公开(公告)号：CN100565881C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200510137452.5

申请日：2005-12-30

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 王庆钧 ,  李隆盛 ,  林哲歆 ,  罗文妙

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

摘要： 一种金属-绝缘体-金属电容结构，是至少由上电极、下电极以及绝缘层所构成，其中绝缘层位于上电极与下电极之间。而这种金属-绝缘体-金属电容结构的特征在于下电极包括一层导体层以及金属氮化物多层结构。金属氮化物多层结构是位于导体层与绝缘层之间，且其氮含量逐渐向绝缘层的方向增加并为非结晶(amorphous)形态。由于金属氮化物多层结构的关系，可避免绝缘层形成结晶，以减少漏电流的损失。

公开(公告)号：CN1992277A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200510137452.5

申请日：2005-12-30

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 王庆钧 ,  李隆盛 ,  林哲歆 ,  罗文妙

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

摘要： 一种金属－绝缘体－金属电容结构，是至少由上电极、下电极以及绝缘层所构成，其中绝缘层位于上电极与下电极之间。而这种金属－绝缘体－金属电容结构的特征在于下电极包括一层导体层以及金属氮化物多层结构。金属氮化物多层结构是位于导体层与绝缘层之间，且其氮含量逐渐向绝缘层的方向增加并为非结晶(amorphous)形态。由于金属氮化物多层结构的关系，可避免绝缘层形成结晶，以减少漏电流的损失。