-
公开(公告)号：CN117220632A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311022079.3
申请日：2023-08-14
申请人： 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
摘要： 本发明提供了一种具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件，涉及表面波器件技术领域。器件从下至上依次包括：衬底、压电薄膜、压电覆盖层；在压电薄膜内，从上表面自下设置有若干均匀分布的凹槽，且凹槽下表面与压电薄膜下表面不接触，在凹槽内嵌有叉指电极，叉指电极和凹槽高度相同；其中，叉指电极通过压电薄膜以及压电覆盖层的压电效应，完成信号的转换并以声表面波形式传播。该声表面波器件，能减小布拉格反射和声学散射，从而产生更剧烈的位移，SAW能被更有效的激发，能够有效提高叉指换能器的能量转换效率，增强机电耦合系数；同时更容易降低由于叉指电极表面和压电薄膜上表面暴露在空气中对器件特性产生的影响，降低损耗。
-
公开(公告)号：CN118782614A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410855907.X
申请日：2024-06-28
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/363
摘要： 本发明公开了一种基于还原技术实现的SnOx基反相器结构和制备方法。所述SnOx基反相器的器件结构包括:衬底；PMOS沟道层，NMOS沟道层，位于所述衬底上；PMOS漏电极，PMOS栅电极，PMOS源电极，位于所述PMOS沟道层上；NMOS漏电极，NMOS栅电极，NMOS源电极，位于所述NMOS沟道层上；保护介质层，位于所述NMOS沟道层、NMOS漏电极、NMOS源电极、NMOS栅电极上。所述制备方法包括在衬底层上淀积n型SnO2，对部分SnO2进行还原处理，形成SnO，呈现p型特性，进而基于所获得的n型SnO2和p型SnO进行栅、漏、源电极制备，获得SnOx基反相器。本发明的SnOx基反相器工艺步骤简单、制作成本低，性价比较高。
-
公开(公告)号：CN118263223A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410208588.3
申请日：2024-02-26
申请人： 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/60
摘要： 本发明涉及一种功率放大器和低噪声放大器三维集成电路及制备方法，集成电路包括：Ⅲ族氮化物体系、Ⅲ族砷化物体系、第一通孔、第一电极结构、第二通孔、第二电极结构、键合层和若干金属凸块，其中，第一电极结构位于Ⅲ族氮化物体系的一端，通过第一通孔连接控制电路；第二电极结构位于Ⅲ族砷化物体系的一端，通过第二通孔连接控制电路；键合层设置在Ⅲ族氮化物体系和Ⅲ族砷化物体系之间。本发明通过将Ⅲ族氮化物体系和Ⅲ族砷化物体系通过键合层键合在一起，同时实现功率放大器和低噪声放大器，减小了芯片的面积和封装模块之间的连线，从而减小了连线带来的寄生电感，进而减小了射频功率的损耗和延迟，提高了电路的高频性能。
-
公开(公告)号：CN118645525A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410681184.6
申请日：2024-05-29
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/07 , H01L29/872 , H01L21/335
摘要： 一种增强型氮化镓HEMT器件及制备方法，器件自下而上依次包括衬底层、复合缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层一端上表面设置有漏电极，另一端设置有两个相邻凹槽，凹槽底端穿透势垒层至沟道层中上部，远离漏电极的凹槽内设置有第一源电极，靠近漏电极的槽内设置有第二源电极及材料层，材料层设置在靠近第一源电极的一侧，势垒层在漏电极与第二源电极之间的上表面设置有栅电极；制备方法包括：先清洗衬底并在衬底上依次生长复合缓冲层、沟道层和势垒层，再次清洗后进行台面隔离，并在势垒层上刻蚀两个凹槽至沟道层，然后淀积材料层，并生长第一源电极、第二源电极、漏电极及栅电极，最后淀积钝化层；本发明具有栅驱动能力强、刻蚀损伤低和成本低的特点。
-
公开(公告)号：CN118473345A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410648367.8
申请日：2024-05-23
申请人： 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
摘要： 本发明提供了一种基于共面波导的金刚石基功率放大器和电子设备，包括依次连接的驱动级放大器、级间匹配网络和输出级放大器；驱动级放大器、级间匹配网络和输出级放大器的衬底材料均为金刚石；驱动级放大器、级间匹配网络和输出级放大器中的传输线采用共面波导结构，该功率放大器采用金刚石材料作为衬底，可以有效散热，进而提高功率放大器的效率和高温工作能力，另一方面使用共面波导结构，解决了金刚石衬底难以进行背通孔接地的问题，同时简化了制作工艺。
-
公开(公告)号：CN115985958A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211455577.2
申请日：2022-11-21
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管，包括：源极、漏极、栅极和由下至上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、氮化铝势垒层和氮化硅帽层；栅极设置在氮化硅帽层上；源极和漏极均穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层和氮化硅帽层的界面；或者源极和漏极一部分穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层和氮化硅帽层的界面，另一部分穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层内；源极和漏极的材料中含有金属硅化物。本发明还提供一种低欧姆接触GaN基异质结晶体管的制备方法。本发明能够降低基于氮化铝势垒层的射频器件的欧姆接触势垒，有效减小源极和漏极与二维电子气沟道之间的欧姆接触电阻，降低工艺复杂度的同时提高了器件的射频性能。
-
公开(公告)号：CN117038669A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310905376.6
申请日：2023-07-21
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/06 , H01L23/48 , H01L21/8252 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片结构，包括依次连接的氮化镓衬底层、氮化镓介质层、砷化镓介质层、砷化镓衬底层，氮化镓介质层、砷化镓介质层内均开设介质孔，氮化镓介质层、砷化镓介质层之间连接键合金属触点，氮化镓介质层连接氮化镓器件电极，砷化镓介质层连接砷化镓器件电极，氮化镓衬底层、砷化镓衬底层上均开设背通孔，氮化镓衬底层连接氮化镓衬底背金属，砷化镓衬底层连接砷化镓衬底上表面电极，氮化镓器件电极与砷化镓器件电极通过介质通孔、键合金属触点互联，且通过两个背通孔与氮化镓衬底背金属、砷化镓衬底上表面电极互联。能够实现高密度、高性能、多功能的氮化镓与砷化镓异质集成射频芯片。
-
公开(公告)号：CN117096180A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311018067.3
申请日：2023-08-14
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了具有线性度增强的氮化镓晶体管器件，自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层上方设有漏电极和栅电极，在沟道层与势垒层的界面中形成二维电子气；势垒层和沟道层一端设置有凹槽，凹槽底端位于沟道层中上部，凹槽顶端高于势垒层上表面，凹槽中设置有源电极Ⅰ、源电极Ⅱ和源电极Ⅲ，源电极Ⅰ、源电极Ⅱ和源电极Ⅲ和二维电子气的接触分别为欧姆接触、肖特基接触和欧姆接触。本发明还公开了该氮化镓晶体管器件的制备方法。通过在源极引入正向和反向两个肖特基势垒，使其与二维电子气形成肖特基二极管，使得在一定的Vgs范围内源极串联电阻基本不变，实测跨导gm变平坦，从而稳定栅对沟道电流的控制能力。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.044 秒)
