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公开(公告)号：CN118754065A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411033841.2
申请日：2024-07-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B21/072
Abstract: 一种制备公斤级氮化铝纳米片的方法及氮化铝纳米片，包括以下步骤：研磨原粉和溶剂搅拌至形成均匀的悬浊混合物；利用压力将悬浊混合物打入砂磨腔体；利用砂磨腔体的剪切力减薄研磨原粉，对砂磨完成的浆料进行溶剂和粉体分离；将分离出的粉体干燥处理后研磨收集。该技术方案针对公斤级氮化铝纳米片的制备提出了一种创新且高效的物理方法，该方法能够实现公斤级别的氮化铝纳米片生产，满足了工业应用中对于大量、高质量纳米材料的需求。利用砂磨腔体的剪切力和介质球的高能碰撞，显著提高了研磨效率，使得制备过程更加快速和可控。
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公开(公告)号：CN119202651A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202410899960.X
申请日：2024-07-05
Applicant: 西安交通大学 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
IPC: G06F18/213 , G01R31/12 , G06F18/2131 , G06F18/10 , G06V10/28 , G06V10/40 , G06V10/54
Abstract: 本发明属于特征参数提取技术领域，公开了一种超声波信号的特征参数提取方法及相关装置，方法包括：获取局部放电引发的超声波信号，得到的局放信号的相位分辩的局部放电PRPD谱图和时域图，根据局放信号的相位分辩的局部放电PRPD谱图得到放电参数的二维谱图；对局放信号的时域图运用小波变换处理，得到不同类型的局放时频谱图；对时频谱图进行灰度化得到灰度图，对二维谱图的统计特征、灰度图像的矩特征和纹理特征、放电脉冲的时频特征进行提取。本发明可以提供多维度互补且较为完备的特征参数，用于局部放电模式识别的输入，减少训练过程中引入的高维误差，提高训练效率。
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公开(公告)号：CN117098446A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310552079.8
申请日：2023-05-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 制备超大尺寸低损耗功耗柔性微波器件的方法及系统，包括：步骤1，选用氟晶云母片作为基底；步骤2，将步骤1中固定了柔性基底的托盘传送至磁控溅射氧化物室中，进行了YIG材料的沉积，得到大尺度柔性YIG薄膜；步骤3，将大尺度柔性YIG薄膜转送至金属室，在表面沉积金属层，得到柔性金属氧体薄膜；步骤4，将得到的柔性金属氧体薄膜进行光刻，制备得到柔性微波霍尔器件，并进行二次光刻，生长测试电极。本发明提供的柔性YIG材料及制作方法解决了YIG材料的只能在硬质基底上生长的困境。使其具有优异微波特性，在传统调控方式外还可以使用应力调控。解决了制备高质量YIG薄膜的制备困难的问题。
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公开(公告)号：CN114000103A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
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公开(公告)号：CN110202880B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910477178.8
申请日：2019-06-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: B32B19/08 , B32B19/04 , B32B27/28 , B32B27/36 , C23C14/28 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/35 , C23C14/58
Abstract: 一种柔性微波器件及其制备方法，包括柔性波导和柔性铁氧体薄膜；柔性铁氧体薄膜设置在柔性波导上表面；柔性波导表面开设有两条并行的S型槽道，柔性铁氧体薄膜位于S型槽道的中部；S型槽道的一端外接电磁波发生装置。本发明涉及的柔性微波器件结构简单、体积小、造价低、性能好。可用于制备隔离器、环行器、移相器、双工器、滤波器、微波介质天线和铁氧体开关等柔性微波信号处理器件，在微波通信、物联网、智能家电等领域具有重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118946251A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411033975.4
申请日：2024-07-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供基于镍基氧化物异质结的光控阻变存储器、制备方法及应用，包括基底、氧化物层、光敏层和顶电极；氧化物层、光敏层和顶电极依次自下而上沉积在基底上；氧化物层为镍基氧化物层，光敏层为有机光敏层。所述光电异质结中的镍基氧化物层具有金属绝缘转变性能，利于实现电阻控制。同时在可见光照射下能够实现材料阻值的可逆瞬态改变，可以完成数据的快速写入或读取。
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公开(公告)号：CN117135991A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311279231.6
申请日：2023-09-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种转角结合磁电单晶异质结的制备方法及磁电异质结，包括：在衬底上依次外延生长的单晶牺牲层和铁磁单晶层，得到单晶薄膜；将单晶薄膜粘合在长有电极的压电单晶基片上，测量外延衬底边沿与压电单晶基片边沿夹角，并扭转薄膜调整至所需角度；使用去离子水溶解单晶牺牲层以将外延衬底与目标薄膜分离，得到转角磁电异质结。本发明提供了一种转角磁电单晶异质结异质结构的制备工艺，可经由外延生长、薄膜转角结合与牺牲层溶解等步骤制备新型氧化物异质层状复合结构，以实现可编辑应力模式对目标薄膜磁性能的调控。
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公开(公告)号：CN114000103B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
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公开(公告)号：CN111020499A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911244800.7
申请日：2019-12-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种柔性微波铁氧体薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1，选用云母片作为基底，步骤2，将步骤1所准备的基底置于反应室内，进行铁氧体材料的沉积工作；步骤3，使用管式炉对薄膜进行后退火处理；步骤4，使用机械剥离的方式来分离薄膜和基底；本发明使用云母作为基底生长薄膜，因而制备的薄膜具有良好的柔性。本发明制备的薄膜线宽较低，且在经过管式炉后退火能够使线宽进一步降低。在不同弯曲条件下对铁氧体薄膜的微波特性进行了测试，验证了本发明方法可以制备出高质量的柔性微波铁氧体薄膜。
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公开(公告)号：CN119986170A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510410427.7
申请日：2025-04-02
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种电场传感器、制备方法及应用，包括压电材料层、阻变材料层和电极，阻变材料层设置在压电材料层表面，电极设置在阻变材料层表面；在施加外加电场时，压电材料层带动阻变材料层发生形变，改变阻变材料层自身的表面电阻。本发明通过融合压电‑阻变双模传感机制突破传统传感技术局限。基于微纳制造工艺构建的异质结构器件，实现了应变‑电荷协同耦合的电场响应模型，有效克服了传统装置在高精度、高灵敏度方面的技术短板。区别于常规机械耦合式传感器，采用脉冲激光沉积工艺在压电基板表面异质外延镍基氧化物功能层，构建具有宽动态响应范围和强场检测能力的微结构传感器，为高压输变电系统提供全时域电压状态感知解决方案。
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