-
公开(公告)号：CN105841794B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201610317010.7
申请日：2016-05-12
申请人： 西安交通大学 , 苏州电器科学研究院股份有限公司
摘要： 本发明提供一种基于优化的耦合型光纤传感器平板超声源定位方法及系统。所述系统包括激光光源，耦合型光纤传感器，两个光电探测器，差分放大电路和数据采集系统；耦合型光纤传感器的一个输入端连接激光光源，两个输出端分别连接第一、二光电探测器，两个光电探测器的输出端依次连接差分放大电路和数据采集系统；耦合型光纤传感器包括光纤声发射传感器，封装V型槽和封装UV胶；耦合型光纤传感器由两条单模光纤过耦合形成，其两端分别通过UV胶封装在V型槽中；UV胶封装截止处为传感器耦合区起始处。所述方法提取A0模态两个频率分量的到达时间和传播速度，由一个平板超声信号计算得到超声源的计算距离，实现单个传感器的线性定位。
-
公开(公告)号：CN106019478B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201610317845.2
申请日：2016-05-12
申请人： 西安交通大学 , 苏州电器科学研究院股份有限公司
摘要： 本发明一种高灵敏度熔锥耦合型微纳光纤超声检测系统及其耦合器制作方法。所述耦合器制作方法包括如下步骤，步骤1，采用平行夹具固定两根单模光纤，经15‑30s的氢焰预热后，再进行熔融拉锥获得强耦合状态的微纳光纤耦合器；步骤2，卸去强耦合状态的微纳光纤耦合器两端的预拉力，以放松状态悬空于V型石英封装槽中进行固定封装；步骤3，将强耦合状态的微纳光纤耦合器的两端用粘贴剂固定至长条状V型石英封装槽内；粘贴剂充满V型石英封装槽的两端部，得到封装熔锥型微纳光纤耦合器，其两端粘贴剂之间的悬空部分为光耦合区。所述系统包括依次连接的激光光源、上述的耦合器、以及光电转换器、差分放大电路和示波器。
-
公开(公告)号：CN116693292B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310661743.2
申请日：2023-06-06
IPC分类号： C04B35/547 , H10N10/852 , H10N10/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/65
摘要： 公开了一种p型Bi2Te3基热电材料的制备方法及热电材料，方法包括以下步骤：以Bi，Cu，Sb，Te单质为原料，按照热电材料化学式Bi0.5Cu2xSb1.5Te3+x称量后混合，放入球磨罐中，其中，x的取值范围为0～0.15；球磨机球磨所述球磨罐中的原料得到粉料；球磨完成后的粉料采用SPS烧结法在真空加压条件下烧结形成p型Bi2Te3基热电材料。本方法显著提高电导率，通过高能球磨结合SPS烧结工艺，可以获得不同尺度的微纳米粉末。
-
公开(公告)号：CN116693292A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310661743.2
申请日：2023-06-06
IPC分类号： C04B35/547 , H10N10/852 , H10N10/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/65
摘要： 公开了一种p型Bi2Te3基热电材料的制备方法及热电材料，方法包括以下步骤：以Bi，Cu，Sb，Te单质为原料，按照热电材料化学式Bi0.5Cu2xSb1.5Te3+x称量后混合，放入球磨罐中，其中，x的取值范围为0～0.15；球磨机球磨所述球磨罐中的原料得到粉料；球磨完成后的粉料采用SPS烧结法在真空加压条件下烧结形成p型Bi2Te3基热电材料。本方法显著提高电导率，通过高能球磨结合SPS烧结工艺，可以获得不同尺度的微纳米粉末。
-
公开(公告)号：CN105841794A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610317010.7
申请日：2016-05-12
申请人： 西安交通大学
CPC分类号： G01H9/004 , G01N29/14 , G01N2291/0234 , G01N2291/0237
摘要： 本发明提供一种基于优化的耦合型光纤传感器平板超声源定位方法及系统。所述系统包括激光光源，耦合型光纤传感器，两个光电探测器，差分放大电路和数据采集系统；耦合型光纤传感器的一个输入端连接激光光源，两个输出端分别连接第一、二光电探测器，两个光电探测器的输出端依次连接差分放大电路和数据采集系统；耦合型光纤传感器包括光纤声发射传感器，封装V型槽和封装UV胶；耦合型光纤传感器由两条单模光纤过耦合形成，其两端分别通过UV胶封装在V型槽中；UV胶封装截止处为传感器耦合区起始处。所述方法提取A0模态两个频率分量的到达时间和传播速度，由一个平板超声信号计算得到超声源的计算距离，实现单个传感器的线性定位。
-
公开(公告)号：CN113013315B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110166141.0
申请日：2021-02-05
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H10N10/852 , H10N10/01
摘要： 公开了N型银硫属化合物热电材料的制备方法及多孔块体，方法包括：热电材料的化学式为AgxSe1/3Te1/3S1/3，以Ag，Se，S，Te单质为原料，按照所述化学式称量后混合放入球磨机中，所述球磨机对称量配比后的原料球磨8h形成粉体材料；对粉体材料真空干燥以得到预定阈值的粉体材料，干燥真空度≤0.1Pa，干燥温度为60‑120摄氏度，第一梯度升温后总保温时间在18h以上；SPS烧结法在真空加压条件下对所述粉体材料进行烧结，其中，烧结温度为350℃‑450℃；压力为50‑65MPa；保温时间为10min，且烧结采用第二梯度升温，全程保压。
-
公开(公告)号：CN113860873B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202111218230.1
申请日：2021-10-19
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/10 , H10N10/852 , H10N10/80
摘要： 本公开揭示了一种碲化铋热电器件的制备方法，包括：选取适量的Ni粉原料和C粉原料混合后球磨，获得Ni‑C混合粉料；在磨具中填入适量碲化铋粉料并进行预压，形成碲化铋热电材料层；将Ni‑C混合粉料干燥后填入磨具中，并均匀堆积在碲化铋热电材料层上进行二次预压，形成Ni‑C阻挡层；对碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层进行SPS烧结，冷却后获得碲化铋热电器件。本公开通过选用C原料部分代替Ni原料，能够在一定程度上减少Ni元素和Te元素在碲化铋热点材料层和阻挡层界面处的扩散和反应，在一定程度上能够抑制碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层界面处的劣化。
-
公开(公告)号：CN106950441A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710081811.2
申请日：2017-02-15
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01R31/00
CPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明公开了一种用于在线检测变压器直流偏磁的传感器，包括U型异型磁芯，U型异型磁芯上分别缠绕有激励线圈和检测线圈，检测线圈缠绕于激励线圈外部，激励线圈与激励电流源相连。该传感器结合了磁通门技术设计了一款异型磁芯。当变压器内部磁场导入传感器后，利用磁通门技术检测出直流磁场，检测线圈感应得到电压，分离得到直流分量则可得到变压器内部直流磁通，通过对直流磁通的监测来判断变压器是否发生磁偏。
-
公开(公告)号：CN113860873A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111218230.1
申请日：2021-10-19
IPC分类号： C04B35/515 , C04B35/622 , B22F3/02 , B22F3/14 , B22F7/02 , B22F9/04 , H01L35/34 , H01L35/16 , H01L35/02 , H01L35/28
摘要： 本公开揭示了一种碲化铋热电器件的制备方法，包括：选取适量的Ni粉原料和C粉原料混合后球磨，获得Ni‑C混合粉料；在磨具中填入适量碲化铋粉料并进行预压，形成碲化铋热电材料层；将Ni‑C混合粉料干燥后填入磨具中，并均匀堆积在碲化铋热电材料层上进行二次预压，形成Ni‑C阻挡层；对碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层进行SPS烧结，冷却后获得碲化铋热电器件。本公开通过选用C原料部分代替Ni原料，能够在一定程度上减少Ni元素和Te元素在碲化铋热点材料层和阻挡层界面处的扩散和反应，在一定程度上能够抑制碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层界面处的劣化。
-
公开(公告)号：CN113013315A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110166141.0
申请日：2021-02-05
申请人： 西安交通大学
摘要： 公开了N型银硫属化合物热电材料的制备方法及多孔块体，方法包括：热电材料的化学式为AgxSe1/3Te1/3S1/3，以Ag，Se，S，Te单质为原料，按照所述化学式称量后混合放入球磨机中，所述球磨机对称量配比后的原料球磨8h形成粉体材料；对粉体材料真空干燥以得到预定阈值的粉体材料，干燥真空度≤0.1Pa，干燥温度为60‑120摄氏度，第一梯度升温后总保温时间在18h以上；SPS烧结法在真空加压条件下对所述粉体材料进行烧结，其中，烧结温度为350℃‑450℃；压力为50‑65MPa；保温时间为10min，且烧结采用第二梯度升温，全程保压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.047 秒)
