公开(公告)号：CN118824853A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410811540.1

申请日：2024-06-21

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 付裕 ,  钱鹏 ,  张金风 ,  任泽阳 ,  苏凯 ,  张景豪 ,  张进成 ,  何晓宁 ,  肖雨佳 ,  马尚 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/772

摘要： 本发明公开了一种高阈值电压增强型金刚石高压场效应晶体管的制备方法，包括：选取金刚石衬底并在金刚石衬底上同质外延生长未掺杂的本征金刚石层；在本征金刚石层的上表面的源极区域和漏极区域选择性生长重掺杂p型金刚石；对本征金刚石层和重掺杂p型金刚石的上表面进行氢化处理形成氢终端表面，并将氢终端表面转换为硅终端表面；刻蚀掉栅极区域以外的硅终端表面以形成氢终端表面；在氢终端表面和硅终端表面的上表面沉积钝化层并开设源极窗口和漏极窗口；在钝化层上表面的栅极区域制备栅极，在源极窗口和漏极窗口分别制备源极和漏极。本发明制备的增强型金刚石高压场效应晶体管兼具高阈值电压、高击穿电压和低导通电阻。

公开(公告)号：CN118053910A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410454354.7

申请日：2024-04-16

申请人： 西安电子科技大学 ,  陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 宋庆文 ,  王晨谕 ,  何晓宁 ,  汤晓燕 ,  刘科宇 ,  袁昊 ,  肖雨佳

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种体内条状接地埋层的SiC MOSFET及其元胞结构，元胞结构包括位于第一区域的接地埋层；第一区域自下而上依次包括漏电极、N型衬底、第一N型漂移区、接地埋层、第二N型漂移区、P型沟道区、N型源区、栅氧化层、栅电极、栅源隔离氧化层和源电极；接地埋层包括沿第一方向延伸的P型埋层和沿第二方向延伸的两个P型深柱。其中，P型埋层保证了器件的耐压能力，可以保留较多的电流通路，从而减小特征导通电阻；两个P型深柱保证了的反向恢复特性等动态特性，防止寄生的NPN晶体管开启。在包含多个元胞结构的SiC MOSFET中，接地埋层可以拼接形成P型屏蔽层，能够屏蔽部分栅漏电容、优化开关特性。

公开(公告)号：CN116581161A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310866242.8

申请日：2023-07-14

申请人： 西安电子科技大学 ,  陕西半导体先导技术中心有限公司

发明人： 宋庆文 ,  王晨谕 ,  李靖域 ,  袁昊 ,  汤晓燕 ,  张玉明 ,  何晓宁 ,  肖雨佳

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种带有非连续型P+屏蔽层的SiC UMOSFET及其制备方法，UMOSFET包括：衬底层；N型漂移层，位于衬底层的上表面；P‑掺杂区位于N型漂移层的表层中；N+掺杂区位于P‑掺杂区的表层中；多边形环形沟槽，位于N+掺杂区的四周，深度大于N+掺杂区和P‑掺杂区的厚度之和；多个屏蔽层，分别位于多边形环形沟槽的每个拐角处；P+柱，位于N+掺杂区的中部，贯穿N+掺杂区和P‑掺杂区，并延伸至N型漂移层之中。本发明还提供一种带有非连续型P+屏蔽层的SiC UMOSFET的制备方法。本发明的UMOSFET在保护沟槽底部氧化层不被击穿的同时提高了器件的电流通路，并减小了导通电阻。