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公开(公告)号：CN114361255A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210118203.5
申请日：2022-02-08
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/167 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种双向精准击穿防爆晶闸管及其制备方法，所述的双向晶闸管分为A管和B管，其反向并联对称，A管阳极对应B管阴极，A管阴极对应B管阳极，A管和B管通过高阻P‑区实现隔离。A管从上往下，对应的B管为从下往上，依次设置阴极侧铝层，包括中心门极铝层、放大门极铝层以及阴极铝层，中心门极P+区和阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极高浓度P+区和阳极铝层。本发明晶闸管，在阳极P‑区与P+区之间，靠近中心线内置了较高浓度的内置N+区，寄生了PNP晶体管，其N‑基区设计为电场穿通型，可以实现双向晶闸管的防爆和精准击穿功能。主要应用于柔性直流输电系统中，保护并联的IGBT器件。
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公开(公告)号：CN217062107U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202220255489.7
申请日：2022-02-08
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/167 , H01L21/332
Abstract: 本实用新型提供了一种双向精准击穿防爆晶闸管，所述的双向晶闸管分为A管和B管，其反向并联对称，A管阳极对应B管阴极，A管阴极对应B管阳极，A管和B管通过正面隔离区和背面隔离区实现隔离。A管从上往下，对应的B管为从下往上，依次设置阴极侧铝层，包括中心门极铝层、放大门极铝层以及阴极铝层，中心门极P+区和阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。本实用新型晶闸管，在阳极P‑区与P+区之间，靠近中心线内置了N+区，等效为在A管和B管的阳极侧分别寄生了PNP晶体管，其N‑基区设计为电场穿通型，可以实现双向晶闸管的防爆和精准击穿功能。主要应用于柔性直流输电系统中，保护并联的IGBT器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107180866B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710451834.8
申请日：2017-06-15
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶闸管分支满布N+放大门极，从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区、N+型环形放大门极区、N+型枝条放大门极区、P型放大门极区、N+型主晶闸管有效阴极区、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点及边缘P型台面区，通过将N+型枝条放大门极区枝条内充满N+型杂质，使放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域不仅在门极中心周围的环形区域存在，而且随放大门极枝条深入并均匀分割主晶闸管阴极区域。充分扩展了辅助晶闸管的有效阴极，将门极触发电流放大更充分、分配输送到主晶闸管阴极深处的速度更快，对主晶闸管的触发强度和速度都增加、必使主晶闸管开通电流上升率di/dt耐量得到显著提高。
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公开(公告)号：CN107180866A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710451834.8
申请日：2017-06-15
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
CPC classification number: H01L29/1012 , H01L29/102 , H01L29/74
Abstract: 本发明提供了一种晶闸管分支满布N+放大门极，从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区、N+型环形放大门极区、N+型枝条放大门极区、P型放大门极区、N+型主晶闸管有效阴极区、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点及边缘P型台面区，通过将N+型枝条放大门极区枝条内充满N+型杂质，使放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域不仅在门极中心周围的环形区域存在，而且随放大门极枝条深入并均匀分割主晶闸管阴极区域。充分扩展了辅助晶闸管的有效阴极，将门极触发电流放大更充分、分配输送到主晶闸管阴极深处的速度更快，对主晶闸管的触发强度和速度都增加、必使主晶闸管开通电流上升率di/dt耐量得到显著提高。
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公开(公告)号：CN113506823A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110881031.2
申请日：2021-08-02
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74
Abstract: 本发明涉及一种非对称快速晶闸管，由四层三端组成，四层分别为P1层、N1层、P2层、N2层，三端分别G端、K端、A端，结构上设有中心门极、放大门极、放大门极延伸枝条、阴极、台面、中心隔离槽、隔离槽，根据正反向阻断电压不同，设计了不同的P1层和P2层，由于P1层较薄，使晶闸管的通态压降降低，提高通流能力，使dv/dt和di/dt耐量提高，尤其指出的是，由于P1区较薄，电子可以直接穿透阳极结消失，使关断时间大大缩短，广泛应用于中频电力电子装置中，提高了装置的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN215955288U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202121781179.0
申请日：2021-08-02
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74
Abstract: 本实用新型涉及一种非对称快速晶闸管，由四层三端组成，四层分别为P1层、N1层、P2层、N2层，三端分别G端、K端、A端，结构上设有中心门极、放大门极、放大门极延伸枝条、阴极、台面、中心隔离槽、隔离槽，根据正反向阻断电压不同，设计了不同的P1层和P2层，由于P1层较薄，使晶闸管的通态压降降低，提高通流能力，使dv/dt和di/dt耐量提高，尤其指出的是，由于P1区较薄，电子可以直接穿透阳极结消失，使关断时间大大缩短，广泛应用于中频电力电子装置中，提高了装置的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN206864475U
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201720696450.8
申请日：2017-06-15
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种晶闸管分支满布N+放大门极，从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区、N+型环形放大门极区、N+型枝条放大门极区、P型放大门极区、N+型主晶闸管有效阴极区、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点及边缘P型台面区，通过将N+型枝条放大门极区枝条内充满N+型杂质，使放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域不仅在门极中心周围的环形区域存在，而且随放大门极枝条深入并均匀分割主晶闸管阴极区域。充分扩展了辅助晶闸管的有效阴极，将门极触发电流放大更充分、分配输送到主晶闸管阴极深处的速度更快，对主晶闸管的触发强度和速度都增加、必使主晶闸管开通电流上升率di/dt耐量得到显著提高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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