公开(公告)号：CN106324470A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610960982.8

申请日：2016-10-28

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 李博乐 ,  周建勇 ,  陈红兵 ,  李金 ,  袁世顺 ,  涂戈

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2648

摘要： 本发明公开了一种测量CCD电荷转换因子的方法，该方法包括：使CCD光积分区保持在光积分，同时使CCD的电荷通道持续保持在导通状态，然后向CCD的输出控制栅和复位栅周期性地施加控制脉冲，使水平转移区周期性地向外输出信号；通过对CCD的输出信号进行处理来测量出电荷转换因子；本发明的有益技术效果是：提供了一种测量CCD电荷转换因子的方法，该方法不需要为CCD设计驱动时序，通用性强，操作简便。

公开(公告)号：CN103135046B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210518234.6

申请日：2012-12-05

申请人： 日本麦可罗尼克斯股份有限公司

发明人： 安田胜男 ,  增田光 ,  根井秀树

IPC分类号： G01R1/04 ,  G01R1/067

CPC分类号： G01R1/0408 ,  G01R1/06705 ,  G01R1/07307 ,  G01R31/26 ,  G01R31/2608 ,  G01R31/2648 ,  G01R31/2865

摘要： 本发明的课题为提供一种能够在晶片状态下对在晶片基板的两面具有电极的半导体器件的特性进行高精度测定的半导体器件的检查装置及其所使用的吸盘台。本发明通过提供如下的半导体器件的检查装置来解决上述课题，所述检查装置具有表面电极用探针以及背面电极用探针和吸盘台，在所述吸盘台的上表面，晶片保持部和导电性的探针接触区域相邻地配置，所述探针接触区域与所述晶片保持部电导通，所述表面电极用探与所述背面电极用探针在水平方向上相互隔着距离地配置，以使得在所述表面电极用探针在检查对象晶片内相对移动了时，所述背面电极用探针在所述探针接触区域内相对移动。

公开(公告)号：CN104603625A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380045934.0

申请日：2013-07-15

申请人： 西姆弗泰克有限责任公司

发明人： 罗伯特·尼切 ,  维尔纳·贝克尔

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2601 ,  G01R31/2635 ,  G01R31/2648

摘要： 一种用于检测包含在至少一个结构元件试样(1)中的至少一种材料的特性的检验装置(100)，该检验装置包括测量设备(10)，利用该测量设备能在结构元件试样(1)上检测电测量值；并且包括模拟与评价设备(20)，该模拟与评价设备被安置用于将如下的模拟函数匹配于电测量值，这些模拟函数包含作为参数的结构元件试样(1)的特征，其中，设置有输出设备(30)，该输出设备被安置用于从被匹配的模拟函数中输出材料特性，并且其中，另外设置有控制设备(40)，利用该控制设备能依赖于存储的、试样特定的控制函数来控制测量设备(10)和模拟与评价设备(20)中的至少一个。还描述了一种用于检测被包含在至少一个结构元件试样(1)中的材料的特性的方法。

公开(公告)号：CN103364638A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310119658.X

申请日：2013-04-08

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 亚历山大·沃罗诺夫 ,  李奭浩 ,  郑志宪 ,  许京会 ,  韩圭完

IPC分类号： G01R27/02 ,  G01N27/20

CPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/2648 ,  G01R31/265

摘要： 本发明公开一种硅薄膜的电导率测量方法、缺陷检测方法及缺陷检测设备。通过硅薄膜的电导率测量方法，以在传感器和样品之间具有气隙的方式将电容式传感器放置在硅薄膜样品的上方，在关闭激发光源组件的同时，利用电容式传感器测量气隙的大小，通过开启激发光源组件，使激发光照射到硅薄膜样品上，其中激发光是紫外光，利用电容式传感器测量硅薄膜样品的电导率变化，以及通过基于气隙大小的测量结果使电导率变化归一化，来消除由于气隙的偏差而导致的测量误差。

公开(公告)号：CN102955116A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210298666.0

申请日：2012-08-21

申请人： 布鲁克纳米公司

发明人： 陈东

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2648 ,  F21V29/83 ,  F21V2200/00 ,  F21Y2103/00 ,  G01R31/2656 ,  H05B31/00 ,  H05B2206/00

摘要： 本发明涉及一种由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备。利用在晶片级所采取的二极管模型和导电探针测量来预测由该晶片制造的半导体器件的特征参数。将表示作为电阻、理想因子、和反向饱和电流的函数的电流-电压关系的电流-电压曲线（I-V）模型拟合到多个导电探针测量数据。然后，通过从（I-V）模型减去由拟合该（I-V）模型产生的电阻乘以电流的积来估算器件的电流-电压曲线（I-Vd）。

公开(公告)号：CN101821638A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880110546.5

申请日：2008-09-03

申请人： 卡普雷斯股份有限公司

发明人： 德志·赫约斯·佩特森 ,  奥利·汉森

IPC分类号： G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/14 ,  G01R31/2648 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种通过利用多点探针进行多次测量，获得包括非导电区和导电或半导电测试区的试样电性能的方法。该方法如下步骤：提供磁力线垂直穿过测试区的磁场；将探针带入到测试区上的第一位置，探针的导电针头与测试区接触，测定每个针头相对非导电区和测试区之间分界线的位置；测定每个针头之间的距离；选择一个针头作为定位在用来测定试样中电压的导电针头之间的电流源，进行第一测量；移动探针并进行第二次测量；基于第一和第二测量计算测试区的电性能。

公开(公告)号：CN101044409B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580032281.8

申请日：2005-08-10

申请人： 美商立海顿电子公司

发明人： 奥斯汀·R·布卢 ,  迈克尔·W·布龙科 ,  史蒂文·C·墨菲 ,  丹·恩古延 ,  尼古拉·埃伯哈特 ,  杰尔姆·C·利西尼 ,  威廉·祖德弗利特

IPC分类号： G01R27/04 ,  G01R27/32

CPC分类号： G01R27/2652 ,  G01N22/00 ,  G01R31/2648

摘要： 一用于非接触地测量薄层电荷密度和迁移率的装置(10)包括一微波源(16)，一圆波导(50)，用于向在一测量位置的一样本(59)，如用于平板显示器的一半导体晶片或板，传输微波功率，用于检测该正向微波功率的一第一检测器(18)，用于检测从该样本反射的微波功率的一第二检测器(23)，和用于检测霍尔效应功率的一第三检测器(95)。还提供一自动定位子系统(700)，用以在该测试装置(10)内自动定位一晶片(59)。该定位系统(700)包括一第一末端效应器(706)和一旋转-提升器(704)。该第一末端效应器(706)可夹持一薄片元件并将它移动到该测试装置(10)内的一所需位置，同时该旋转提升器(704)提供该薄片元件(59)的一θ角度逐渐增加的调节，以允许勿需手动调节该薄片元件的位置即可自动绘制一完整的薄片元件的图。一第二末端效应器(716)可对着该第一末端效应器(706)安装，且可用于在位于装置(10)的一相对末端的一薄层电阻测验模块(718)内自动放置该薄片元件(59)。

公开(公告)号：CN101467057A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021474.2

申请日：2007-04-24

申请人： 卡普雷斯股份有限公司

发明人： 克里斯蒂安·莱特·彼得森

IPC分类号： G01R31/312

CPC分类号： G01R31/312 ,  G01R31/2648

摘要： 一种用于精确确定半导体表面(520)中浅层注入物的片电阻和漏电流密度的方法，该方法包括使用多个电极间隔集合对半导体表面(520)进行感应电流低于100μA的一个或多个四点电阻测量，至少一个集合的平均间隔低于100μm。通过将所测量的数据在预定误差范围内拟合到理论数据来确定片电阻和注入物泄漏。

公开(公告)号：CN100412561C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN03814804.8

申请日：2003-06-25

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： J·冯哈根

IPC分类号： G01R31/316

CPC分类号： G01R31/2858 ,  G01R31/2648 ,  G01R31/2853

摘要： 本发明涉及一种电致迁移测试装置，这种电致迁移测试装置具有一个直流电源(101)及一个交流电源(102)。此外，这种电致迁移测试装置还具有一个带有导电结构(100)的电路(104)，导电结构(100)与直流电源(101)及交流电源(102)均有连接。此外，这种电致迁移测试装置还具有一个可以量测呈现导电结构内的电致迁移的电参数用的量测装置。交流电源(102)提供给导电结构(100)的交流电能够将导电装置(100)加热至预定的温度，而且这个交流电不会受到直流电的影响。

公开(公告)号：CN1252463C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN02813535.0

申请日：2002-04-30

申请人： 勒海顿电子公司

发明人： J·C·利茨尼 ,  N·埃伯哈德特

IPC分类号： G01N22/00 ,  G01R27/08

CPC分类号： G01N22/00 ,  G01R31/2648 ,  H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 载流子浓度和迁移率的非接触式测量的装置包括：微波源；向位于测试位置的样品发送微波辐射的圆波导；检测正向微波功率的第一检测器；检测被样品反射的微波功率的第二检测器；检测霍尔效应功率的第三检测器。所述样品作为只传输TE11模式的圆波导的终端负载，样品的后面设置短路器。在垂直于样品平面的方向上施加磁场。其中，给定的TE11模式入射波引起两束反射波。一束是普通反射波，其极化方向与入射波相同。提供检测器来检测所述反射的辐射。另一束反射波是由霍尔效应引起的，其极化方向垂直于前一种反射波的极化方向，提供探头来检测所述另一束反射波。用探头检测所述另一束反射波，在单一检测器中将探头的输出与正向辐射中经过衰减和移相的部分相组合。