一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113718220A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202111028755.9

    申请日:2021-09-02

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/06

    摘要: 一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜及其制备方法,包括基片和碳基纳米薄膜;碳基纳米薄膜设置在基片上,基片为铝合金基片。包括以下步骤:步骤1:安装靶位;步骤2:关闭腔室盖子,调试磁控设备抽真空并设置好溅射的工艺参数;步骤3:设备的真空度达到生长的要求之后开始在铝合金基片进行碳和铝的共溅射的生长;步骤4:打开真空腔室盖板,将溅射生长结束的样品取出,得到铝掺杂碳基纳米薄膜。本发明铝掺杂碳制备碳基纳米薄膜,其通过晶粒位错滑移应变释放出sp3键的内应力,从而使得部分sp3杂化键向sp2杂化键转化,提高表面涂层的导电性降低微波传输中的损耗;由碳掺杂改性的机理分析,通过铝掺杂影响费米能级的位置进而可以有效降低二次电子发射系数。

    一种可调的柔性微波器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN111342184A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN202010113811.8

    申请日:2020-02-24

    摘要: 一种可调的柔性微波器件及其制备方法,包括柔性基底、铌镁酸铅-钛酸铅PMN-PT层、钛酸锶钡薄膜层和铜层;铌镁酸铅-钛酸铅PMN-PT层、钛酸锶钡BST薄膜层和铜层依次自下而上设置在柔性基底上,形成PMN-PT/BST/Cu多层薄膜复合结构。本发明提供的一种可调柔性微波器件及其制备方法可以使制备得到的柔性微波器件具有较好的可选择性地隔离不同频带、低损耗以及优良的柔韧性的特性,具有广阔的应用前景。