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公开(公告)号：CN113860873B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202111218230.1
申请日：2021-10-19
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/10 , H10N10/852 , H10N10/80
摘要： 本公开揭示了一种碲化铋热电器件的制备方法，包括：选取适量的Ni粉原料和C粉原料混合后球磨，获得Ni‑C混合粉料；在磨具中填入适量碲化铋粉料并进行预压，形成碲化铋热电材料层；将Ni‑C混合粉料干燥后填入磨具中，并均匀堆积在碲化铋热电材料层上进行二次预压，形成Ni‑C阻挡层；对碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层进行SPS烧结，冷却后获得碲化铋热电器件。本公开通过选用C原料部分代替Ni原料，能够在一定程度上减少Ni元素和Te元素在碲化铋热点材料层和阻挡层界面处的扩散和反应，在一定程度上能够抑制碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层界面处的劣化。
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公开(公告)号：CN113860873A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111218230.1
申请日：2021-10-19
IPC分类号： C04B35/515 , C04B35/622 , B22F3/02 , B22F3/14 , B22F7/02 , B22F9/04 , H01L35/34 , H01L35/16 , H01L35/02 , H01L35/28
摘要： 本公开揭示了一种碲化铋热电器件的制备方法，包括：选取适量的Ni粉原料和C粉原料混合后球磨，获得Ni‑C混合粉料；在磨具中填入适量碲化铋粉料并进行预压，形成碲化铋热电材料层；将Ni‑C混合粉料干燥后填入磨具中，并均匀堆积在碲化铋热电材料层上进行二次预压，形成Ni‑C阻挡层；对碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层进行SPS烧结，冷却后获得碲化铋热电器件。本公开通过选用C原料部分代替Ni原料，能够在一定程度上减少Ni元素和Te元素在碲化铋热点材料层和阻挡层界面处的扩散和反应，在一定程度上能够抑制碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层界面处的劣化。
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公开(公告)号：CN116693292B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310661743.2
申请日：2023-06-06
IPC分类号： C04B35/547 , H10N10/852 , H10N10/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/65
摘要： 公开了一种p型Bi2Te3基热电材料的制备方法及热电材料，方法包括以下步骤：以Bi，Cu，Sb，Te单质为原料，按照热电材料化学式Bi0.5Cu2xSb1.5Te3+x称量后混合，放入球磨罐中，其中，x的取值范围为0～0.15；球磨机球磨所述球磨罐中的原料得到粉料；球磨完成后的粉料采用SPS烧结法在真空加压条件下烧结形成p型Bi2Te3基热电材料。本方法显著提高电导率，通过高能球磨结合SPS烧结工艺，可以获得不同尺度的微纳米粉末。
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公开(公告)号：CN116693292A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310661743.2
申请日：2023-06-06
IPC分类号： C04B35/547 , H10N10/852 , H10N10/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/65
摘要： 公开了一种p型Bi2Te3基热电材料的制备方法及热电材料，方法包括以下步骤：以Bi，Cu，Sb，Te单质为原料，按照热电材料化学式Bi0.5Cu2xSb1.5Te3+x称量后混合，放入球磨罐中，其中，x的取值范围为0～0.15；球磨机球磨所述球磨罐中的原料得到粉料；球磨完成后的粉料采用SPS烧结法在真空加压条件下烧结形成p型Bi2Te3基热电材料。本方法显著提高电导率，通过高能球磨结合SPS烧结工艺，可以获得不同尺度的微纳米粉末。
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公开(公告)号：CN118431021A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410720354.7
申请日：2024-06-05
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01H33/66 , H01H33/666 , H01H33/664 , H01H33/02 , H01H33/18
摘要： 公开了一种弧压增强型发电机出口断路器的拓扑结构及开断方法，拓扑结构中，弧压增强型空气式断路器模块与快速真空断路器串联。其中，空气式断路器包括静触头、动触头和位于静触头和动触头之间的一侧的灭弧栅片，所述动触头采用多触指触头结构；弧压增强装置包括位于静触头和动触头之间且朝向所述灭弧栅片喷射气流的压缩气缸；阻尼元件并联所述空气式断路器。拓扑结构及开断方法能够加速发电机源故障电流快速过零，同时充分发挥真空断路器的快速介质恢复特性来开断电流，具有电弧电压高、开断速度快、通流容量足、完全环境友好等优势。
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公开(公告)号：CN118424508A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410895838.5
申请日：2024-07-05
申请人： 西安交通大学
摘要： 公开了一种低压母线监测系统，系统中，多个无线温度传感器安装于母线槽发热表面以自供电周期性地测量母线各发热点的温度数据并无线传输，导热底座一端连接母线槽的热点，另一端连接热发电芯片的热端以利用热传导将热点温度传导至热发电芯片的热端，温度传感元件导热连接导热底座以测量热点的温度数据，电路模块连接热发电芯片和温度传感元件以将电能变换和储存以及处理温度数据并无线发送；多个温度数据中继器无线通信连接无线温度传感器以接收温度数据；后台数据中心通信连接温度数据中继器，后台数据中心对温度数据进行显示以确定母线的发热情况，并在温度数据超出阈值时进行报警。
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公开(公告)号：CN117566695B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311562273.0
申请日：2023-11-22
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种P型碲化铋基材料及其制备方法，所述P型碲化铋基材料中掺杂有稀土元素，通过稀土材料、Sb源、Te源和Bi源经包括熔融、球磨和烧结制得所述P型碲化铋基材料。稀土元素的外层原子轨道，能够极大程度地改善基体相的能带结构。同时，利用稀土原子与Sb原子之间的大原子差，提供质量势场，增强声子散射几率，降低晶格热导率，稀土元素双重作用协同增强所述P型碲化铋基材料的热电性能。本发明提供的P型碲化铋基材料的制备方法简单，仅需原位掺杂稀土元素，即可获得高热电性能的P型碲化铋基材料，在优化碲化铋基热电材料性能方面提供了重要的技术指导。
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公开(公告)号：CN118274983A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410692573.9
申请日：2024-05-31
申请人： 西安交通大学
摘要： 公开了一种温差供电的无线温度传感器，导热部件可拆卸地安装于热源，导热部件包括可拆卸连接热源的螺母部分和自螺母部分顶部延伸的金属平面部分，热发电芯片容纳于第一凹槽中，热发电芯片包括紧贴于第一凹槽中的热端、相对于热端的冷端和输出电能的第一输出端，热发电芯片冷端与热端产生温差以供电，温度传感元件其容纳于第二凹槽中，温度传感元件包括输出温度的第二输出端，支撑件支承于金属平面部分，支撑件具有对齐第一凹槽的第三凹槽，第三凹槽限位热发电芯片；散热部件支承于支撑件上且接触冷端，电路模块包括连接第一输出端的电压输入端、连接第二输出端的无线发射电路和用于变换和储存电能的储能元件。
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公开(公告)号：CN118129899A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410288703.2
申请日：2024-03-13
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01J3/02
摘要： 公开了一种基于三光栅结构的窄带波长过滤光谱仪装置，装置中，第一透镜采集来自测量光对象的光束，第一转90°反射镜组位于第一透镜的光路上且将光束进行像转动90°反射，第二透镜位于第一转90°反射镜的光路上且采集光束，第二转90°反射镜位于第二透镜的光路上且将光束转动90°反射；日字型挡板位于第四透镜的光路上以过滤光束，第二光栅位于第五透镜的光路上且沿其波长光谱合束，狭缝位于第六透镜的光路上以通过光束并过滤展宽光，第三光栅采集来自第七反射镜的光束且沿其波长光谱二次展开，第八透镜位于第三光栅的光路上且聚焦来自第三光栅的光束，ICCD位于第八透镜的光路上以接收光束。
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公开(公告)号：CN113555857B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110781899.5
申请日：2021-07-09
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H02H7/26 , H01H33/664 , H01H85/02
摘要： 公开了一种基于弧压增强转移的快速熔断装置，所述快速熔断装置中，所述快速熔断装置包括主电流回路、熔断器支路、横磁电流回路、出线端A1和出线端A2，所述主电流回路包括高速机械开关，高速机械开关一端连接出线端A1，另一端连接所出线端A2，熔断器支路包括熔断器，熔断器并联所述高速机械开关，熔断器一端连接出线端A1，另一端连接所出线端A2，当经过熔断器的电流达到熔断电流时，熔断器的熔丝熔断，横磁电流回路为独立回路，其包括串联的预充电电容、电感和晶闸管以及并联预充电电容的续流二极管，电感的磁吹线圈置于高速机械开关断口旁边。
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