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公开(公告)号：CN101017861A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003419.8
申请日：2006-02-06
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L31/08 , H01L31/0224
摘要： 一种紫外线检测器，其包括基材、第一电极以及第二电极。在本发明的紫外线检测器中，基材具有主动区，且主动区适于吸收紫外线以产生电荷。第一电极与基材的主动区电接触，且第一电极具有多个第一尖端。此外，第二电极与基材的主动区电接触，而第二电极具有多个第二尖端，且第二电极与第一电极电绝缘。上述第一尖端以及第二尖端有利于将光电效应所产生的电荷导出，故可提高紫外线检测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN1992277A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200510137452.5
申请日：2005-12-30
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92 , H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00
摘要： 一种金属－绝缘体－金属电容结构，是至少由上电极、下电极以及绝缘层所构成，其中绝缘层位于上电极与下电极之间。而这种金属－绝缘体－金属电容结构的特征在于下电极包括一层导体层以及金属氮化物多层结构。金属氮化物多层结构是位于导体层与绝缘层之间，且其氮含量逐渐向绝缘层的方向增加并为非结晶(amorphous)形态。由于金属氮化物多层结构的关系，可避免绝缘层形成结晶，以减少漏电流的损失。
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公开(公告)号：CN104517838A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310524556.6
申请日：2013-10-30
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/268 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/66325 , H01L21/268 , H01L29/739
摘要： 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括以下步骤。形成一N型漂移层(N drift layer)。形成一N型缓冲层(N buffer layer)于N型漂移层上，N型缓冲层包括一N型掺杂物。形成一P型重掺杂层(P+implantation layer)于N型缓冲层上，P型重掺杂层包括一P型掺杂物。以一激光光源照射N型缓冲层及P型重掺杂层以活化N型掺杂物及P型掺杂物。其中，激光光源包括一红外光(IR)及一绿光激光(green laser)，红外光以大于300毫米/秒(mm/s)至600毫米/秒的扫描速度(scan speed)照射N型缓冲层及P型重掺杂层，红外光包括多个红外光脉冲，红外光脉冲的脉冲时间(pulse time)为大于30纳秒(ns)至200纳秒。
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公开(公告)号：CN100464403C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200610000286.9
申请日：2006-01-10
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L27/108 , H01L27/102
摘要： 一种DRAM空心柱型电容器的制造方法，包括提供具有多晶硅插塞的衬底，再于衬底上提供具有开口的模型介质层，其中开口暴露出多晶硅插塞。接着，于开口侧壁上形成非晶硅间隙壁，并暴露出部分多晶硅插塞。然后，去除暴露出的多晶硅插塞之部分厚度，再利用种晶技术，于非晶硅间隙壁表面产生半球形硅晶粒层。之后，于半球形硅晶粒层表面形成电容介质层，再于电容介质层上形成导电层。由于多晶硅插塞部分不会形成半球形硅晶粒，所以电容接触面积不会被缩小，并可藉此避免因电容介质层成膜不易导致的产量降低。
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公开(公告)号：CN101022139A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610007627.5
申请日：2006-02-15
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/08 , H01L31/028 , H01L31/0232 , H01L27/146
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种光感测元件及其制法，该制法包括下列步骤：在基板上制作出光转换元件；在该光转换元件上形成抗反射涂层；以及在该抗反射涂层上形成荧光物质，荧光物质能吸收特定波段的光、并反射出易于被光转换元件感测的波段的光。本发明的光感测元件可实时监测紫外线的状况，进而采取适当的防护措施，本发明采用成本低的光感测元件，取代现有技术中用蓝宝石基板、AlxGa1－xN系列材料简化了制程、降低了成本，同时本发明以现有用硅材料制成的光感测元件取代AlxGa1－xN系列材料，解决AlxGa1－xN系列材料所需施加电压过大不适合用于诸如手表、手机、PDA等便携式电子装置的问题，避免检测紫外光同时也检测到可见光或红外光波段的光的问题。
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公开(公告)号：CN100565881C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200510137452.5
申请日：2005-12-30
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92 , H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00
摘要： 一种金属-绝缘体-金属电容结构，是至少由上电极、下电极以及绝缘层所构成，其中绝缘层位于上电极与下电极之间。而这种金属-绝缘体-金属电容结构的特征在于下电极包括一层导体层以及金属氮化物多层结构。金属氮化物多层结构是位于导体层与绝缘层之间，且其氮含量逐渐向绝缘层的方向增加并为非结晶(amorphous)形态。由于金属氮化物多层结构的关系，可避免绝缘层形成结晶，以减少漏电流的损失。
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公开(公告)号：CN100555678C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610103609.7
申请日：2006-07-24
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/08 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/09 , H01L31/108 , Y02E10/50
摘要： 一种制造光感测元件的方法，其包含：制备硅基材；形成平台，隆起于该硅基材之基底；形成图案化介电层于该平台上；利用该图案化介电层作为屏蔽异向性蚀刻该平台，于该硅基材之上形成图案化平台；以及于该图案化平台上形成图案化导电层。
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公开(公告)号：CN1988078A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200510132219.8
申请日：2005-12-22
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明提出一种金属－绝缘体－金属(MIM)电容器，包括下电极、上电极以及电容介质层。上电极位于下电极上，而电容介质层则位于上电极与下电极之间。其中，电容介质层包括多层TiO2层以及至少一层四方晶体结构材料层，而四方晶体结构材料层是位于两两TiO2层之间，且每一四方晶体结构材料层具有相同厚度或不同的厚度。借着上述穿插在TiO2层之间的四方晶体结构材料层可截断漏电路径，同时利用这些四方晶体结构材料层能够诱发TiO2产生高介电常数的金红石相(rutile phase)。
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公开(公告)号：CN100565795C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610002341.8
申请日：2006-01-26
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/8242 , H01L21/8222
摘要： 一种储存电荷元件的制造方法，利用原子层沉积法能精确控制薄膜成长厚度以及硅含量的特性，在沉积氧化硅铪HfxSiyOz的过程中，渐变式改变硅含量，因此可容易的制作出堆叠的渐变材料层。然后，利用硅含量y会影响氢氟酸溶液对氧化硅铪HfxSiyOz蚀刻率的特性，使经稀释氢氟酸溶液蚀刻后的堆叠的渐变材料层侧壁轮廓呈现不规则状。由于下电极、电容介电层、上电极是形成在具有不规则轮廓的渐变式的堆叠绝缘层的侧壁上，因此可以增加下电极与上电极之间所夹的面积，而可以提高储存电荷元件的储存量。
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公开(公告)号：CN101009216A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610002341.8
申请日：2006-01-26
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/8242 , H01L21/8222
摘要： 一种储存电荷元件的制造方法，利用原子层沉积法能精确控制薄膜成长厚度以及硅含量的特性，在沉积氧化硅铪HfxSiyOz的过程中，渐变式改变硅含量，因此可容易的制作出堆叠的渐变材料层。然后，利用硅含量y会影响氢氟酸溶液对氧化硅铪HfxSiyOz蚀刻率的特性，使经稀释氢氟酸溶液蚀刻后的堆叠的渐变材料层侧壁轮廓呈现不规则状。由于下电极、电容介电层、上电极是形成在具有不规则轮廓的渐变式的堆叠绝缘层的侧壁上，因此可以增加下电极与上电极之间所夹的面积，而可以提高储存电荷元件的储存量。
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