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公开(公告)号：CN112736135B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110028079.9
申请日：2021-01-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底(1)、GaN沟道层(2)和InAlN势垒层(3)，InAlN势垒层(3)上同时设有源极(4)、漏极(5)和栅极(6)，该衬底采用晶面取向为(111)晶向的金刚石，以提高器件的散热能力；该GaN沟道层的厚度为20‑30nm；该InAlN势垒层的Al组分为80％‑85％，厚度为10‑15nm。本发明增强了器件的散热能力，降低了界面热阻，提高了器件的工作寿命和稳定性，简化了工艺条件，可用于高频、大功率微波毫米波器件的制备。
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公开(公告)号：CN113764554A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110815527.X
申请日：2021-07-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及其制备方法，发光二极管自下而上包括：c面蓝宝石衬底1、高温AlN成核层2、非故意掺杂GaN层3、n型GaN层4、AlwGa1‑wN/AlxGa1‑xN多量子阱5、AlyGa1‑yN电子阻挡层6、高浓度p型层7、p型AlzGa1‑zN层8和p型电极9，n型GaN层4上部的一侧设有n型电极10，高浓度p型层7包含p型Si纳米线结构，p型Si纳米线结构包括多个均匀设置p型Si纳米线。本发明可以增大p型层中的空穴浓度，从而提高了空穴注入效率，提高了器件的发光效率，同时缓解droop效应。
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公开(公告)号：CN113471343B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110802199.X
申请日：2021-07-15
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlGaN超强极化n型层的GaN绿光发光二极管及其制备方法，其自下而上包括：c面蓝宝石衬底、高温AlN成核层、非故意掺杂GaN层、第一n型GaN层、第二n型GaN层、InyGa1‑yN/GaN多量子阱、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型GaN层和p型电极，两个n型GaN层之间增设有超强极化n型层，第一n型GaN层上部的一侧设有n型电极，该超强极化n型层采用ScAlGaN/GaN多层结构，每个ScAlGaN层和它上面的GaN层组合为一个周期。本发明增大了n型层中掺杂Si的电离率同时缓解了电流拥挤效应，提高了器件的发光效率和可靠性，可用于制作高效率的GaN基绿光发光设备。
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公开(公告)号：CN112397604B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011290925.6
申请日：2020-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于m面4H‑SiC异质外延非极性AlGaN/BN的PN结紫外探测器及制备方法，主要解决现有技术由量子限制斯塔克效应导致外量子效率下降和失配导致的外延层开裂问题。其自下而上包括：m面4H‑SiC衬底(1)和n型AlGaN外延层(2)；该n型AlGaN外延层采用Al组分为85％‑95％，掺杂浓度为1017‑1018cm‑3的AlGaN，其上同时设有掺杂浓度为1018‑1020cm‑3的p型BN外延层(3)和n型欧姆接触电极(4)；该p型BN外延层上设有p型欧姆接触电极(5)。本发明减小了材料的缺陷密度，提高了p型层空穴浓度，提升了器件的可靠性和外量子效率，可用于紫外探测设备中。
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公开(公告)号：CN113764555A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110859939.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米图形插入层的AlN紫外发光二极管及其制备方法，所述AlN紫外发光二极管自下而上包括：图形蓝宝石衬底、AlN纳米图形插入层、AlN再生长层、n型AlN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型AlN层、p型GaN接触层、p型电极和n型电极；所述AlN纳米图形插入层的表现覆盖有Ag第一反光层和Ag第二反光层。本发明能够克服异质外延AlGaN/AlN基发光二极管中位错密度高、光提取效率低和光输出功率低的问题，制备出高性能的AlN紫外发光二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115064620B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210713333.3
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯组分YAlN/AlGaN超晶格p型层的高效深紫外发光二极管，主要解决现有深紫外发光二极管p型掺杂的Mg离化率小，导致发光效率低的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、n型层(4)、多量子阱层(5)、电子阻挡层(6)、p型层(7)和欧姆接触层(8)，其中p型层(7)采用三阶阶梯组分YAlN/AlGaN的超晶格，每一阶超晶格的周期数相同，YAlN的厚度相同，Al组分不变，AlGaN的厚度相同，Al组分递减。本发明能增强极化电场，有效提高Mg掺杂的离化率，提升载流子浓度和器件的发光功率及效率，可用于实现高性能的深紫外发光二极管及深紫外发光设备。
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公开(公告)号：CN115332333A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211010681.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/04 , H01L29/205 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaAs异质结的高电子迁移率晶体管，主要解决现有HEMT器件中异质结界面处由于极化效应较弱导致二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：GaAs衬底(1)、AlGaAs沟道层(2)、ScAlN势垒层(3)；该ScAlN势垒层的两端设有漏极(4)和源极(5)，中间设有栅极(6)，其漏、栅电极之间和源、栅电极之间淀积有Si3N4钝化层(7)。本发明选用AlGaAs材料作为沟道层并选用ScAlN超宽禁带材料作为势垒层，增大了ScAlN/AlGaAs异质结中的极化效应和带隙差，使整体二维电子气2DEG密度能维持在较高水平，可用来制备高频、大功率微波器件。
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公开(公告)号：CN115036310A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210712707.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/778 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN/YAlN/GaN异质结的CMOS器件及其制造方法，主要解决现有GaN基CMOS载流子浓度和迁移率低的问题。其自下而上包括：衬底、缓冲层、GaN n型沟道层、YAlN势垒层、GaN p型沟道层、p‑GaN层、绝缘栅介质层，中间设有深度至n型沟道层中部的隔离槽；隔离槽右侧的p‑GaN层上设有右栅电极，且YAlN势垒层两端设有右源、漏电极，形成n型场效应管；隔离槽左侧的绝缘栅介质层上设有左栅电极，其p‑GaN层两端设有左源、漏电极，形成p型场效应管，这两个场效应管互联。本发明能提升CMOS器件载流子浓度和迁移率，提高器件工作频率和输出功率，可用于全GaN功率系统。
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公开(公告)号：CN114361013A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111387283.6
申请日：2021-11-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/18 , H01L29/267 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法，方法包括：获取两片多晶金刚石，通过抛光将多晶金刚石的其中一面抛光成光滑面；获取GaN单晶晶片，通过抛光将GaN单晶晶片的两面均抛光成光滑面，其中，GaN单晶晶片的光滑面为非极性面；利用低温键合工艺将两片多晶金刚石的光滑面分别与GaN单晶晶片的两个光滑面进行键合，以得到横向多晶金刚石/GaN/多晶金刚石衬底。本发明改善了传统GaN外延衬底的散热能力，并能提高外延GaN的质量，并进一步提高了器件的工作寿命和稳定性，从而为器件在大功率下的工作奠定了基础，可用于制作高频、大功率GaN基HEMT器件。
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公开(公告)号：CN113862780A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110939567.5
申请日：2021-08-16
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: C30B25/12 , C30B25/16 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种应用于MOCVD设备的可伸缩基座，所述基座包括：基体、压力传感器、伸缩杆、控制装置；其中，所述基体包括母材和涂层；所述基体内部均匀的分布多个伸缩杆；所述压力传感器位于所述伸缩杆顶部；所述控制装置位于所述基体底部中间；所述控制装置内部署有数据处理模块；所述控制装置、压力传感器和伸缩杆部署有通信模块。所述基座能够根据压力信息进行智能伸缩，能够解决在外延生长时由于温度升高导致衬底与基座发生分离的现象，能够保证基座与衬底实时保持贴合状态，从而使衬底各处能够均匀加热，使衬底各处的温度均匀分布，以提高外延生长得到的半导体材料的晶体薄膜质量。
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