公开(公告)号：CN103367136B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310113448.X

申请日：2013-03-22

申请人： 贝思瑞士股份公司

发明人： 恩斯特·巴尔梅特勒 ,  费边·赫斯希勒 ,  布莱恩·普利斯

IPC分类号： H01L21/301

CPC分类号： H01L21/67005 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67739 ,  Y10S156/931 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1983

摘要： 一种用于将半导体芯片从箔拆下的方法，使用包括具有直线支承边缘和L型支承边缘的板的管芯排出器，该方法包括：将板提升至盖板的表面上方的高度H1；降低具有L型支承边缘的第一对板；可选地，降低具有L型支承边缘的第二对板；提升还未被降低的板至高度H2＞H1；交错降低还未被降低的板，至少一个或几个板未被降低；可选地，降低还未被降低的板至高度H3＜H2；降低板直到所有的板都被降低，以及移走芯片夹具，其中在降低最后三个板之前芯片夹具触及半导体芯片。

公开(公告)号：CN103839772B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201310585803.3

申请日：2013-11-19

申请人： 贝思瑞士股份公司

发明人： 恩斯特·巴尔梅特勒 ,  艾尔万·罗德里格斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/67011 ,  B32B43/006 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/75 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/756 ,  H01L2224/75753 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1105 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1983

摘要： 用于使半导体芯片与箔分离的方法。本发明涉及一种用于使半导体芯片与箔分离的方法的预剥离阶段。根据第一方面，本发明涉及确定时间段，每个所述时间段限定预剥离步骤的持续时间，其中，首先所述半导体芯片的至少一个区域保持粘接到所述箔且被弯曲，随后与箔分离。在设置阶段，为每个预剥离步骤执行以下步骤：初始化所述方法步骤；重复以下两个步骤：记录所述半导体芯片的图像，并为所述图像分配自所述预剥离步骤的初始化起已经过的时间段，和检查在所述图像中所述半导体芯片的周围区域是否比预定的亮度值暗；直到所述检查得到没有半导体芯片的周围区域比预定的亮度值暗的结果。根据第二方面，本发明涉及一种实时监测半导体芯片与箔的分离的方法。

公开(公告)号：CN103839772A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310585803.3

申请日：2013-11-19

申请人： 贝思瑞士股份公司

发明人： 恩斯特·巴尔梅特勒 ,  艾尔万·罗德里格斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/67011 ,  B32B43/006 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/75 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/756 ,  H01L2224/75753 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1105 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1983 ,  H01L21/7813

摘要： 用于使半导体芯片与箔分离的方法。本发明涉及一种用于使半导体芯片与箔分离的方法的预剥离阶段。根据第一方面，本发明涉及确定时间段，每个所述时间段限定预剥离步骤的持续时间，其中，首先所述半导体芯片的至少一个区域保持粘接到所述箔且被弯曲，随后与箔分离。在设置阶段，为每个预剥离步骤执行以下步骤：初始化所述方法步骤；重复以下两个步骤：记录所述半导体芯片的图像，并为所述图像分配自所述预剥离步骤的初始化起已经过的时间段，和检查在所述图像中所述半导体芯片的周围区域是否比预定的亮度值暗；直到所述检查得到没有半导体芯片的周围区域比预定的亮度值暗的结果。根据第二方面，本发明涉及一种实时监测半导体芯片与箔的分离的方法。

公开(公告)号：CN103367136A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310113448.X

申请日：2013-03-22

申请人： 贝思瑞士股份公司

发明人： 恩斯特·巴尔梅特勒 ,  费边·赫斯希勒 ,  布莱恩·普利斯

IPC分类号： H01L21/301

CPC分类号： H01L21/67005 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67739 ,  Y10S156/931 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1983

摘要： 一种用于将半导体芯片从箔拆下的方法，使用包括具有直线支承边缘和L型支承边缘的板的管芯排出器，该方法包括：将板提升至盖板的表面上方的高度H1；降低具有L型支承边缘的第一对板；可选地，降低具有L型支承边缘的第二对板；提升还未被降低的板至高度H2＞H1；交错降低还未被降低的板，至少一个或几个板未被降低；可选地，降低还未被降低的板至高度H3＜H2；降低板直到所有的板都被降低，以及移走芯片夹具，其中在降低最后三个板之前芯片夹具触及半导体芯片。