公开(公告)号：CN116801704A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310951315.3

申请日：2023-07-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苏杰 ,  肖正懋 ,  陈子龙 ,  常晶晶 ,  林珍华 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明提供了一种AlBN基铁电隧道结器件及其制备方法，主要解决现有器件无法平衡存储性能以及进行非破坏性读取，导致器件性能不佳的问题。主要结构为金属/铁电/绝缘体/半导体叠层结构，从下至上包括重掺杂P型Si衬底以及依次生长沉积的SiO2绝缘层、AlBN铁电层和钛/金顶电极；其中AlBN铁电层为厚度小于5nm的AlBN薄膜，钛/金顶电极是钛层位于金层下的两层结构，钛层直接接触AlBN铁电层。本发明利用AlBN材料的高极化强度和铁电特性的优势调节肖特基势垒形成高阻态和低阻态，能够进一步压缩器件尺寸，并提升存储性能和可擦写次数，在铁电隧道结存储器方面具备广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN116960200A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310951204.2

申请日：2023-07-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苏杰 ,  肖正懋 ,  陈子龙 ,  常晶晶 ,  林珍华 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种基于AlBN铁电材料的深紫外探测器及制备方法，主要解决现有探测器材料带隙不够宽、暗电流较大导致器件性能不佳的问题。结构从下至上包括Al2O3衬底以及依次生长沉积的W底电极、AlBN光吸收层、SiO2介电层和HfO2紫外阻挡层，在光吸收层上的Ni顶电极，且Ni顶电极与SiO2介电层和HfO2紫外阻挡层之间被Ti/Au接触垫隔开；AlBN光吸收层和顶电极与底电极形成欧姆接触。本发明利用AlBN材料的宽带隙、强极化特性以及铁电特性的优势，通过调控铁电极化方向和外加偏压实现对探测器性能的调节；在深紫外光照下能够有效地分离和传输光生电子和空穴，且制备方法简单可行，具备广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN116908662A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310873679.4

申请日：2023-07-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 苏杰 ,  戚萧镕 ,  张孜鑫 ,  陈子龙 ,  施良 ,  肖正懋

IPC: G01R31/3185

Abstract: 本发明种公开了一种针对兼容时钟域OCC链的共享电路结构及捕获方法，主要解决现有方案的电路冗余问题。包括：一个8比特的共享OCC链、多个工作时钟信号输入端口以及与之一一对应的多比特OCC链数据有效控制寄存器、时钟信号输出端口、脉冲控制模块和时钟信号选择模块，其中OCC链数据有效控制寄存器串联在8比特的共享OCC链之后，脉冲控制模块由一个8比特并入串出寄存器、一个与门和一个时钟门控组成；通过OCC链共享减少电路的冗余，同时增加多比特OCC链数据有效控制寄存器保证其控制方面的灵活性。本发明能够在实现与MergeNCP法相同效果的同时，减少电路冗余，实现优化控制。