公开(公告)号：CN103125013B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180046456.6

申请日：2011-09-26

申请人： 诺发系统公司

发明人： 高举文 ,  拉杰库马尔·亚卡拉朱 ,  迈克尔·达内克 ,  雷威

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28556 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879

摘要： 一种用于处理基板的方法，其包括：提供基板，该基板包括金属层、设置在金属层上的介电层、以及形成在该介电层中的穿孔和沟槽中的至少一种；在第一沉积周期内，使用化学气相沉积法（CVD）沉积金属，其中第一沉积周期比金属沉积在金属层所需要的第一核化周期要长；在第二核化延迟周期前，停止第一沉积周期，其中第二核化周期为金属沉积在介电层上所必须的；执行沉积以及停止步骤N次，其中N为大于或等于1的整数；在执行步骤后，在比第二核化延迟周期长的第二沉积周期内，使用CVD沉积该金属。

公开(公告)号：CN103125013A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201180046456.6

申请日：2011-09-26

申请人： 诺发系统公司

发明人： 高举文 ,  拉杰库马尔·亚卡拉朱 ,  迈克尔·达内克 ,  雷威

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28556 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879

摘要： 一种用于处理基板的方法，其包括：提供基板，该基板包括金属层、设置在金属层上的介电层、以及形成在该介电层中的穿孔和沟槽中的至少一种；在第一沉积周期内，使用化学气相沉积法（CVD）沉积金属，其中第一沉积周期比金属沉积在金属层所需要的第一核化周期要长；在第二核化延迟周期前，停止第一沉积周期，其中第二核化周期为金属沉积在介电层上所必须的；执行沉积以及停止步骤N次，其中N为大于或等于1的整数；在执行步骤后，在比第二核化延迟周期长的第二沉积周期内，使用CVD沉积该金属。