公开(公告)号：CN101114593A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710000755.1

申请日：2007-01-19

Applicant: 财团法人电力中央研究所

Inventor： 土田秀一 ,  柳特拉斯·斯特拉斯塔

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/328 ,  H01L29/70

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B31/22 ,  H01L21/322 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7325 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过高温退火有效地减少或消除载流子俘获中心来提高SiC层质量的方法和通过该方法制造的SiC半导体器件。该通过消除或者减少部分载流子俘获中心提高SiC层质量的方法包括：(a)执行离子注入碳原子、硅原子、氢原子或氦原子到SiC晶体层(E)内的浅表面层(A)中以导入多余的碳间隙到注入的表面层中，及(b)加热该层使导入到表面层中的碳间隙(C)从注入的表面层(A)扩散到本体层(E)中，以及使本体层中的电活性点缺陷失去活性。经过以上步骤后，表面层(A)可以被蚀刻或者机械地去除。根据本发明的半导体器件用该方法制造。

公开(公告)号：CN101114593B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200710000755.1

申请日：2007-01-19

Applicant: 财团法人电力中央研究所

Inventor： 土田秀一 ,  柳特拉斯·斯特拉斯塔

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/328 ,  H01L29/70

CPC classification number: H01L21/0445 ,  C30B29/36 ,  C30B31/22 ,  H01L21/322 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7325 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过高温退火有效地减少或消除载流子俘获中心来提高SiC层质量的方法和通过该方法制造的SiC半导体器件。该通过消除或者减少部分载流子俘获中心提高SiC层质量的方法包括：(a)执行离子注入碳原子、硅原子、氢原子或氦原子到SiC晶体层(E)内的浅表面层(A)中以导入多余的碳间隙到注入的表面层中，及(b)加热该层使导入到表面层中的碳间隙(C)从注入的表面层(A)扩散到本体层(E)中，以及使本体层中的电活性点缺陷失去活性。经过以上步骤后，表面层(A)可以被蚀刻或者机械地去除。根据本发明的半导体器件用该方法制造。