公开(公告)号：CN118343690A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410469676.9

申请日：2024-04-18

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王勇 ,  杨定怡 ,  张瑜 ,  王咏梅 ,  吴亦章 ,  郝跃

IPC分类号： C01B21/082 ,  B82Y40/00

摘要： 一种具有室温铁磁性的棕红色氧超掺杂氮化碳及其制备方法，所述氧超掺杂氮化碳为结晶纳米片结构，结晶纳米片在(002)晶面的晶格常数为#imgabs0#其结构隶属于六方晶系，P‑6m2空间群，所述氧超掺杂氮化碳中保留部分结构氧的同时，超量掺杂的氧取代原有的氮位点；该方法包括：首先将煅烧过的碳酰肼与共晶盐混合研磨，在氩氧混合气体中煅烧，最后使用去离子水清洗和烘干，得到棕红色氧超掺杂氮化碳粉末，该制备方法简单，可重复性高；通过本发明制备方法的制备得到的氧超掺杂氮化碳具有高结晶度、高居里温度和室温铁磁的特点。

公开(公告)号：CN118422325A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410507117.2

申请日：2024-04-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王勇 ,  杨定怡 ,  张瑜 ,  王少朋 ,  吴亦章 ,  郝跃

IPC分类号： C30B25/00 ,  H10N60/85 ,  H01F41/00 ,  H01F1/40 ,  C30B29/46 ,  C30B33/02

摘要： 本发明公开了一种二维磁性半导体CrSCl晶体及其制备方法和应用，通过真空化学气相传输法制备，以铬粉、二氯化铬和硫粉为原料，混合后真空密封在石英安瓿瓶中，使用双温区管式炉调整转料区和沉降区的温度，生长CrSCl晶体，生长完毕后获得块状CrSCl晶体；通过机械剥离法将块状CrSCl晶体剥离并转移至所需基底，氩气退火后获得干净且高质量的二维磁性半导体CrSCl晶体。本发明制备出的二维CrSCl晶体结晶质量好、重复性高、居里温度高和磁晶各向异性的特点，是下一代自旋电子器件和量子器件的新研究平台。

公开(公告)号：CN118581573A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410469858.6

申请日：2024-04-18

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王勇 ,  成梓萱 ,  杨定怡 ,  张瑜 ,  刘艳 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B29/64 ,  C30B23/00 ,  H01F1/00 ,  H01F41/00

摘要： 本发明公开了一种二维范德瓦尔斯室温铁磁量子材料及其制备方法和应用，该量子材料为二维纳米片晶体结构，属于层状范德华材料，其化学式为InCrTe3；二维InCrTe3晶体具有六边形结构，晶格常数#imgabs0#属于三方晶系，P3m1空间群；该方法包括：将In粉、Cr粉、Te粉与I2粉混合均匀，在真空密封条件下进行煅烧，通过程序控制双温区温度，使混合粉末中各组分之间发生充分反应，得到具有银白色金属光泽的InCrTe3晶体；对InCrTe3晶体进行剥离，随后转移到刚性基底上，在保护气体下退火，得到少层二维InCrTe3晶体，即二维范德瓦尔斯室温铁磁量子材料；本发明制备的二维InCrTe3晶体具有高结晶度、高居里温度和高饱和磁化强度的特点，能够应用在自旋电子器件和量子器件上。