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公开(公告)号：CN113380874B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110579210.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管，包括原胞结构，原胞结构自下而上依次包括N型欧姆接触电极、N型掺杂阴极区、N型掺杂Buffer层、P型基区、P型掺杂区、P型掺杂阳极区和P型欧姆接触电极，P型基区掺杂浓度为1*1015‑5*1016cm‑3、厚度为0.25μm‑1μm，通过采用高浓度掺杂P型基区，能够有效减小DSRD器件的开关时间和正向导通压降，厚度为0.25μm‑1μm，有效提高了二极管的击穿特性，P型基区与P型重掺杂阳极区之间为P型掺杂区，可以增加P型基区电离受主的数量以补偿其中的非平衡空穴，从而使少子在基区中积累，减小输出脉冲的“预脉冲”电压，进而减小器件的功率损耗。本发明使用的DSRD器件结构只需改变外延时的掺杂参数，无需开发新的工艺方法。
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公开(公告)号：CN110993466B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201911274398.7
申请日：2019-12-12
Abstract: 本发明公开了一种蓝绿光窄带响应的高性能透射式光电阴极及其制备方法。该阴极由一端到另一端依次包括：光学选通膜，光学玻璃，增透膜，GaAlAs或GaAlAsP缓冲层，Ga1‑yAlyAs或GaAs或GaAs1‑zPz发射层和Cs：O激活层；所述光学选通膜对蓝绿光波段进行选通，y的取值范围为0～0.4，z的取值范围为0～0.4。本发明通过在光学玻璃上形成光学选通膜对蓝绿光波段进行选通，提高了响应的信噪比，使得发射层可以使用直接带隙的低Al组分的GaAlAs或GaAs或GaAsP，显著地提高了阴极对蓝绿光的吸收率、电子迁移率和表面逸出几率，进而大大提高了阴极的量子效率。
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公开(公告)号：CN112908807A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110040605.3
申请日：2021-01-13
Abstract: 本发明涉及光电阴极技术领域，尤其涉及一种光电阴极及其应用。本发明提供的光电阴极，包括依次层叠设置的光电发射材料层、内表面增透膜、光入射窗和外表面增透膜；所述内表面增透膜包括层叠设置的高折射率材料层和低折射率材料层；所述内表面增透膜的层数≥2；所述高折射率材料层的折射率与所述低折射率材料层的折射率之间的差值≥0.2；所述光电发射材料层的光电发射材料中包括Sb元素和/或Te元素。本发明所述光电阴极在宽波段或特定波段具有较高的增透效果。
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公开(公告)号：CN109285894B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201811075622.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/812 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法，包括金刚石衬底；在金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有台面区域；单晶金刚石外延薄膜上设置有刻蚀区域；台面区域内设置有多通道沟道区域和刻蚀区域；多通道沟道包括二维空穴气导电层；刻蚀区域包含氧、氟或氮终端；源电极和漏电极处于台面区域的两侧；栅电极设置在源电极和漏电极之间的多通道沟道区域和刻蚀区域上，且栅电极同时设置在单晶金刚石外延薄膜上的刻蚀区域上。本发明的晶体管器件能够获得常关型特性，且不会损伤导电沟道的性能，同时多通道结构也能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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公开(公告)号：CN108977880A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810993970.4
申请日：2018-08-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种交叉拼接生长大面积单晶金刚石的方法，n个单晶金刚石拼接，n为大于等于2的正整数；其中，两两相邻单晶金刚石的待生长面不平行，且在相邻的待生长面上形成交叉点；在n个单晶金刚石的待生长面上同时生长出完整的大单晶金刚石。从交叉点开始生长连接两块金刚石单晶微观结构，然后逐步扩展至整个拼接斜面，实现两块金刚石的牢固连接并在拼接斜面形成单晶，为拼接生长完整大面积单晶金刚石提供了一种新的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108360065A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810327256.1
申请日：2018-04-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种生长单晶金刚石的方法及生长结构。其中，一种生长单晶金刚石的方法，包括如下步骤：步骤1、在清洗过的衬底表面生长一层具有择优取向多晶金刚石层；步骤2、在择优取向多晶金刚石层上继续生长单晶金刚石，得到单晶金刚石。解决了金刚石生长尺寸小，以及生长所得单晶金刚石内部应力大的问题。
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公开(公告)号：CN107331672A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710423435.0
申请日：2017-06-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/0224 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜及其阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN107326435A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710633558.7
申请日：2017-07-28
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B25/183 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种生长GaN的SiC衬底的剥离方法，通过在SiC衬底表层下形成氢层，然后再在形成氢层的SiC衬底表层上生成GaN单晶，由于在生长GaN的过程中，SiC衬底经历了一千多度的热氛围，注入到SiC衬底中氢层会在SiC衬底中横向连成一层气泡，最后采用激光沿SiC衬底形成的氢层切割将GaN和SiC衬底剥离出来，即可完成生长GaN单晶的SiC衬底的剥离，避免造成剥离过程中GaN单晶受损，本方法简单快捷，避免了直接通过激光切割将生长GaN和SiC衬底剥离，避免了SiC衬底材料的浪费，通过在SiC衬底表层下注入氢离子形成氢离子层，使得SiC衬底表层下的氢离子层处于富氢状态从而形成氢层，方法简单且形成氢层稳定。
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公开(公告)号：CN104911702B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510212841.3
申请日：2015-04-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法，按照以下步骤实施：步骤一、将纳米二氧化硅颗粒分散到酒精、异丙醇或者丙酮溶液中，制备得到纳米二氧化硅分散液；步骤二、将分散液滴到单晶金刚石衬底表面，通过旋涂使其在单晶金刚石衬底表面均匀分散；步骤三、通过反应离子刻蚀技术，刻蚀单晶金刚石衬底表面的纳米二氧化硅，形成自断裂的二氧化硅掩膜，使单晶金刚石衬底表面部分裸露；步骤四、通过在裸露的单晶金刚石衬底表面进行金刚石同质外延生长，并在二氧化硅掩膜上进行金刚石横向生长，即在衬底上生长出单晶金刚石薄膜，解决了现有采用同质外延生长法制备金刚石薄膜质量偏低的问题。
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公开(公告)号：CN104992975A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510254502.1
申请日：2015-05-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/0425 , H01L29/405 , H01L29/4175 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开一种金刚石功率晶体管及其制备方法，该晶体管包括氢终端金刚石、源电极、漏电极、栅介质和栅电极，该金刚石功率晶体管的源电极和漏电极采用环形结构；所述栅电极带有场板结构。本发明由于采用的是环形结构，可以有效地改善晶体管工作时的电流分布，有效的改善电场集中现象，从而可以明显提高器件的击穿电压。并且因为栅电极采用了场板结构，可以改善栅电极处的电流分布，从而可以进一步提高器件的击穿电压；该结构的金刚石功率晶体管，具有高的耐压能力，能够作用于高压高功率领域。
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