、氧化层、Si衬底、多晶硅，层片状结构，多晶硅位于钝化层、氧化层之间。也涉及基于多晶硅加热的双极器件的制备方法，包括版图设计、仿真、流片、测试过程。还涉及基于多晶硅加热的双极器件电离辐射损伤修复方法，包括确定双极器件的电离辐射损伤阈值、双极器件的修复参数、双极器件的修复失效阈值、对多晶硅通电实施修复的步骤。本发明采用多晶硅加热辐射敏感区域，对电离辐射损伤进行修复，多晶硅不受辐射影响，加热面积小，热效率高，操作简便，成本低，有效地修复电离辐射损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113945832A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111116005.7
申请日：2021-09-23
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01R31/303 , G01R31/311
Abstract: 本发明提供一种适用于激光微束单粒子瞬态效应实验的降噪方法，主要解决激光器本底噪声对获取的单粒子瞬态波形数据造成干扰的问题。该方法包括：步骤一、将激光器的TTL电平发射端口连接至示波器的外部触发信号通道，并设置示波器的触发模式为外部通道触发；步骤二、设定实验条件，确定芯片对单粒子效应不敏感的区域A和敏感的区域B；步骤三、激光器对区域A进行逐点扫描，获得激光器的本底噪声波形；步骤四、对区域B进行常规的SET考核实验，并保存采集到的波形数据；步骤五、对步骤三获取的本底噪声波形进行均值化处理；步骤六、将步骤四获取的波形数据减去步骤五均值化处理后的本底噪声波形，得到真实平滑的芯片SET波形。
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公开(公告)号：CN106940422B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201611076252.8
申请日：2016-11-29
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种辐射效应通用测试系统及测试方法。该系统包括控制器、多个仪器模块以及PXIe机箱；所述多个仪器模块包括高速数字IO、任意波形发生器、高速模拟采集卡、高精模拟采集卡、矩阵开关、精密电流电压源；该系统的方法主要包括以下步骤：1)封装所有仪器模块底层驱动命令，形成仪器模块操作；2)拆分仪器模块操作流程；3)根据仪器模块操作流程创建操作列表；4)添加仪器模块操作；5)创建测试任务；6)形成测试任务列表；7)根据测试任务列表执行被测目标物的测试。本发明不仅能实现多种数字、模拟、数模混合半导体器件辐射效应测试的通用，并且测试精度、速度都明显提高。
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公开(公告)号：CN105759198B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610221120.3
申请日：2016-04-11
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01R31/308
Abstract: 本发明涉及一种脉宽调制器单粒子效应时间敏感特性分析方法，方法包括：对样品的各功能模块进行激光脉冲的遍历式扫描并得到各功能模块的单粒子效应失效模式和单粒子效应敏感参数以及选取各功能模块的典型入射位置、使激光脉冲以一定的入射周期入射各功能模块的典型入射位置来分析获得各功能模块的单粒子效应时间敏感性信息、获取脉宽调制器的单粒子效应时间敏感特性等步骤。本发明方法在脉宽调制器功能模块划分的基础上，结合激光脉冲的可控扫描和各功能模块单粒子效应敏感参数提取来实现脉宽调制器单粒子效应时间敏感特性分析，方法新颖，是重离子单粒子效应地面模拟试验的重要补充，为较复杂数模混合电路的单粒子效应时间敏感特性研究提供支撑。
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公开(公告)号：CN105679658B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201610065541.1
申请日：2016-01-29
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01L21/263 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法，对CMOS器件进行中子辐照，通过中子辐照引入位移损伤,使器件CMOS反相器内部寄生双极晶体管的电流增益降低到不致发生P‑N‑P‑N闭锁，该加固方法是一种外部加固方法，不增加生产器件的工艺步骤，不用针对单粒子闭锁效应重新设计器件版图，不增加原有系统的复杂性。因此，不会改变器件的固有尺寸，也不会增加外围电路。
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