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公开(公告)号：CN113270432B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202110125842.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种耀斑抑制图像传感器包括在衬底中形成的第一像素以及位于第一像素上方的折射元件。折射元件具有相对于衬底的顶表面的高度分布，高度分布在第一横截平面和第二横截平面中的每个中具有至少两个一维局部最高点，第二横截平面垂直于第一横截平面。第一横截平面和第二横截平面中的每个垂直于顶表面并且相交第一像素。
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公开(公告)号：CN111477642B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201911066767.3
申请日：2019-11-04
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 伊贤敏 , 姚敬明 , P·西泽多西欧 , E·韦伯斯特 , 毛杜立 , 林志强 , J·兰德杰夫 , 马渕圭司 , 凯文·约翰逊 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 林赛·格朗 , B·佛勒
IPC: H01L27/146 , G01S17/08
Abstract: 本申请案涉及用电感器进行栅极调制。一种传感器包含：光电二极管，其安置于半导体材料中以接收光及将所述光转换成电荷；及第一浮动扩散部，其耦合到所述光电二极管以接收所述电荷。第二浮动扩散部耦合到所述光电二极管以接收所述电荷，且第一转移晶体管经耦合以将所述电荷从所述光电二极管转移到所述第一浮动扩散部中。第二转移晶体管经耦合以将所述电荷从所述光电二极管转移到所述第二浮动扩散部中，且电感器耦合于所述第一转移晶体管的第一栅极端子与所述第二转移晶体管的第二栅极端子之间。所述电感器、所述第一栅极端子及所述第二栅极端子形成谐振电路。
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公开(公告)号：CN107895729B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201710905557.3
申请日：2017-09-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 毛杜立 , 特吕格弗·维拉森 , 约翰内斯·索尔胡斯维克 , 马渕圭司 , 陈刚 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 比尔·潘 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 林志强
IPC: H01L27/146 , H04N5/235 , H04N5/341
Abstract: 本发明揭示一种减少照明诱发的闪烁的图像传感器像素和一种成像系统。实例图像传感器像素可包含光电二极管、转移栅极、抗溢出栅极及第一及第二源极跟随器晶体管。所述光电二极管可捕获光且作为响应产生电荷，且所述光电二极管可具有电荷容量。所述转移栅极可将电荷选择性地转移到第一浮动扩散区，且当所述产生的电荷大于所述光电二极管电荷容量时，所述抗溢出栅极可将过量电荷选择性地转移到第二浮动扩散区。所述第一源极跟随器晶体管可通过栅极直接耦合到所述第一浮动扩散区，所述第一源极跟随器响应于第一行选择晶体管的启用选择性地输出第一信号到第一位线，且所述第二源极跟随器晶体管可电容耦合到所述第二浮动扩散区，所述第二源极跟随器响应于第二行选择晶体管的启用选择性地输出第二信号到第二位线。
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公开(公告)号：CN113206114A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110096758.X
申请日：2021-01-25
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 光捕获图像传感器包括像素阵列和透镜阵列。像素阵列形成在半导体衬底内和半导体衬底上，并且包括光敏像素，每个光敏像素包括反射材料，反射材料形成围绕半导体材料的一部分的腔以至少部分地捕获进入腔的光。腔在半导体衬底的光接收表面处具有顶板，并且顶板形成用于将光接收到腔中的孔。透镜阵列设置在像素阵列上。透镜阵列的每个透镜与相应腔的孔对准，以将光通过孔聚焦到腔中。
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公开(公告)号：CN112466898A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010895445.6
申请日：2020-08-31
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及具有减少的花瓣耀斑的图像传感器。一种图像传感器包含衬底材料、滤色片阵列、波导阵列及间隔物。所述衬底材料包含安置在其中的多个光电二极管。所述滤色片阵列被安置在所述衬底材料上方。所述波导阵列被安置在所述衬底材料上方。所述缓冲层被安置在所述衬底材料与所述滤色片阵列及所述波导阵列之间。所述间隔物被安置在所述滤色片阵列中的所述滤色片之间。所述间隔物被安置在所述波导阵列中的所述波导之间。入射光适于被限定在所述间隔物之间。所述入射光适于在被引导通过所述缓冲层进入所述衬底材料中的所述光电二极管中的一者之前被引导通过所述波导中的一者且通过所述滤色片中的一者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107895730A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201710905815.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H04N5/2355 , H04N5/35563 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H04N5/379
Abstract: 本申请案涉及一种堆叠式图像传感器，其包含第一多个光电二极管，所述第一多个光电二极管包含安置在第一半导体材料中的第一光电二极管和第二光电二极管。所述第一半导体材料靠近所述第一光电二极管的厚度小于所述第一半导体材料靠近所述第二光电二极管的厚度。第二多个光电二极管经安置在第二半导体材料中。所述第二多个光电二极管与所述第一多个光电二极管光学对准。互连层经安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间。所述互连层包含安置在所述第二光电二极管和包含于所述第二多个光电二极管中的第三光电二极管之间的光学屏蔽件。所述光学屏蔽件防止图像光的第一部分到达所述第三光电二极管。
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公开(公告)号：CN104103655B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310655864.2
申请日：2013-12-06
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , G01T1/29
Abstract: 本申请案涉及具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置。一种光子检测装置包含具有安置在半导体材料的第一区中的平面结的光电二极管。深沟槽隔离DTI结构安置在所述半导体材料中。所述DTI结构使所述DTI结构的一侧上的所述半导体材料的所述第一区与所述DTI结构的另一侧上的所述半导体材料的第二区隔离。所述DTI结构包含衬在所述DTI结构的内侧表面的电介质层以及安置在所述DTI结构内侧的所述电介质层上的经掺杂半导体材料。安置在所述DTI结构内侧的所述经掺杂半导体材料耦合到偏压，以使所述半导体材料的所述第一区中的所述光电二极管与所述半导体材料的所述第二区隔离。
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公开(公告)号：CN113270432A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110125842.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种耀斑抑制图像传感器包括在衬底中形成的第一像素以及位于第一像素上方的折射元件。折射元件具有相对于衬底的顶表面的高度分布，高度分布在第一横截平面和第二横截平面中的每个中具有至少两个一维局部最高点，第二横截平面垂直于第一横截平面。第一横截平面和第二横截平面中的每个垂直于顶表面并且相交第一像素。
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公开(公告)号：CN107895730B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201710905815.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H04N5/2355 , H04N5/35563 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H04N5/379
Abstract: 本申请案涉及一种堆叠式图像传感器，其包含第一多个光电二极管，所述第一多个光电二极管包含安置在第一半导体材料中的第一光电二极管和第二光电二极管。所述第一半导体材料靠近所述第一光电二极管的厚度小于所述第一半导体材料靠近所述第二光电二极管的厚度。第二多个光电二极管经安置在第二半导体材料中。所述第二多个光电二极管与所述第一多个光电二极管光学对准。互连层经安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间。所述互连层包含安置在所述第二光电二极管和包含于所述第二多个光电二极管中的第三光电二极管之间的光学屏蔽件。所述光学屏蔽件防止图像光的第一部分到达所述第三光电二极管。
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公开(公告)号：CN116137277A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211377910.2
申请日：2022-11-04
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种暗电流抑制图像传感器和用于抑制图像传感器中的暗电流的方法。暗电流抑制图像传感器包括半导体衬底和薄结。半导体衬底包括前表面、与前表面相反的后表面、光电二极管以及在前表面与后表面之间的凹表面。凹表面从后表面向前表面延伸，并限定沟槽，沟槽在平行于后表面的截面平面中围绕光电二极管。薄结从凹表面延伸到半导体衬底中，并且是半导体衬底的区域。半导体衬底包括位于薄结与光电二极管之间的、具有第一导电类型的第一衬底区域。光电二极管和薄结具有与第一导电类型相反的第二导电类型。
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