-
公开(公告)号：CN112736135B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110028079.9
申请日：2021-01-11
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/02 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底(1)、GaN沟道层(2)和InAlN势垒层(3)，InAlN势垒层(3)上同时设有源极(4)、漏极(5)和栅极(6)，该衬底采用晶面取向为(111)晶向的金刚石，以提高器件的散热能力；该GaN沟道层的厚度为20‑30nm；该InAlN势垒层的Al组分为80％‑85％，厚度为10‑15nm。本发明增强了器件的散热能力，降低了界面热阻，提高了器件的工作寿命和稳定性，简化了工艺条件，可用于高频、大功率微波毫米波器件的制备。
-
公开(公告)号：CN113764554A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110815527.X
申请日：2021-07-19
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及其制备方法，发光二极管自下而上包括：c面蓝宝石衬底1、高温AlN成核层2、非故意掺杂GaN层3、n型GaN层4、AlwGa1‑wN/AlxGa1‑xN多量子阱5、AlyGa1‑yN电子阻挡层6、高浓度p型层7、p型AlzGa1‑zN层8和p型电极9，n型GaN层4上部的一侧设有n型电极10，高浓度p型层7包含p型Si纳米线结构，p型Si纳米线结构包括多个均匀设置p型Si纳米线。本发明可以增大p型层中的空穴浓度，从而提高了空穴注入效率，提高了器件的发光效率，同时缓解droop效应。
-
公开(公告)号：CN113471343B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110802199.X
申请日：2021-07-15
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于ScAlGaN超强极化n型层的GaN绿光发光二极管及其制备方法，其自下而上包括：c面蓝宝石衬底、高温AlN成核层、非故意掺杂GaN层、第一n型GaN层、第二n型GaN层、InyGa1‑yN/GaN多量子阱、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型GaN层和p型电极，两个n型GaN层之间增设有超强极化n型层，第一n型GaN层上部的一侧设有n型电极，该超强极化n型层采用ScAlGaN/GaN多层结构，每个ScAlGaN层和它上面的GaN层组合为一个周期。本发明增大了n型层中掺杂Si的电离率同时缓解了电流拥挤效应，提高了器件的发光效率和可靠性，可用于制作高效率的GaN基绿光发光设备。
-
公开(公告)号：CN112397604B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011290925.6
申请日：2020-11-18
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于m面4H‑SiC异质外延非极性AlGaN/BN的PN结紫外探测器及制备方法，主要解决现有技术由量子限制斯塔克效应导致外量子效率下降和失配导致的外延层开裂问题。其自下而上包括：m面4H‑SiC衬底(1)和n型AlGaN外延层(2)；该n型AlGaN外延层采用Al组分为85％‑95％，掺杂浓度为1017‑1018cm‑3的AlGaN，其上同时设有掺杂浓度为1018‑1020cm‑3的p型BN外延层(3)和n型欧姆接触电极(4)；该p型BN外延层上设有p型欧姆接触电极(5)。本发明减小了材料的缺陷密度，提高了p型层空穴浓度，提升了器件的可靠性和外量子效率，可用于紫外探测设备中。
-
公开(公告)号：CN113764555A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110859939.3
申请日：2021-07-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于纳米图形插入层的AlN紫外发光二极管及其制备方法，所述AlN紫外发光二极管自下而上包括：图形蓝宝石衬底、AlN纳米图形插入层、AlN再生长层、n型AlN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型AlN层、p型GaN接触层、p型电极和n型电极；所述AlN纳米图形插入层的表现覆盖有Ag第一反光层和Ag第二反光层。本发明能够克服异质外延AlGaN/AlN基发光二极管中位错密度高、光提取效率低和光输出功率低的问题，制备出高性能的AlN紫外发光二极管。
-
公开(公告)号：CN113862780A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110939567.5
申请日：2021-08-16
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： C30B25/12 , C30B25/16 , C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种应用于MOCVD设备的可伸缩基座，所述基座包括：基体、压力传感器、伸缩杆、控制装置；其中，所述基体包括母材和涂层；所述基体内部均匀的分布多个伸缩杆；所述压力传感器位于所述伸缩杆顶部；所述控制装置位于所述基体底部中间；所述控制装置内部署有数据处理模块；所述控制装置、压力传感器和伸缩杆部署有通信模块。所述基座能够根据压力信息进行智能伸缩，能够解决在外延生长时由于温度升高导致衬底与基座发生分离的现象，能够保证基座与衬底实时保持贴合状态，从而使衬底各处能够均匀加热，使衬底各处的温度均匀分布，以提高外延生长得到的半导体材料的晶体薄膜质量。
-
公开(公告)号：CN113471343A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110802199.X
申请日：2021-07-15
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于ScAlGaN超强极化n型层的GaN绿光发光二极管及其制备方法，其自下而上包括：c面蓝宝石衬底、高温AlN成核层、非故意掺杂GaN层、第一n型GaN层、第二n型GaN层、InyGa1‑yN/GaN多量子阱、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型GaN层和p型电极，两个n型GaN层之间增设有超强极化n型层，第一n型GaN层上部的一侧设有n型电极，该超强极化n型层采用ScAlGaN/GaN多层结构，每个ScAlGaN层和它上面的GaN层组合为一个周期。本发明增大了n型层中掺杂Si的电离率同时缓解了电流拥挤效应，提高了器件的发光效率和可靠性，可用于制作高效率的GaN基绿光发光设备。
-
公开(公告)号：CN112736135A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110028079.9
申请日：2021-01-11
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/02 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底(1)、GaN沟道层(2)和InAlN势垒层(3)，InAlN势垒层(3)上同时设有源极(4)、漏极(5)和栅极(6)，该衬底采用晶面取向为(111)晶向的金刚石，以提高器件的散热能力；该GaN沟道层的厚度为20‑30nm；该InAlN势垒层的Al组分为80％‑85％，厚度为10‑15nm。本发明增强了器件的散热能力，降低了界面热阻，提高了器件的工作寿命和稳定性，简化了工艺条件，可用于高频、大功率微波毫米波器件的制备。
-
公开(公告)号：CN113764555B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110859939.3
申请日：2021-07-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于纳米图形插入层的AlN紫外发光二极管及其制备方法，所述AlN紫外发光二极管自下而上包括：图形蓝宝石衬底、AlN纳米图形插入层、AlN再生长层、n型AlN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型AlN层、p型GaN接触层、p型电极和n型电极；所述AlN纳米图形插入层的表现覆盖有Ag第一反光层和Ag第二反光层。本发明能够克服异质外延AlGaN/AlN基发光二极管中位错密度高、光提取效率低和光输出功率低的问题，制备出高性能的AlN紫外发光二极管。
-
公开(公告)号：CN113764554B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202110815527.X
申请日：2021-07-19
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及其制备方法，发光二极管自下而上包括：c面蓝宝石衬底1、高温AlN成核层2、非故意掺杂GaN层3、n型GaN层4、AlwGa1‑wN/AlxGa1‑xN多量子阱5、AlyGa1‑yN电子阻挡层6、高浓度p型层7、p型AlzGa1‑zN层8和p型电极9，n型GaN层4上部的一侧设有n型电极10，高浓度p型层7包含p型Si纳米线结构，p型Si纳米线结构包括多个均匀设置p型Si纳米线。本发明可以增大p型层中的空穴浓度，从而提高了空穴注入效率，提高了器件的发光效率，同时缓解droop效应。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.039 秒)
