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公开(公告)号：CN112670695B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011530285.1
申请日：2020-12-22
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于无金工艺的微带传输线结构及制备方法，制备方法包括：选取半导体基片；在半导体基片上制备绝缘层；在绝缘层上制备钝化层；在钝化层上制备微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区以及未开孔的钝化层上进行光刻，以暴露微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区内依次制备第一微带金属层和第二微带金属层；在第一微带金属层侧壁、第二微带金属层上及第二微带金属层侧壁制备钝化层。本发明采用粘附性好的Ti金属材料作为第一层微带线金属，从而增大了接触面积，降低了接触电阻，且用Ti金属材料作为第一层微带线金属，所需制备的金属层的厚度将大大降低，从而本发明所制备的微带传输线结构不仅具有良好的微波特性，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN112670695A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011530285.1
申请日：2020-12-22
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于无金工艺的微带传输线结构及制备方法，制备方法包括：选取半导体基片；在半导体基片上制备绝缘层；在绝缘层上制备钝化层；在钝化层上制备微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区以及未开孔的钝化层上进行光刻，以暴露微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区内依次制备第一微带金属层和第二微带金属层；在第一微带金属层侧壁、第二微带金属层上及第二微带金属层侧壁制备钝化层。本发明采用粘附性好的Ti金属材料作为第一层微带线金属，从而增大了接触面积，降低了接触电阻，且用Ti金属材料作为第一层微带线金属，所需制备的金属层的厚度将大大降低，从而本发明所制备的微带传输线结构不仅具有良好的微波特性，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN112733477B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202011626803.X
申请日：2020-12-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/3308
摘要： 本发明公开了一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模修正方法，包括：获取原始经验基模型的所有第一参数值；根据固定值改变第一参数值得到第二参数值；根据第二参数值和第二参数值对应的第一参数值得到若干敏感参数；根据敏感参数得到不同栅压下的敏感参数的参数值；根据栅压和栅压下的敏感参数的参数值得到第一经验基模型；根据第一经验基模型的第二拟合值和实测值得到误差的拟合值；根据误差的拟合值和预设误差阈值得到第二经验基模型。本发明提供了一种针对经验基模型的准确性修正方法，主要提升经验基模型对器件直流的拟合精度，进一步提升经验基模型的大信号拟合精度，并且提升电路设计的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN115775963B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211355869.9
申请日：2022-11-01
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开了一种宽带多支节Gysel型功分器，其中，L1、L9、L10、L11、L15、L16和L8按顺时针方向依次连接形成闭合回路，L1与L8的连接处和信号输入端连接；L12、L13、L14和L11按顺时针方向依次连接形成闭合回路；L1、L2、L3、L7和L8按顺时针方向依次连接形成闭合回路，L4、L5、L6和L3按顺时针方向依次连接形成闭合回路；第一隔离电阻的两端分别与N1、N2连接，第二隔离电阻的一端连接至N3、另一端接地，第三隔离电阻的一端连接至N4、另一端接地，第四隔离电阻的一端连接至N5、另一端接地，第五隔离电阻的一端连接至N6、另一端接地。本发明能够降低插损、提高隔离度，还可以承受高功率，适合微波的高功率分配合成应用。
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公开(公告)号：CN113097679B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110262417.5
申请日：2021-03-10
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明涉及一种用于MMIC电路中的小型威尔金森功分器，包括介质层、附着在介质层一侧的金属导带层、以及附着在介质层另一侧的接地金属层，金属导带层包括：输入端口、至少2路传输微带线、输出端口、梯形结构微带线、矩形结构微带线、隔离模块，其中，输出端口的个数与传输微带线的路数相匹配，传输微带线的一端与输入端口连接，另一端与对应的输出端口连接；梯形结构微带线与输入端口连接；矩形结构微带线的个数与输出端口的个数相匹配，矩形结构微带线与对应的输出端口连接；隔离模块连接在相邻两个输出端口之间，隔离模块包括依次串接的第一隔离电容、隔离电阻和第二隔离电容。本发明的威尔金森功分器，缩小了威尔金森功分器的分支尺寸。
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公开(公告)号：CN112864561A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011584111.3
申请日：2020-12-28
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明公开了一种n路单片集总式功分器的拓扑结构及其设计方法，该拓扑结构包括电感L1和n个支路，n个支路包括电容C1至电容Cn、电阻R1至电阻Rn，其中，电感L1的一端连接输入端口，电容C1至电容Cn的一端也均连接输入端口，电感L1的另一端接地，电容C1至电容Cn的另一端对应连接输出端口1至输出端口n，电阻R1至电阻Rn‑1分别并接于相邻两个输出端口之间，电阻Rn的两端分别连接于输出端口1和输出端口n。本发明相比于其他功分器只使用了1个电感，总共使用元件为2n+1(n≥3)，能够以最少的元件实现n路功率分配，其中最简单的的2路和3路功分器仅仅分别由4和7个元件构成，因此能做到损耗最小和电路版图最小，实现高度集成。
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公开(公告)号：CN113820666B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202110882688.0
申请日：2021-08-02
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G01S7/282
摘要： 本发明公开了一种射频前端发射模块，包括依次连接的有源倍频器、功率放大器和移相器；有源倍频器包括依次连接的输入匹配网络、耦合网络、有源倍频核以及输出匹配网络，其中，耦合网络包括功分器网络和第一耦合器网络；移相器包括依次连接的第一开关网络、第二耦合器网络以及第二开关网络；第一开关网络的输入端连接功率放大器的输出端，第二开关网络的输出端为整个射频前端发射模块的输出端。本发明提供的射频前端发射模块大大提高了芯片集成度，减小了模块面积；且大大降低了各部分的级联损耗，有利于提升模块整体性能。
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公开(公告)号：CN115940832A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211356406.4
申请日：2022-11-01
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种应用于氮化镓Doherty功率放大器的线性化方法，通过在氮化镓Doherty功率放大器的前级增加一线性化前级驱动电路，以改善Doherty功率放大器的线性度；其中，线性化前级驱动电路包括有源偏置电路和驱动放大器，驱动放大器与氮化镓Doherty功率放大器连接；有源偏置电路设置于驱动放大器的前级，用于稳定驱动放大器的栅极电压，以使驱动放大器的工作状态偏置在弱C类。相比于传统的数字预失真技术，本发明的电路更加简单，且不需要高采样率的FPGA；相比于传统的模拟预失真技术，本发明不但能够明显提高氮化镓Doherty功放的线性度，还能提供额外的增益。
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公开(公告)号：CN112733477A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011626803.X
申请日：2020-12-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/3308
摘要： 本发明公开了一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模修正方法，包括：获取原始经验基模型的所有第一参数值；根据固定值改变第一参数值得到第二参数值；根据第二参数值和第二参数值对应的第一参数值得到若干敏感参数；根据敏感参数得到不同栅压下的敏感参数的参数值；根据栅压和栅压下的敏感参数的参数值得到第一经验基模型；根据第一经验基模型的第二拟合值和实测值得到误差的拟合值；根据误差的拟合值和预设误差阈值得到第二经验基模型。本发明提供了一种针对经验基模型的准确性修正方法，主要提升经验基模型对器件直流的拟合精度，进一步提升经验基模型的大信号拟合精度，并且提升电路设计的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN107958928A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711155479.6
申请日：2017-11-20
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/66431 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/7787
摘要： 本发明提供了一种基于横向沟道调制的GaN基增强型场效应晶体管，主要解决现有同类器件由隧穿引起的漏电和阈值电压不足的问题。其自下而上包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的两端设有源电极和漏电极，源电极和漏电极上设有金属互联层，AlGaN势垒层和GaN缓冲层上均设有多条隔开的纳米线沟道，AlGaN势垒层上设有凹槽和垂直于纳米线沟道的凹槽栅电极，凹槽栅电极以外的区域为钝化层，该SiN钝化层与凹槽栅电极之上设有SiN保护层，凹槽与凹槽栅电极之间设有HfO2介质层。本发明极大地减小了漏电，提高了GaN基器件的增强效果，可用于微波、毫米波通讯系统以及雷达系统的基本器件。
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