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公开(公告)号:CN110372381A
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201910614504.5
申请日:2019-07-09
Applicant: 西安交通大学 , 广东捷成科创电子股份有限公司
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种织构化稀土改性铌镁酸铅-钛酸铅基压电铁电陶瓷材料及其制备方法,其组成由以下通式表达,[Rx-Pb(1-1.5x)][(Mg1/3Nb2/3)(1-y)Tiy]O3–avol.%BaTiO3;其中,0
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公开(公告)号:CN116924462A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310680399.1
申请日:2023-06-08
Applicant: 广东捷成科创电子股份有限公司 , 西安交通大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明公开了一种多孔钛酸钡微米片及其制备方法,包括以下步骤:步骤1、采用熔盐法制备前驱体A微米片;步骤2、将前驱体A与混合物B经磁力搅拌均匀混合后,采用熔盐法制备前驱体C微米片;步骤3、将前驱体C与混合物D经磁力搅拌均匀混合后,采用局部化学微晶转化法,得到混合物E;步骤4、将混合物E用去离子水浸泡、清洗,充分沉淀后倒掉上清液,加入硝酸,边超声分散边搅拌,之后静置浸泡;步骤5、将步骤4的沉淀物倒入硝酸溶液中,边超声分散边搅拌,之后静置;步骤6、将步骤5中的沉淀物多次清洗,得到混合物F,随后将混合物F烘干,得到多孔钛酸钡微米片。本发明实现了一种多孔钛酸钡微米片,具有设备简单、成本低廉的优点。
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公开(公告)号:CN113754433A
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN202111075540.2
申请日:2021-09-14
Applicant: 西安交通大学 , 广东工业大学 , 广东捷成科创电子股份有限公司
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印技术的压电铁电陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1、制备铅基或无铅压电铁电陶瓷预烧粉体;步骤2、将所述铅基或无铅压电铁电陶瓷预烧粉体制成3D打印压电铁电陶瓷浆料,并加入陶瓷预烧粉体x%的模板,1<x≤5;步骤3、通过3D打印光固化工艺,实现模板在粉体中的定向排列,制备得到3D打印压电铁电陶瓷生坯;步骤4、将3D打印压电铁电陶瓷生坯进行脱脂、烧结,得到所述的基于3D打印技术的具有织构度的压电铁电陶瓷材料。本发明实现了将3D打印工艺中刮刀刮平的方式运用于定向排列模板,能够将一定尺寸的模板横向分布在每层固化的坯体中,使压电铁电织构陶瓷的制备方法不再限于传统的流延法。
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公开(公告)号:CN110342935A
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201910538174.6
申请日:2019-06-20
Applicant: 广东捷成科创电子股份有限公司 , 西安交通大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/636
Abstract: 本发明属于铁电压电功能材料技术领域,公开了一种Sm改性铌镁酸铅-钛酸铅基压电铁电厚膜材料,分子式为[Smx-Pb(1-1.5x)][(Mg1/3Nb2/3)(1-y)Tiy]O3,其中0
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公开(公告)号:CN210431876U
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201920965202.8
申请日:2019-06-25
Applicant: 广东捷成科创电子股份有限公司 , 西安交通大学
IPC: H04R17/00
Abstract: 本实用新型公开了一种高声压的压电式声频器件,包括塑壳、塑盖和压电声频元件,塑壳的底部设有出音孔,塑壳的内侧为阶梯状式结构,分别设有环形的凸台以及环形的第一卡位槽;压电声频元件的直径介于凸台的内径与外径之间;塑盖设有两个导针,塑盖的外侧设有环形的第一卡位,第一卡位与第一卡位槽相吻合;塑盖的底部下端面为环形结构,下端面与凸台相吻合。通过本实用新型实现不需要借助硅胶等粘性物质,将塑盖和塑壳通过自扣式的卡位固定,从而使压电声频元件稳固的固定在塑壳内部。并通过优化压电式声频器件的腔体结构,以提高压电式声频器件的声压。
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公开(公告)号:CN113264766A
公开(公告)日:2021-08-17
申请号:CN202110634038.4
申请日:2021-06-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电薄膜材料及其制备方法,无铅压电薄膜材料的化学通式为:(1‑x%)(Bi0.5Na0.5)TiO3‑x%BaZrO3;包括,将BNT‑xBZ前驱体溶液陈化,得到溶胶;将溶胶均匀旋涂在基片上,得到湿膜;对湿膜进行热解,烧结处理,得到中间薄膜;在中间薄膜上,重复旋涂溶胶,热解及烧结处理,得到预设厚度的薄膜;对预设厚度的薄膜进行退火热处理,得到所述的无铅压电薄膜材料;本发明通过在(Bi0.5Na0.5)TiO3基体中引入BaZrO3,构建了独特的准同型相界,即弛豫‑铁电相界;位于弛豫‑铁电相界的薄膜组分压电活性增强,在电场作用下产生可逆的场致相变效应,从而获得显著提高的应变性能,其应变及压电性能远超现有的铅基材料。
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公开(公告)号:CN119984583A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202510143287.1
申请日:2025-02-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本申请公开了一种触觉传感器及机械手,属于传感器领域。该触觉传感器包括:摩擦电层、电极层以及压阻层;摩擦电层、电极层以及压阻层层叠设置,电极层位于摩擦电层与压阻层之间;电极层包括基体层、摩擦电极、温度层以及压阻电极;摩擦电层、温度层以及压阻电极均设置于基体层,摩擦电极朝向摩擦电层,压阻电极朝向压阻层;压阻层包括压阻基体以及设置于压阻基体的压阻凸起,压阻凸起朝向电极层,压阻凸起用于与压阻电极抵接,且压阻凸起可形变;在压阻凸起与压阻电极接触的情况下,压阻凸起形状变化,压阻凸起与压阻电极接触的面积变化,压阻电极检测的电阻变化。
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公开(公告)号:CN118169433A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410285119.1
申请日:2024-03-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种亚纳米尺度硅(111)原子台阶高度标准样板及其制备方法和应用,该标准样板包括:凹槽,所述凹槽位于所述标准样板的中间位置,所述凹槽内设有若干级规则排列的环形原子台阶,单级所述环形原子台阶的高度为300~350pm;两个定位标志,对称设于所述凹槽外檐的所述环形原子台阶的外侧,所述定位标志指向所述环形原子台阶的中心,用于快速确定待测台阶的位置。该标准样板能实现台阶总高度的可控性,使得标准样板的高度量值覆盖范围广,并且数值稳定,台阶高度可直接溯源至硅晶格常数,减小引入的测量不确定度,能够应用于校准扫描探针显微镜的Z轴位移测量偏差及Z向漂移,有利于提高扫描探针显微镜的测量准确性。
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公开(公告)号:CN113233891A
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN202110634035.0
申请日:2021-06-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电陶瓷材料及其制备方法,包括:分别称取氧化铋、碳酸钠、二氧化钛、碳酸钡及五氧化二铌,研磨混合后,得到一次球磨粉体;对一次球磨粉体进行预烧,得到预烧片;对预烧片进行二次研磨,得到二次球磨粉体;利用二次球磨粉体进行造粒,压制,得到素胚;对素胚进行等静压压片处理,得到二次压片成型素胚;本发明通过在BNT‑6BT基体中,引入具有反铁电特性的NN,重新构建了具有高活性的弛豫相与铁电相共存的相界,在电场作用下弛豫相能够更容易快速向铁电相发生翻转,获得较高的应变性能;组分稳定性及烧结条件较好,工艺条件易于控制,实用性较强,有利于工业化大规模生产。
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公开(公告)号:CN101729258B
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN200910219124.8
申请日:2009-11-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种模糊性可明确废除的并发签名方法,该方法称为可废除并发签名(RCS),RCS提供了废除算法,可废除并发签名RCS包含参数设定、签名产生、验证签名、确定签名者身份等步骤。该方法在双方交换签名时只需要产生一个keystone,根据公布的keystone可以明确地废除签名的模糊性,从而使双方交换的签名具备了标准签名的性质,消除了针对并发签名模糊性方面的各种可能攻击,使得签名的安全性得到大大的提高。
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