公开(公告)号：CN116322247A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310427884.8

申请日：2023-04-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 高香香 ,  白皓宇 ,  常晶晶 ,  林珍华 ,  苏杰 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10K71/30 ,  H10K71/40 ,  H10K85/20 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明属薄膜晶体管器件掺杂技术领域，具体涉及一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法。本发明采用自组装的方式通过两种物质之间的相互作用力组装SWCNTs薄膜用于制备晶体管器件阵列，通过超强吸电子能力双三氟甲烷磺酰亚胺(TFSI)P型掺杂剂处理SWCNTs薄膜，能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件阈值电压，大幅提升SWCNTs薄膜晶体管器件的载流子迁移率和最大开态电流。本发明的有益效果在于，通过改变TFSI处理SWCNTs薄膜的温度和对器件进行退火处理能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂，在高性能SWCNTs薄膜晶体管器件领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN118376669A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410334348.8

申请日：2024-03-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 程鹏飞 ,  王莹麟 ,  白皓宇 ,  何晓川 ,  刘清华 ,  郝熙冬

IPC: G01N27/414 ,  G01N27/416 ,  G01V3/00

Abstract: 本发明涉及一种含水土质埋压人员痕量气体标志物探测装置，包括：仿生气腔、传感器阵列、气路控制模块和处理控制系统；仿生气腔包括直径逐渐增大的前腔、中腔和后腔；传感器阵列位于中腔内，包括若干个气体传感器，每个气体传感器均用于采集一种或多种痕量气体标志物以得到痕量气体标志物信号；气路控制模块与仿生气腔通过气路联通；处理控制系统处理痕量气体标志物信号，得到埋压人员信息。本发明通过若干个气体传感器组成传感器阵列，再根据采集到的痕量气体标志物信号进行处理和分析，得到埋压人员信息，相较于现有的检测手段，气体传感器的体积小、造价低廉、检测结果处理方便，受含水土质与复杂环境干扰小。

公开(公告)号：CN117305773A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311268328.7

申请日：2023-09-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 高香香 ,  白皓宇 ,  常晶晶 ,  张辉 ,  林珍华 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 一种热蒸发制备氧化镓薄膜的方法，包括以下步骤；步骤1，将Ga2O3源放入金属舟内，将金属舟置于真空蒸镀设备中的放入真空镀膜设备中；步骤2，将清洗、吹干后的衬底放在真空蒸镀设备内的基片上，放入真空蒸镀设备内抽真空；步骤3，调节蒸镀电流使得电流流经金属舟两边接点从而对金属舟进行加热，蒸发镓源；步骤4，当金属舟上通过的电流到达步骤3所述程度，升华的气态Ga2O3上浮并凝华于膜厚仪的检测设备，通过调控蒸镀电流间接控制蒸镀速率，蒸镀速率和蒸镀时间控制最后沉积形成的Ga2O3薄膜厚度；步骤5，薄膜沉积完成后，利用管式炉对所述Ga2O3薄膜进行退火处理；得到Ga2O3薄膜。本发明能够较为准确的控制薄膜厚度，成膜速率快、效率高，且薄膜生长机理简单。