-
公开(公告)号：CN117174769A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311112228.5
申请日：2023-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓量子点材料及其制作方法，主要解决现有氧化镓量子量子点密度不均匀，材料质量差的问题。其自下而上包括衬底(1)、低温AlN成核层(2)、高温AlN层(3)、GaN层(4)和量子点(5)，该量子点采用Ga2O3材料，并通过控制TEG在载气N2的作用下的流速和O2的流速，使得三乙基镓TEG与O2反应生成Ga2O3，当Ga2O3与GaN之间产生的晶格失配时产生应力，并随着Ga2O3的继续生长应力不断积累，在GaN层上形成高为6nm‑12nm、宽为30nm‑70nm的等间隔三维岛状阵列结构。本发明提高了量子点的均匀性，提升了氧化镓量子点材料的质量，可用于制备高性能的紫外波段光电子器件。
-
公开(公告)号：CN111342935B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010143349.6
申请日：2020-03-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L1/00
Abstract: 本发明公开了一种面向QC‑LDPC码的高性能软判决译码方法，主要解决现有算法译码性能差与不易实现的问题。其实现方案为：根据乘性因子的值与信噪比有关的特性，对信噪比和乘性因子之间的关系进行MATLAB仿真，得到信噪比与乘性因子的对应关系；将对应关系进行最小二乘曲线拟合，得到乘性因子与信噪比的关系式α(s)；在译码迭代过程中，利用乘性因子α(s)及最小和译码算法更新校验节点消息；然后更新变量节点消息；结合校验节点更新信息和变量节点更新信息对译码消息进行判决；在达到最大迭代次数后，停止译码，输出译码结果。本发明提高了QC‑LDPC码的译码性能，便于实现，可用于对信息传递可靠性要求较高的通信系统场景。
-
公开(公告)号：CN119677125A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411751247.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓异质结MOSFET器件及制作方法，主要解决现有同类器件导通电阻高的问题。其包括：漏极(1)、Ga2O3衬底(2)、Ga2O3外延层(3)、注入有受主离子的Ga2O3层(4)，栅极(8)和源极(9)，其中注入有受主离子的Ga2O3层(4)上依次设有无意掺杂Ga2O3层(5)和AlGaO层(6)，以形成异质结；该AlGaO层(6)的中间设有沟槽，沟槽内壁上设有绝缘栅介质层(7)；栅极(8)位于该绝缘栅介质层的上部；源极(9)位于AlGaO层(6)的两端。本发明通过引入的异质结产生了二维电子气2DEG，提高了具载流子的迁移率，减小了导通电阻，提升了导通电流，可用作功率和高压开关器件。
-
公开(公告)号：CN118763141A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410734380.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种高质量ε‑Ga2O3外延薄膜的快速生长方法，主要解决现有ε‑Ga2O3外延薄膜结晶质量差、缺陷密度高及生长速率低的问题。其实现方案为：选取衬底并进行清洗；将清洗后的衬底放入MOCVD的反应腔内进行退火处理；向反应室同时通入O2和两种不同流入方式的N2，获得O原子、Ga原子及间歇性的Sn原子，通过Ga原子和Sn原子两者之间的金属交换机制，促进Ga原子与O原子的快速反应结合，以在退火后的衬底上生长ε‑Ga2O3外延薄膜，再对其进行冷却处理，完成外延薄膜的制备。本发明通过优化工艺参数显著降低了外延薄膜的缺陷密度，同时提升了薄膜的生长速率和结晶质量，可用于紫外光检测器和高频传感器的高效制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111342935A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010143349.6
申请日：2020-03-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L1/00
Abstract: 本发明公开了一种面向QC-LDPC码的高性能软判决译码方法，主要解决现有算法译码性能差与不易实现的问题。其实现方案为：根据乘性因子的值与信噪比有关的特性，对信噪比和乘性因子之间的关系进行MATLAB仿真，得到信噪比与乘性因子的对应关系；将对应关系进行最小二乘曲线拟合，得到乘性因子与信噪比的关系式α(s)；在译码迭代过程中，利用乘性因子α(s)及最小和译码算法更新校验节点消息；然后更新变量节点消息；结合校验节点更新信息和变量节点更新信息对译码消息进行判决；在达到最大迭代次数后，停止译码，输出译码结果。本发明提高了QC-LDPC码的译码性能，便于实现，可用于对信息传递可靠性要求较高的通信系统场景。
-
公开(公告)号：CN119640228A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411809172.3
申请日：2024-12-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种改善迁移率和载流子浓度的Sn掺杂β‑Ga2O3薄膜制备方法，主要解决现有β‑Ga2O3外延薄膜结晶质量差、不能兼具高迁移率和高载流子浓度的问题。其实现方案为：选取衬底并进行清洗；将清洗后的衬底放入MOCVD的反应腔内进行退火处理；使用N2作为Ga源和Sn源的载气，在气路通入周期内的不同阶段分别进行N2和O2的间歇性通入，为反应腔室提供间歇性的O原子、Ga原子和Sn原子，并通过这三种原子在高温退火后的衬底表面共同作用形成Sn掺杂的β‑Ga2O3薄膜，再对其进行冷却完成β‑Ga2O3薄膜制备。本发明不仅显著降低了外延薄膜的缺陷密度，而且有效提升了薄膜的电学性能，可用于制作高功率、高频电子器件。
-
公开(公告)号：CN118762266A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410984076.6
申请日：2024-07-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06V10/82 , G06N3/042 , G06N3/096 , G06N3/088 , G06N3/094 , G06N3/0464 , G06V10/764 , G06N3/084 , G06V10/80 , G06V10/40 , G06V10/25
Abstract: 本发明提出了一种基于跨模态知识迁移的SAR图像无监督目标检测方法，实现步骤为：获取训练样本集和测试样本集：构建基于跨模态知识迁移的目标检测网络模型并对其进行迭代训练；获取目标检测结果。本发明在对基于跨模态知识迁移的SAR图像无监督目标检测网络进行训练的过程中，通过对抗学习网络对特征提取器的参数进行更新，使特征提取器特别关注可见光图像和SAR图像的深层特征和共同特征，将学习到的知识从可见光图像迁移到SAR图像；同时由于通过引入中间域图像将一阶段复杂的任务分解成两阶段的简单子任务，引入权值参数将骨干网络损失函数改为加权版本，解决了中间域图像的离群问题，提高了目标检测精度。
-
公开(公告)号：CN118761908A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410984074.7
申请日：2024-07-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06T3/4053 , G06T5/50 , G06N3/045 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提出了一种基于交互注意力机制的SAR单视复图像的超分辨成像方法，实现步骤为：获取训练样本集和测试样本集；构建基于交互注意力机制的成像网络模型并对其进行迭代训练；获取SAR单视复图像的成像结果。本发明深度成像模块可以分别提取浅层特征图的局部特征和全局特征，并对提取的特征通过交互注意力机制进行了交互与融合，丰富了上下文信息，融合来自不同尺度的特征增强了图像的细节恢复效果，从而生成具有更多纹理信息、噪声更小的图像，同时预成像模块对下采样后的SAR单视复图像与其标签进行尺度对齐后进行浅层特征提取，可以在频域中较好地抑制噪声，增强有用信号的分辨率，提高了SAR单视复图像的成像分辨率。
-
公开(公告)号：CN116752232A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310794544.9
申请日：2023-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高载流子浓度重掺杂氧化镓外延薄膜的生长方法，主要解决现有重掺杂外延薄膜衬底使用成本高、缺陷密度高及载流子浓度低的问题。其实现方案为：选取蓝宝石衬底并进行清洗；将清洗好的衬底放入MOCVD的反应腔内进行预处理；通过改变反应室的温度、压强和反应源的比值，以在衬底上依次生长两层不同机理的缓冲层；再以GeH4为掺杂剂和催化剂，利用脉冲MOCVD法在第二缓冲层上外延浓度为1019cm‑3‑1020cm‑3的Ge重掺杂β‑Ga2O3薄膜，并对其进行退火处理，完成外延薄膜的制备。本发明降低了外延薄膜的缺陷密度和衬底使用成本，提高了载流子浓度，可用于功率器件和开关器件的制备。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.024 seconds)
