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公开(公告)号：CN116598323A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202211724794.7
申请日：2022-12-30
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供了一种减少串扰的像素阵列衬底及其制造方法。减少串扰的像素阵列衬底包括半导体衬底、缓冲层、金属环和衰减层。半导体衬底包括第一光电二极管区域。半导体衬底的背表面在平行于第一光电二极管区域上方的背表面的第一背表面区域的截面平面中形成围绕第一光电二极管区域的沟槽。缓冲层在该背表面上，并且具有位于第一光电二极管区域上方的特征，该特征是凹口和孔口之一。金属环在该缓冲层上并且覆盖沟槽。衰减层在第一光电二极管区域上方。
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公开(公告)号：CN110021613B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201811396453.5
申请日：2018-11-22
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请案涉及图像传感器中的垫与接地的自对准。一种图像传感器包含：多个光电二极管，其安置于半导体材料中，以将图像光转换成图像电荷；以及金属网格，其包含与所述金属网格共面的金属护罩，安置成接近于所述半导体材料的后侧。所述金属网格与所述多个光电二极管光学对准，以将所述图像光引导到所述多个光电二极管中，且接触垫安置于所述半导体材料中的沟槽中。所述接触垫耦合到所述金属护罩，来使所述金属护罩接地。
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公开(公告)号：CN108269811B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201711184991.3
申请日：2017-11-23
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/57 , H04N25/78 , H04N25/10
摘要： 高动态范围彩色图像传感器包括(a)具有感光像素阵列的硅基板，感光像素阵列具有多个第一像素和多个第二像素，(b)滤色镜层，滤色镜层被布置在硅基板上并至少包括(i)位于多个第一像素的第一子集和多个第二像素的第一子集的上方并用于选择性透射第一颜色的光的多个第一滤色镜，和(ii)位于多个第一像素的第二子集和多个第二像素的第二子集的上方并用于选择性透射第二颜色的光的多个第二滤色镜，以及(c)动态范围扩展层，动态范围扩展层被布置在滤色镜层上并包括被布置在多个第二像素上方以衰减朝多个第二像素传播的光的灰色滤光镜。
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公开(公告)号：CN113691748B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110528424.5
申请日：2021-05-14
申请人： 豪威科技股份有限公司
摘要： 本申请案涉及具有低色串扰的高动态范围分割像素CMOS图像传感器。本申请案涉及一种像素单元，所述像素单元包含多个子像素，以响应于入射光生成图像电荷。所述子像素包含被外部子像素横向环绕的内部子像素。第一多个传输门经安置为靠近所述内部子像素及外部子像素的第一分组。第一浮动扩散部经耦合以通过第一多个传输门从外部子像素的所述第一分组接收所述图像电荷。第二多个传输门经安置为靠近所述内部子像素及外部子像素的所述第二分组。第二浮动扩散部安置在所述半导体材料中，并经耦合以通过所述第二多个传输门从外部子像素的所述第二分组中的每一者接收所述图像电荷。所述内部子像素中的所述图像电荷通过相应的传输门被所述第一、第二浮动扩散部或其两者接收。
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公开(公告)号：CN109659328B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201811067853.1
申请日：2018-09-13
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请案涉及源极跟随器接触件。一种图像传感器包含安置在第一半导体材料中的光电二极管，以吸收入射在所述图像传感器上的光子并产生图像电荷。浮动扩散区安置在所述第一半导体材料中并且经定位以从所述光电二极管接收所述图像电荷，并且转移晶体管耦合在所述光电二极管与所述浮动扩散区之间，以响应于转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到浮动扩散区中。具有栅极端子的源极跟随器晶体管耦合到所述浮动扩散区，以输出所述浮动扩散区中的所述图像电荷的放大信号。所述栅极端子包含与所述浮动扩散区接触的第二半导体材料，并且栅极氧化物部分地安置在所述第二半导体材料与所述第一半导体材料之间。所述第二半导体材料延伸超出所述浮动扩散区的横向边界。
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公开(公告)号：CN115278094A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210454655.0
申请日：2022-04-27
申请人： 豪威科技股份有限公司
摘要： 本发明揭示用于高动态范围成像和发光二极管闪变抑制的具有多灵敏度的互补金属氧化物半导体图像传感器。在一个实施例中，图像传感器包含布置成放置在半导体衬底中的像素阵列的行和列的多个像素。每个像素包含多个单元。在对应多个单元上放置多个滤色器。对应于个别像素的所述多个单元的所述多个滤色器对于所述多个滤色器的每个颜色具有一个以上的滤色强度。
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公开(公告)号：CN110223993B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910159651.8
申请日：2019-03-04
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请涉及一种具有用于高动态范围成像的嵌入式分裂像素的像素阵列。一种像素单元包含第二光电二极管，所述第二光电二极管在半导体材料中横向环绕第一光电二极管。所述第一光电二极管及所述第二光电二极管适于响应于入射光而光生图像电荷。浮动扩散部安置在所述半导体材料中，接近所述第二光电二极管的外周界。第一转移栅极接近所述半导体材料而安置在介于所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间的第一沟道区域上方。所述第一转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第一光电二极管转移到所述第二光电二极管。第二转移栅极接近所述半导体材料而安置在介于所述第二光电二极管与所述浮动扩散部之间的第二沟道区域上方。所述第二转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第二光电二极管转移到所述浮动扩散部。
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公开(公告)号：CN108933149B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810025590.1
申请日：2018-01-11
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请案涉及成像传感器像素及系统。一种成像传感器像素包括具有前侧及背侧的高电阻性N‑掺杂半导体层。在所述前侧处，至少存在光感测区域、邻近于所述光感测区域的转移栅极及P阱区域。所述P阱区域环绕所述光感测区域及所述转移栅极区域，且至少包括浮动扩散区域及在所述浮动扩散区域外部的第一电极，其中第一负电压被施加到所述第一电极。所述转移栅极耦合于所述光感测区域与所述浮动扩散区域之间。在所述背侧处，存在背侧P+掺杂层，所述背侧P+掺杂层包括形成于所述背侧P+掺杂层上的第二电极，其中第二负电压被施加到所述第二电极。所述第二负电压比所述第一负电压更负。
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公开(公告)号：CN107895730B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201710905815.8
申请日：2017-09-29
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H04N5/2355 , H04N5/35563 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H04N5/379
摘要： 本申请案涉及一种堆叠式图像传感器，其包含第一多个光电二极管，所述第一多个光电二极管包含安置在第一半导体材料中的第一光电二极管和第二光电二极管。所述第一半导体材料靠近所述第一光电二极管的厚度小于所述第一半导体材料靠近所述第二光电二极管的厚度。第二多个光电二极管经安置在第二半导体材料中。所述第二多个光电二极管与所述第一多个光电二极管光学对准。互连层经安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间。所述互连层包含安置在所述第二光电二极管和包含于所述第二多个光电二极管中的第三光电二极管之间的光学屏蔽件。所述光学屏蔽件防止图像光的第一部分到达所述第三光电二极管。
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公开(公告)号：CN110047855A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201811579034.5
申请日：2018-12-24
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种用于制造光电传感器阵列集成电路的方法包括形成隔离沟槽，该隔离沟槽通过包括以下的方法形成：在[110]-取向的单晶硅衬底晶片上沉积硬掩膜层，在该硬掩膜层上沉积光刻胶、使光刻胶曝光并显影以在沟槽的位置限定光刻胶开口，穿过该光刻胶开口进行等离子体干法刻蚀以在硬掩膜层中在沟槽的位置形成开口，和穿过硬掩膜层中的开口进行各向异性湿法刻蚀。在特定的实施方案中，在填充钨之前，用P型硅、二氧化硅介质和其它氧化物层对沟槽加衬。
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