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公开(公告)号：CN113380639A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110579209.8
申请日：2021-05-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/02 , H01L21/324 , B08B7/00
Abstract: 本发明公开了一种原子级离子清洁活化低温键合装置及方法，通过在键合真空腔内设置射频电极和气源，采用移动承载台，在移动承载台上设置有键合承载台，键合承载台上设置有两个对称设置的样品承载台，样品承载台与键合承载台通过移动转台连接，移动转台能够在键合承载台上滑动，样品承载台与移动转台转动连接，样品承载台上端用于固定预键合晶圆，键合真空腔能够在键合真空腔和退火真空腔之间移动，形成相对固定的能够在独立空间内进行低温处理和退火处理的空间，能够实现在低温环境下进行，退火真空腔内的退火加热装置气体沉积原子层来避免不易键合界面的晶格失配，最后经过热退火处理装置对晶圆进行热退火，从而获得高质量的键合界面和键合强度。
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公开(公告)号：CN113380874B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110579210.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管，包括原胞结构，原胞结构自下而上依次包括N型欧姆接触电极、N型掺杂阴极区、N型掺杂Buffer层、P型基区、P型掺杂区、P型掺杂阳极区和P型欧姆接触电极，P型基区掺杂浓度为1*1015‑5*1016cm‑3、厚度为0.25μm‑1μm，通过采用高浓度掺杂P型基区，能够有效减小DSRD器件的开关时间和正向导通压降，厚度为0.25μm‑1μm，有效提高了二极管的击穿特性，P型基区与P型重掺杂阳极区之间为P型掺杂区，可以增加P型基区电离受主的数量以补偿其中的非平衡空穴，从而使少子在基区中积累，减小输出脉冲的“预脉冲”电压，进而减小器件的功率损耗。本发明使用的DSRD器件结构只需改变外延时的掺杂参数，无需开发新的工艺方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380874A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110579210.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管，包括原胞结构，原胞结构自下而上依次包括N型欧姆接触电极、N型掺杂阴极区、N型掺杂Buffer层、P型基区、P型掺杂区、P型掺杂阳极区和P型欧姆接触电极，P型基区掺杂浓度为1*1015‑5*1016cm‑3、厚度为0.25μm‑1μm，通过采用高浓度掺杂P型基区，能够有效减小DSRD器件的开关时间和正向导通压降，厚度为0.25μm‑1μm，有效提高了二极管的击穿特性，P型基区与P型重掺杂阳极区之间为P型掺杂区，可以增加P型基区电离受主的数量以补偿其中的非平衡空穴，从而使少子在基区中积累，减小输出脉冲的“预脉冲”电压，进而减小器件的功率损耗。本发明使用的DSRD器件结构只需改变外延时的掺杂参数，无需开发新的工艺方法。
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公开(公告)号：CN113380639B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110579209.8
申请日：2021-05-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/02 , H01L21/324 , B08B7/00
Abstract: 本发明公开了一种原子级离子清洁活化低温键合装置及方法，通过在键合真空腔内设置射频电极和气源，采用移动承载台，在移动承载台上设置有键合承载台，键合承载台上设置有两个对称设置的样品承载台，样品承载台与键合承载台通过移动转台连接，移动转台能够在键合承载台上滑动，样品承载台与移动转台转动连接，样品承载台上端用于固定预键合晶圆，键合真空腔能够在键合真空腔和退火真空腔之间移动，形成相对固定的能够在独立空间内进行低温处理和退火处理的空间，能够实现在低温环境下进行，退火真空腔内的退火加热装置气体沉积原子层来避免不易键合界面的晶格失配，最后经过热退火处理装置对晶圆进行热退火，从而获得高质量的键合界面和键合强度。
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公开(公告)号：CN116490045A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310424662.0
申请日：2023-04-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/六方氮化硼异质结的制备方法，通过对目标基底进行清洗处理，然后将清洗后的目标基底表面改为亲水性，得薄膜能够很好平铺在基片表面，褶皱减少，在亲水性的目标基底表面设置一层六方氮化硼；在待转移的石墨烯薄膜表面旋涂一层PMMA，然后将其漂浮在去离子水中，在去离子水表面作用力下，石墨烯薄膜基于PMMA能够舒展开，然后使用表面设置有六方氮化硼的目标基底在去离子水中与旋涂有PMMA层的石墨烯薄膜贴合，从而得目标基底和石墨烯薄膜平展贴合，然后在阶梯温度下烘干加热，缩短基片与样品的间距，裂纹面积减小；最后通过退火处理，不仅减少PMMA残留，还能使得薄膜与基底接触更紧密。
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公开(公告)号：CN116490042A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310423830.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/六方氮化硼异质结场效应晶体管及其制备方法，通过在硅衬底上制制备栅介质层，栅介质层包括二氧化硅层和六方氮化硼层；在栅介质层上制备石墨烯导电沟槽，最后在石墨烯导电沟槽上制备间隔设置的漏极和源极，即可得到石墨烯/六方氮化硼异质结场效应晶体管，本发明在石墨烯和二氧化硅之间插入一层六方氮化硼，构建场效应晶体管，当石墨烯位于六方氮化硼上，由于两者之间的相互作用，可以使得单层石墨烯的带隙打开，从而提高器件电流开关比；并且六方氮化硼和石墨烯结构类似，晶格匹配度高，表面较为平整，没有悬挂键和带电杂质，从而保持石墨烯的本征性能，进而提升器件性能。
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公开(公告)号：CN113380875A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110580713.X
申请日：2021-05-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，包括原胞结构，原胞结构自下而上分别为N型欧姆接触电极、N型掺杂衬底、N型掺杂缓冲层、P型基区、P型掺杂发射层和P型欧姆接触电极，P型基区为碳化硅耐压基区，采用碳化硅作为P型基区，且P型基区厚度为14～22μm，非平衡载流子的运输路径大大缩短，从而减小了脉冲前沿的时间，增大了输出脉冲的电压值。同时减小了DSRD器件的损耗，大大减小DSRD器件体积，缩小脉冲系统的体积。采用碳化硅作为P型基区，能够增大器件耐压，减小开关时间，不仅可以解决单片DSRD电压脉冲峰值低、功耗大的问题，也可以减少超快脉冲系统中串联DSRD器件的数量，从而减小系统体积。
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