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公开(公告)号：CN118969859A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043247.1
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/93 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/06
Abstract: 一种横向氮化镓基变容器结构及其制备方法，自下而上依次包括衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层和钝化层，在势垒层和沟道层上设置有若干个凹槽，凹槽底端穿透势垒层至沟道层中上部，凹槽内设置有阴电极，其余凹槽内设置阳电极，设置阳电极的凹槽中靠近阳电极一侧设置有P型注入区；制备方法为：先清洗衬底层并在衬底层上依次生长复合缓冲层、复合沟道层和势垒层，再在部分势垒至部分沟道层形成多个P型区，然后再利用刻蚀技术刻蚀势垒层至沟道层中上部形成多个凹槽，在凹槽中分别生长阴电极和阳电极，最后淀积钝化层；本发明在横向氮化镓基异质结结构上实现了多个变容二极管并联，具有变容范围大、并且与氮化镓基射频器件工艺兼容的特点。
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公开(公告)号：CN119789510A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411650458.1
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10D84/82 , H10D84/05 , H10D62/824
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓和砷化镓侧向单片异质集成射频芯片及其制备方法，包括背金属、衬底、氮化镓器件外延层、氮化镓器件电极漏极、氮化镓器件电极栅极、氮化镓器件电极源极、背通孔、砷化镓外延过渡层、砷化镓器件外延层、砷化镓器件电极源极、砷化镓器件电极栅极、砷化镓器件电极漏极；氮化镓和砷化镓外延材料和射频器件共用背金属和衬底，砷化镓射频器件通过在异质衬底氮化镓晶圆上选择区域挖槽外延生长砷化镓材料，并加工砷化镓器件的方式实现水平方向的单片异质集成；本发明可以使氮化镓和砷化镓射频器件具有极小的空间间距，减少了高频下长距离传输信号的损耗和寄生参数的影响，并且减小了芯片面积与芯片体积，减少了封装成本。
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公开(公告)号：CN119789509A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411650425.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10D84/82 , H10D84/05 , H10D62/824
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法，所述结构自下而上包括背金属、衬底、氮化镓器件外延层、键合介质层、砷化镓器件外延层、氮化镓器件电极源极、氮化镓器件电极栅极、氮化镓器件电极漏极、砷化镓器件电极源极、砷化镓器件电极栅极、砷化镓器件电极漏极、氮化镓背通孔、砷化镓背通孔、正面通孔、氮化镓外表面电极源极、氮化镓外表面电极漏极，砷化镓器件外延层上表面的电极根据需要进行互联，形成一定功能的集成电路。本发明可以使氮化镓和砷化镓射频器件的电极具有极小的空间间距，减少了高频下长距离传输信号的损耗和寄生参数的影响，并且减小了芯片面积与芯片体积，减少了封装成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119049962A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411160340.0
申请日：2024-08-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种透明氮化镓HEMT中欧姆接触电极的制备方法，其方法包括：在透明氮化镓晶圆材料上光刻源漏欧姆接触区域，对源漏区域进行欧姆凹槽刻蚀，淀积常规不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明的欧姆金属与沟道层氮化镓材料反应，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；酸洗去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明导电材料，与存在大量氮空位形成N型重掺杂的沟道层氮化镓材料和2DEG形成欧姆接触电极；本方法先沉积不透明欧姆金属，再沉积透明导电材料，透明材料通过N型重掺杂区域与2DEG沟道接触，解决了透明材料直接沉积在晶圆上难以形成良好欧姆接触的问题，降低了欧姆接触阻值，提高了透明氮化镓HEMT的输出电流，且工艺简单、易于实现、效果突出。
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公开(公告)号：CN118782614A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410855907.X
申请日：2024-06-28
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种基于还原技术实现的SnOx基反相器结构和制备方法。所述SnOx基反相器的器件结构包括:衬底；PMOS沟道层，NMOS沟道层，位于所述衬底上；PMOS漏电极，PMOS栅电极，PMOS源电极，位于所述PMOS沟道层上；NMOS漏电极，NMOS栅电极，NMOS源电极，位于所述NMOS沟道层上；保护介质层，位于所述NMOS沟道层、NMOS漏电极、NMOS源电极、NMOS栅电极上。所述制备方法包括在衬底层上淀积n型SnO2，对部分SnO2进行还原处理，形成SnO，呈现p型特性，进而基于所获得的n型SnO2和p型SnO进行栅、漏、源电极制备，获得SnOx基反相器。本发明的SnOx基反相器工艺步骤简单、制作成本低，性价比较高。
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公开(公告)号：CN119852846A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411677474.X
申请日：2024-11-22
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体管和砷化镓VCSEL异质三维集成器件结构和制作方法，属于半导体技术领域，所述器件结构自下而上包括：底层金属、N面反射镜、VCSEL发光区、P面反射镜、VCSEL键合金属、氮化镓器件键合金属、氮化镓衬底层、氮化镓外延层、金属通孔、氮化镓晶体管电极源极、氮化镓晶体管电极栅极和氮化镓晶体管电极漏极；所述器件基于金属键合实现三维异质垂直集成，从而得到氮化镓器件和砷化镓VCSEL三维集成材料结构和器件结构，并提出了可行的制备方法。
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公开(公告)号：CN118645525A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410681184.6
申请日：2024-05-29
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/07 , H01L29/872 , H01L21/335
Abstract: 一种增强型氮化镓HEMT器件及制备方法，器件自下而上依次包括衬底层、复合缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层一端上表面设置有漏电极，另一端设置有两个相邻凹槽，凹槽底端穿透势垒层至沟道层中上部，远离漏电极的凹槽内设置有第一源电极，靠近漏电极的槽内设置有第二源电极及材料层，材料层设置在靠近第一源电极的一侧，势垒层在漏电极与第二源电极之间的上表面设置有栅电极；制备方法包括：先清洗衬底并在衬底上依次生长复合缓冲层、沟道层和势垒层，再次清洗后进行台面隔离，并在势垒层上刻蚀两个凹槽至沟道层，然后淀积材料层，并生长第一源电极、第二源电极、漏电极及栅电极，最后淀积钝化层；本发明具有栅驱动能力强、刻蚀损伤低和成本低的特点。
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公开(公告)号：CN117038669A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310905376.6
申请日：2023-07-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L23/48 , H01L21/8252 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片结构，包括依次连接的氮化镓衬底层、氮化镓介质层、砷化镓介质层、砷化镓衬底层，氮化镓介质层、砷化镓介质层内均开设介质孔，氮化镓介质层、砷化镓介质层之间连接键合金属触点，氮化镓介质层连接氮化镓器件电极，砷化镓介质层连接砷化镓器件电极，氮化镓衬底层、砷化镓衬底层上均开设背通孔，氮化镓衬底层连接氮化镓衬底背金属，砷化镓衬底层连接砷化镓衬底上表面电极，氮化镓器件电极与砷化镓器件电极通过介质通孔、键合金属触点互联，且通过两个背通孔与氮化镓衬底背金属、砷化镓衬底上表面电极互联。能够实现高密度、高性能、多功能的氮化镓与砷化镓异质集成射频芯片。
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