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公开(公告)号：CN112670695B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011530285.1
申请日：2020-12-22
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于无金工艺的微带传输线结构及制备方法，制备方法包括：选取半导体基片；在半导体基片上制备绝缘层；在绝缘层上制备钝化层；在钝化层上制备微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区以及未开孔的钝化层上进行光刻，以暴露微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区内依次制备第一微带金属层和第二微带金属层；在第一微带金属层侧壁、第二微带金属层上及第二微带金属层侧壁制备钝化层。本发明采用粘附性好的Ti金属材料作为第一层微带线金属，从而增大了接触面积，降低了接触电阻，且用Ti金属材料作为第一层微带线金属，所需制备的金属层的厚度将大大降低，从而本发明所制备的微带传输线结构不仅具有良好的微波特性，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN112670695A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011530285.1
申请日：2020-12-22
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于无金工艺的微带传输线结构及制备方法，制备方法包括：选取半导体基片；在半导体基片上制备绝缘层；在绝缘层上制备钝化层；在钝化层上制备微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区以及未开孔的钝化层上进行光刻，以暴露微带线金属开孔区；在微带线金属开孔区内依次制备第一微带金属层和第二微带金属层；在第一微带金属层侧壁、第二微带金属层上及第二微带金属层侧壁制备钝化层。本发明采用粘附性好的Ti金属材料作为第一层微带线金属，从而增大了接触面积，降低了接触电阻，且用Ti金属材料作为第一层微带线金属，所需制备的金属层的厚度将大大降低，从而本发明所制备的微带传输线结构不仅具有良好的微波特性，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN115775963A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211355869.9
申请日：2022-11-01
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开了一种宽带多支节Gysel型功分器，其中，L1、L9、L10、L11、L15、L16和L8按顺时针方向依次连接形成闭合回路，L1与L8的连接处和信号输入端连接；L12、L13、L14和L11按顺时针方向依次连接形成闭合回路；L1、L2、L3、L7和L8按顺时针方向依次连接形成闭合回路，L4、L5、L6和L3按顺时针方向依次连接形成闭合回路；第一隔离电阻的两端分别与N1、N2连接，第二隔离电阻的一端连接至N3、另一端接地，第三隔离电阻的一端连接至N4、另一端接地，第四隔离电阻的一端连接至N5、另一端接地，第五隔离电阻的一端连接至N6、另一端接地。本发明能够降低插损、提高隔离度，还可以承受高功率，适合微波的高功率分配合成应用。
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公开(公告)号：CN113820666A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110882688.0
申请日：2021-08-02
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G01S7/282
摘要： 本发明公开了一种射频前端发射模块，包括依次连接的有源倍频器、功率放大器和移相器；有源倍频器包括依次连接的输入匹配网络、耦合网络、有源倍频核以及输出匹配网络，其中，耦合网络包括功分器网络和第一耦合器网络；移相器包括依次连接的第一开关网络、第二耦合器网络以及第二开关网络；第一开关网络的输入端连接功率放大器的输出端，第二开关网络的输出端为整个射频前端发射模块的输出端。本发明提供的射频前端发射模块大大提高了芯片集成度，减小了模块面积；且大大降低了各部分的级联损耗，有利于提升模块整体性能。
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公开(公告)号：CN112733477B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202011626803.X
申请日：2020-12-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/3308
摘要： 本发明公开了一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模修正方法，包括：获取原始经验基模型的所有第一参数值；根据固定值改变第一参数值得到第二参数值；根据第二参数值和第二参数值对应的第一参数值得到若干敏感参数；根据敏感参数得到不同栅压下的敏感参数的参数值；根据栅压和栅压下的敏感参数的参数值得到第一经验基模型；根据第一经验基模型的第二拟合值和实测值得到误差的拟合值；根据误差的拟合值和预设误差阈值得到第二经验基模型。本发明提供了一种针对经验基模型的准确性修正方法，主要提升经验基模型对器件直流的拟合精度，进一步提升经验基模型的大信号拟合精度，并且提升电路设计的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN108428669B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201810186665.4
申请日：2018-03-07
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/8258 , H01L27/06
摘要： 本发明涉及一种三维异质集成系统及其制作方法，方法包括如下步骤：制备碳化硅基衬底层和碳化硅基外延层；在所述碳化硅基衬底层和所述碳化硅基外延层上分别制作背通孔，在所述碳化硅基外延层上生长至少一个无源器件，以及制备有源器件；使用苯并环丁烯聚合物将至少一个有源器件粘连在所述碳化硅基衬底层上；将所述碳化硅基衬底层和碳化硅基外延层键合连接；在所述有源器件和所述无源器件之间键合连接。本发明实施例，保证了器件工艺的可靠性，同时提高了器件制作的效率。
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公开(公告)号：CN108400123B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201810186672.4
申请日：2018-03-07
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种晶圆级异质集成高频系统以及制作方法，至少包括第一衬底、第二衬底、绝缘键合层、至少两个芯片；其中：所述第二衬底、绝缘键合层、至少两个芯片设置于第一衬底、第二衬底之间，包括与所述第一衬底连接的第一芯片和与所述第二衬底连接的第二芯片；所述绝缘键合层上设置有至少一个通孔，所述通孔侧壁涂覆有导电涂层；所述至少两个芯片中的一个与第一衬底连接，至少两个芯片中的另一个与第二衬底连接，且至少两个芯片通过所述通孔进行电连接；所述第一衬底和/或第二衬底上设置有晶圆间键合层对准材料；所述晶圆间键合层对准材料支撑连接所述第一衬底和所述第二衬底。本发明实施例，有效的提升系统集成度，实现小型化目标。
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公开(公告)号：CN108428669A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810186665.4
申请日：2018-03-07
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/8258 , H01L27/06
摘要： 本发明涉及一种三维异质集成系统的制作方法，包括如下步骤：制备碳化硅基衬底层和碳化硅基外延层；在所述碳化硅基衬底层和所述碳化硅基外延层上分别制作背通孔，在所述碳化硅基外延层上生长至少一个无源器件，以及制备有源器件；使用苯并环丁烯聚合物将至少一个有源器件粘连在所述碳化硅基衬底层上；将所述碳化硅基衬底层和碳化硅基外延层键合连接；在所述有源器件和所述无源器件之间键合连接。本发明实施例，保证了器件工艺的可靠性，同时提高了器件制作的效率。
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公开(公告)号：CN115775963B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211355869.9
申请日：2022-11-01
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开了一种宽带多支节Gysel型功分器，其中，L1、L9、L10、L11、L15、L16和L8按顺时针方向依次连接形成闭合回路，L1与L8的连接处和信号输入端连接；L12、L13、L14和L11按顺时针方向依次连接形成闭合回路；L1、L2、L3、L7和L8按顺时针方向依次连接形成闭合回路，L4、L5、L6和L3按顺时针方向依次连接形成闭合回路；第一隔离电阻的两端分别与N1、N2连接，第二隔离电阻的一端连接至N3、另一端接地，第三隔离电阻的一端连接至N4、另一端接地，第四隔离电阻的一端连接至N5、另一端接地，第五隔离电阻的一端连接至N6、另一端接地。本发明能够降低插损、提高隔离度，还可以承受高功率，适合微波的高功率分配合成应用。
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公开(公告)号：CN116956802A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310678057.6
申请日：2023-06-08
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/373 , G06F30/367 , G06F111/04
摘要： 本发明公开了一种宽带放大器芯片的匹配网络设计方法，包括：获取各个频点的晶体管特性等高线图，并选择合适的回退值，以获得晶体管的最优阻抗区域；对每一频点的最优阻抗区域采用多边形的形式近似代替，构建近似最优阻抗区域；基于设计指标结合近似最优阻抗区域构建匹配网络的复合约束条件；设置权重参数，同时选择合适的匹配网络拓扑结构和元件值计算复合约束条件的值，并根据计算结果对匹配网络和元件值进行优化；基于优化结果对设计的匹配网络进行仿真，若结果不满足设计要求，则返回重新调整权重参数，直至仿真结果满足设计要求。该方法可以精确控制阻抗轨迹，最大化宽带放大器的各项性能；且可以有效提升计算速度并简化实现过程。
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