-
公开(公告)号：CN113871485A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111154115.2
申请日：2021-09-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种无线弱能量收集用量子阱沟道MOSFET及其制备方法，在n‑MOSFET中引入具有高电子迁移率的应变量子阱沟道，同时通过近零阈值电压以及新的接线方式，使MOSFET在2.45G微波无线弱能量收集系统应用时，具有整流效率高、器件集成度高、工艺成本低的显著优势。
-
公开(公告)号：CN115623773A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211197404.5
申请日：2022-09-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H10B10/00 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L23/556 , H01L29/06 , G11C11/419
摘要： 本发明公开了一种基于复合结构SOI MOS抗辐照器件构成的SRAM存储单元，MOS管M1与M2串联，M1与M2的栅极短接，并与MOS管M5漏极相连，MOS管M3与M4串联，M3与M4的栅极短接，并与MOS管M6漏极相连，位线BL与分别与M6源极和M5源极相连接。该存储单元由复合结构SOI MOS抗辐照器件组成，成本低廉，工艺兼容性好，适用于抗辐照器件的大规模应用。
-
公开(公告)号：CN115472699A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211197402.6
申请日：2022-09-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L23/556 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种系PN结的复合结构MOS抗辐照器件及制备方法，包括衬底，衬底上通过掺杂P型杂质3*1018cm‑3形成有P阱区，P阱区上表面淀积一层SiO2层，衬底、P阱区以及SiO2层侧面为倒梯形沟槽，倒梯形沟槽为浅沟道隔离结构，SiO2层顶部为栅极，栅极外侧对称设置为牺牲保护层，栅极与牺牲保护层之间依次从下至上为本征硅、p型半导体、n型半导体以及引出金属AI，所述浅沟道隔离结构内侧为低能量浅结砷LDD和源漏区，源漏区上方紧贴本征硅，所述引出金属AI接地。在源漏极上栅极的侧壁增加对称结构PN结，紧贴源漏区上方依次为本征Si层，PN结，导出金属接地，整个器件在Si衬底上实现，与Si工艺兼容，利于集成与成本的控制。
-
公开(公告)号：CN113506802B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202110722554.2
申请日：2021-06-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8256
摘要： 本发明公开了一种直接带隙GeSn CMOS器件，包括：衬底层、Ge虚衬底、第一P型Ge层、隔离区、N阱、第二P型Ge层、本征Ge隔离层、沟道层、第一本征三元合金异质帽层、PMOS栅极、PMOS源漏区、N型Ge层、第二本征三元合金异质帽层、NMOS栅极、NMOS源漏区、介质层、源漏电极和钝化层；第一本征三元合金异质帽层的材料为SixGe1‑x‑ySny；其中，x的范围为0.1～0.15，y的范围为0.05～0.07；第二本征三元合金异质帽层的材料为SixGe1‑x‑ySny；其中，x的范围为0.1～0.15，y的范围为0.08～0.1；沟道层为本征DR‑Ge1‑zSnz层；其中，z的范围为0.12～0.18。本发明通过单边高势垒量子限域NMOS和量子阱PMOS组成的DR‑GeSn CMOS结构，能够利于NMOS器件沟道的开启，整个器件各层材料相同，NMOS与PMOS结构与工艺兼容性较佳。本发明还提供一种直接带隙GeSn CMOS器件的制备方法。
-
公开(公告)号：CN115497945A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211197520.7
申请日：2022-09-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/11 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L23/552 , H01L21/336 , H01L21/8244
摘要： 本发明公开了一种基于双抗辐照机制的SRAM及其制备方法，在SOI工艺的MOS器件上嵌入SBD结构形成新型MOS器件，新型MOS器件的两种抗辐照机制分别为SBD嵌入结构和SOI工艺中的绝缘SiO2埋层，把NMOS器件T1、T2、T3、T4、T5、T6通过金属互联线进行连接，构成一个SRAM储存单元，将T3、T4的漏极与高电位VDD连接，栅极与栅电位VGG相连；T1的源极接地，漏极与T3的源极和T2的栅极连接与a点；T2的源极接地，漏极与T4的源极和T1的栅极连接与b点，此时T1、T2、T3、T4共同构成了一个RS锁存器，再将T5NMOS管的漏极与a点相连，源极与位线相连；将T6NMOS管的漏极与b点相连，源极与位线相连，同时将嵌入的SBD的金属Al的金属端接地。本发明能够达到显著提高SRAM抗辐照性能的目的。
-
公开(公告)号：CN115411112A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211197397.9
申请日：2022-09-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L23/556 , H01L21/336
摘要： 一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法，包括单晶Si衬底，Si衬底表面为P型Si层，P型Si层侧面为沟槽，沟槽中填充SiO2材料，P型Si层表面为栅氧化层，栅氧化层表面为多晶硅，位于栅氧化层两侧的P型Si层上为轻掺杂的源漏区，轻掺杂的源漏区与SiO2材料之间的P型Si层处为重掺杂的源漏区，重掺杂的源漏区表面为金属导线层，轻掺杂的源漏区表面为Si侧墙，Si侧墙两侧为SiO2侧墙，Si侧墙表面为铝金属层，铝金属层表面为金属导线层，金属导线层表面为用于钝化电介质的SiN材料。本发明从器件角度解决了单粒子效应对器件逻辑状态的影响，实现了由该抗辐照MOS器为基本单元所搭建的集成电路能够在高辐射的环境中稳定工作，在漏端嵌入SBD工艺简单，制作成本低。
-
公开(公告)号：CN113506802A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110722554.2
申请日：2021-06-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8256
摘要： 本发明公开了一种直接带隙GeSn CMOS器件，包括：衬底层、Ge虚衬底、第一P型Ge层、隔离区、N阱、第二P型Ge层、本征Ge隔离层、沟道层、第一本征三元合金异质帽层、PMOS栅极、PMOS源漏区、N型Ge层、第二本征三元合金异质帽层、NMOS栅极、NMOS源漏区、介质层、源漏电极和钝化层；第一本征三元合金异质帽层的材料为SixGe1‑x‑ySny；其中，x的范围为0.1～0.15，y的范围为0.05～0.07；第二本征三元合金异质帽层的材料为SixGe1‑x‑ySny；其中，x的范围为0.1～0.15，y的范围为0.08～0.1；沟道层为本征DR‑Ge1‑zSnz层；其中，z的范围为0.12～0.18。本发明通过单边高势垒量子限域NMOS和量子阱PMOS组成的DR‑GeSn CMOS结构，能够利于NMOS器件沟道的开启，整个器件各层材料相同，NMOS与PMOS结构与工艺兼容性较佳。本发明还提供一种直接带隙GeSn CMOS器件的制备方法。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.024 秒)
