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公开(公告)号：CN114361255A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210118203.5
申请日：2022-02-08
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/167 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种双向精准击穿防爆晶闸管及其制备方法，所述的双向晶闸管分为A管和B管，其反向并联对称，A管阳极对应B管阴极，A管阴极对应B管阳极，A管和B管通过高阻P‑区实现隔离。A管从上往下，对应的B管为从下往上，依次设置阴极侧铝层，包括中心门极铝层、放大门极铝层以及阴极铝层，中心门极P+区和阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极高浓度P+区和阳极铝层。本发明晶闸管，在阳极P‑区与P+区之间，靠近中心线内置了较高浓度的内置N+区，寄生了PNP晶体管，其N‑基区设计为电场穿通型，可以实现双向晶闸管的防爆和精准击穿功能。主要应用于柔性直流输电系统中，保护并联的IGBT器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN217062107U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202220255489.7
申请日：2022-02-08
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/167 , H01L21/332
Abstract: 本实用新型提供了一种双向精准击穿防爆晶闸管，所述的双向晶闸管分为A管和B管，其反向并联对称，A管阳极对应B管阴极，A管阴极对应B管阳极，A管和B管通过正面隔离区和背面隔离区实现隔离。A管从上往下，对应的B管为从下往上，依次设置阴极侧铝层，包括中心门极铝层、放大门极铝层以及阴极铝层，中心门极P+区和阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。本实用新型晶闸管，在阳极P‑区与P+区之间，靠近中心线内置了N+区，等效为在A管和B管的阳极侧分别寄生了PNP晶体管，其N‑基区设计为电场穿通型，可以实现双向晶闸管的防爆和精准击穿功能。主要应用于柔性直流输电系统中，保护并联的IGBT器件。
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公开(公告)号：CN114400254A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210146872.3
申请日：2022-02-17
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种旁路晶闸管及其制造方法，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本发明结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本发明结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。
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公开(公告)号：CN115692489A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211317007.7
申请日：2022-10-26
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构及其制造方法，从上往下依次设置有阴极和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区正下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本发明由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。
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公开(公告)号：CN218730959U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222845340.7
申请日：2022-10-26
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本实用新型提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本实用新型由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。
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公开(公告)号：CN217062108U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202220321670.3
申请日：2022-02-17
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本实用新型提供了一种旁路晶闸管，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本实用新型结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本实用新型结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。
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