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公开(公告)号：CN110646384B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910905765.2
申请日：2019-09-24
申请人： 西安工业大学
摘要： 本发明涉及一种半导体材料电阻率光学测量方法，本发明的原理为：半导体材料对光子能量大于其禁带宽度的泵浦光束吸收后产生过剩载流子，过剩载流子经辐射复合后产生光子，光子在向前后表面传输的过程中被材料重新吸收，由于重吸收系数的大小与光子能量相关，加上光子传输路径的差别，前后表面被收集和测量光致发光谱不同。光子的重新吸收主要包含本证吸收和自由载流子吸收，自由载流子吸收的大小与半导体材料的掺杂浓度相关，因此可以通过分析计算前后表面收集的光致发光谱得到半导体材料的掺杂浓度，进一步由公式计算得到其电阻率的大小。本发明弥补了传统的四探针技术需要与样品接触的缺点，提高了半导体材料电阻率的测量精度。
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公开(公告)号：CN112987013A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110216314.5
申请日：2021-02-26
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G01S17/58
摘要： 本发明公开了一种膛内弹丸速度测量系统及测量方法，包括连续激光器，连续激光器的出射光侧依次同轴设置有第一反射镜，长焦透镜组和第二反射镜，其中第一反射镜中间带孔；第一反射镜的反射光路上设置有缩径透镜组；在缩径透镜组一侧设置有鉴频及光学探测组件，所述鉴频及光学探测组件依次包括同轴设置的窄带滤光片、固定腔Fizeau干涉仪、平凸透镜、柱面透镜和条纹相机，条纹相机与信号处理单元连接。本发明采用固定腔结构的Fizeau干涉仪作为鉴频器，结构简单，抗外界干扰能力强，测量中可免除对干涉仪的调节，提高测量效率；且生成的干涉条纹为线性条纹，经柱面透镜沿线条纹方向汇聚后极大地提高了激光能量利用率，不仅便于探测更有利于后续信号处理。
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公开(公告)号：CN109239023A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810986128.8
申请日：2018-08-28
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G01N21/63
CPC分类号： G01N21/636 , G01N2201/06113 , G01N2201/102
摘要： 本发明涉及一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法。解决现有半导体材料特性测量技术的不足的问题。本发明采用的方法1)将连续探测激光垂直照射到被测半导体样品表面，近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S0；2)将聚焦后的连续泵浦激光垂直照射到样品探测光照射区域中心位置，近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S1，所述的入射到样品表面的探测激光光束尺寸大于聚焦到样品表面的泵浦激光光束尺寸；3)处理步骤1)和步骤2)得到的透射探测光强空间分布成像结果S0和S1，即S＝(S1-S0)/S0；4)沿自由载流子吸收成像结果峰值位置截取距离峰值不同距离的测量数据，得到待测样品的多个特性参数。
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公开(公告)号：CN109239023B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201810986128.8
申请日：2018-08-28
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G01N21/63
摘要： 本发明涉及一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法。解决现有半导体材料特性测量技术的不足的问题。本发明采用的方法1)将连续探测激光垂直照射到被测半导体样品表面，近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S0；2)将聚焦后的连续泵浦激光垂直照射到样品探测光照射区域中心位置，近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S1，所述的入射到样品表面的探测激光光束尺寸大于聚焦到样品表面的泵浦激光光束尺寸；3)处理步骤1)和步骤2)得到的透射探测光强空间分布成像结果S0和S1，即S＝(S1‑S0)/S0；4)沿自由载流子吸收成像结果峰值位置截取距离峰值不同距离的测量数据，得到待测样品的多个特性参数。
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公开(公告)号：CN110646384A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910905765.2
申请日：2019-09-24
申请人： 西安工业大学
摘要： 本发明涉及一种半导体材料电阻率光学测量方法，本发明的原理为：半导体材料对光子能量大于其禁带宽度的泵浦光束吸收后产生过剩载流子，过剩载流子经辐射复合后产生光子，光子在向前后表面传输的过程中被材料重新吸收，由于重吸收系数的大小与光子能量相关，加上光子传输路径的差别，前后表面被收集和测量光致发光谱不同。光子的重新吸收主要包含本证吸收和自由载流子吸收，自由载流子吸收的大小与半导体材料的掺杂浓度相关，因此可以通过分析计算前后表面收集的光致发光谱得到半导体材料的掺杂浓度，进一步由公式计算得到其电阻率的大小。本发明弥补了传统的四探针技术需要与样品接触的缺点，提高了半导体材料电阻率的测量精度。
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公开(公告)号：CN107192933B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710325264.8
申请日：2017-05-10
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265
摘要： 本发明提供一种半导体材料载流子有效寿命测量方法，包括以下步骤：将光强周期性调制的连续探测激光注入稳定光学谐振腔，在腔内适当位置将被测半导体材料垂直探测光光轴放置，由探测器探测谐振腔衰荡信号，得到此时衰荡时间常数τ1；将光强稳定的连续泵浦激光入射到半导体材料表面相同位置，得到此时衰荡时间常数τ2；改变泵浦光光强，得到不同光强泵浦时衰荡时间常数，计算得到半导体材料载流子有效寿命τeff。本发明具有测量装置简单、成本低、精度高等优点。
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公开(公告)号：CN109142287A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810986640.2
申请日：2018-08-28
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G01N21/63
CPC分类号： G01N21/636
摘要： 本发明涉及一种基于光载流子辐射的半导体材料特性测量方法。解决现有半导体材料特性测量技术不足的问题。本发明的方法为1）函数信号发生器产生周期信号直接调制泵浦激光光源的驱动电压，将强度周期调制的激光经光束整形后均匀照射到样品表面，近红外相机探测并处理记录此时的光载流子辐射信号，得到锁相载流子辐射成像结果；2）将光束整形装置替换为光束聚焦装置，经调节后将光束聚焦到样品表面被测位置，样品产生光载流子辐射信号，经近红外相机探测并由计算机处理和记录此时的光载流子辐射信号，得到空间分辨光载流子辐射成像结果，通过对数据进行处理计算得到待测样品的特性参数；3）重复步骤2）得到待测样品不同指定位置处的特性参数。
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公开(公告)号：CN107192933A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710325264.8
申请日：2017-05-10
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265
CPC分类号： G01R31/2648 , G01R31/2656
摘要： 本发明提供一种半导体材料载流子有效寿命测量方法，包括以下步骤：将光强周期性调制的连续探测激光注入稳定光学谐振腔，在腔内适当位置将被测半导体材料垂直探测光光轴放置，由探测器探测谐振腔衰荡信号，得到此时衰荡时间常数τ1；将光强稳定的连续泵浦激光入射到半导体材料表面相同位置，得到此时衰荡时间常数τ2；改变泵浦光光强，得到不同光强泵浦时衰荡时间常数，计算得到半导体材料载流子有效寿命τeff。本发明具有测量装置简单、成本低、精度高等优点。
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公开(公告)号：CN220099176U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202321453554.8
申请日：2023-06-08
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/30
摘要： 一种用于大面积制备二维材料的气体传输装置，包括：真空管；输气管组，设置在真空管内，输气管组包括两气体传输单元，气体传输单元分别具有一进气端和一出气端，进气端与外部连通，气体传输单元通过出气端通出合成载气；调节件，调节件包括安装在真空管内的比例管，气体传输单元的出气端均与比例管连通，比例管内设置有分隔件，分隔件用于调节不同合成载气的通入量；气体混合箱，气体混合箱分别开设有进气口和出气口，进气口与比例管连通，进气口和出气口之间设置有絮流件；合成基底水平设置在出气口下方。本实用新型便于控制合成二维材料时相应的气体传输比例，避免因原子比例失调导致合成材料比例错误，增强了制备效果。
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公开(公告)号：CN220253170U
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202321453716.8
申请日：2023-06-08
申请人： 西安工业大学
IPC分类号： H01J29/58
摘要： 本实用新型提供了一种用于微光像增强器的多层结构防离子反馈膜，包括反馈膜基底，所述反馈膜基底平面上分别设置有反馈膜体，反馈膜体表面嵌有数个反馈膜透射蜂窝网孔，反馈膜基底侧边上设有微光像增强层膜，而上方外边上则连接着反馈膜夹层，通过反馈膜体的作用是反射微光并防止离子反馈。反馈膜透射蜂窝网孔可有效过滤掉离子反馈信号，并且让更多的微光能够透射到反馈膜体中。微光像增强层膜是多层结构防离子反馈膜的上层，可有效增强微光像的亮度和清晰度，通过氧化钛层膜是多层结构防离子反馈膜的一层，它的作用是增加反馈膜体的折射率，以提高反射效果。氧化锆层膜是多层结构防离子反馈膜的一层，它的作用是提高反馈膜体的透明性和稳定性。
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