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公开(公告)号：CN1573349A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047490.7
申请日：2004-05-28
申请人： 财团法人电气磁气材料研究所 , 大同特殊钢株式会社
CPC分类号： B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3183 , G11B5/3903 , G11B5/3922 , Y10T29/49002
摘要： 一种薄膜磁传感器包含一对各自由轮磁材料组成的第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭，第一和第二薄膜磁轭设置为相互面对面，在它们中间介入一空隙；具有电阻率高于软磁材为电阻率的和形成于空隙中的GMR薄膜，以便电气连接至第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭；和由绝缘的非磁性材料组成的和作用是支持第一薄膜磁轭，第二薄膜磁轭和GMR薄膜的绝缘衬底。GMR薄膜在位于面对第二薄膜磁轭的第一薄膜磁轭的前表面上形成，和空隙长度由位于第一薄膜磁轭前表面上的GMR薄膜厚度所限定。
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公开(公告)号：CN100403049C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200410048870.2
申请日：2004-06-02
申请人： 财团法人电气磁气材料研究所 , 大同特殊钢株式会社
摘要： 一种薄膜磁传感器包括一对每一个都由软磁材料形成的薄膜磁轭，该薄膜磁轭被设置成互相面对，同时一个间隙介入其间；包括一个电连接到该对薄膜磁轭并有高于软磁材料的电阻率的GMR薄膜；以及包括一个支撑薄膜磁轭和GMR薄膜并由绝缘的非磁材料形成的绝缘衬底。一个包括一个由绝缘的非磁材料形成的层次和一个GMR薄膜的层次的多层次结构的间隙柱被设置在间隙中，在间隙的长度上GMR薄膜的厚度均匀。
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公开(公告)号：CN1573350A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048870.2
申请日：2004-06-02
申请人： 财团法人电气磁气材料研究所 , 大同特殊钢株式会社
CPC分类号： G01R33/09 , G11B5/3163 , G11B5/3183 , G11B5/3925 , Y10T29/49002
摘要： 一种薄膜磁传感器包括一对每一个都由软磁材料形成的薄膜磁轭，该薄膜磁轭被设置成互相面对，同时一个间隙介入其间；包括一个电连接到该对薄膜磁轭并有高于软磁材料的电阻率的GMR薄膜；以及包括一个支撑薄膜磁轭和GMR薄膜并由绝缘的非磁材料形成的绝缘衬底。一个包括一个由绝缘的非磁材料形成的层次和一个GMR薄膜的层次的多层次结构的间隙柱被设置在间隙中，在间隙的长度上GMR薄膜的厚度均匀。
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公开(公告)号：CN1616921A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410092754.0
申请日：2004-11-10
申请人： 财团法人电气磁气材料研究所
摘要： 本发明的磁北检测装置，具备：包括对相互垂直的3个坐标轴方向的地磁磁场强度成分分别进行检测的3个地磁传感器的三维地磁传感器单元；以及依据由这些地磁传感器单元的各地磁传感器检测出的地磁磁场强度成分进行演算、算出地磁的磁北方位的三维演算功能部，上述三维演算功能部在下列假设的2个条件下进行演算、算出地磁磁北方位，该假设的2个条件为：(i)上述地磁传感器单元的3个坐标轴中至少有一个轴相对地表面为水平；(ii)由上述地磁传感器单元的3个坐标轴方向的地磁磁场强度成分算出的地磁磁场矢量的以地表面为基准的角度与预先估计的地磁的磁倾角一致。
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公开(公告)号：CN100403048C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN01803264.8
申请日：2001-10-25
申请人： 财团法人电气磁气材料研究所
CPC分类号： B82Y25/00 , G01R33/09 , G01R33/093 , Y10T428/1129
摘要： 本发明提供结构简单、具有高的检测灵敏度而且减少因温度变化等引起测量误差的薄膜磁传感器。在本发明的薄膜磁传感器中，将巨磁阻薄膜两侧配置软磁性薄膜并设置电气端子的元件5、以及巨磁阻薄膜两侧配置导体膜并设置电气端子的元件10作为电桥电路的2个桥臂。元件10的电阻值对于磁场的灵敏度在小磁场中实质上为零，而对磁场以外的原因引起的电阻值变化与元件5相等。由于电桥电路的输出正比于元件5与元件10的电阻值之差，因此从电桥电路的输出使磁场以外的变化因素抵消，所以能够正确测量磁场的值。
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公开(公告)号：CN101632183B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200880008117.7
申请日：2008-01-31
申请人： 欧姆龙株式会社 , 财团法人电气磁气材料研究所
CPC分类号： H04B5/00 , H01F5/003 , H01L43/08 , H03F3/181 , H03F3/189 , H03F3/45475 , H03F3/45991 , H03F2200/03 , H03F2200/451 , H03F2200/78 , H03F2203/45538 , H03F2203/45554 , H03F2203/45561 , H03F2203/45576 , H03F2203/45591 , H03F2203/45594 , H03F2203/45621
摘要： 一种磁耦合元件以及磁耦合型隔离器。磁耦合元件(2)具有：磁场产生电路，其具有根据输入电流而产生磁场的励磁线圈(7a、7b)；具有两个输出(12a、12b)的检测桥式电路，其具有通过施加由磁场产生电路产生的磁场而使电阻值变化的至少一对磁阻效应元件(9a、9b)，所述两个输出生成对应于磁场产生电路产生的磁场强度的电压差，通过将所述磁耦合元件(2)的磁场产生电路以及检测桥式电路的几何形状分别线对称或点对称地形成，在高频也可得到高的S/N比。
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公开(公告)号：CN1394284A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN01803264.8
申请日：2001-10-25
申请人： 财团法人电气磁气材料研究所
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： B82Y25/00 , G01R33/09 , G01R33/093 , Y10T428/1129
摘要： 本发明提供结构简单、具有高的检测灵敏度而且减少因温度变化等引起测量误差的薄膜磁传感器。在本发明的薄膜磁传感器中，将巨磁阻薄膜两侧配置软磁性薄膜并设置电气端子的元件5、以及巨磁阻薄膜两侧配置导体膜并设置电气端子的元件10作为电桥电路的2个桥臂。元件10的电阻值对于磁场的灵敏度在小磁场中实质上为零，而对磁场以外的原因引起的电阻值变化与元件5相等。由于电桥电路的输出正比于元件5与元件10的电阻值之差，因此从电桥电路的输出使磁场以外的变化因素抵消，所以能够正确测量磁场的值。
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公开(公告)号：CN101632183A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880008117.7
申请日：2008-01-31
申请人： 欧姆龙株式会社 , 财团法人电气磁气材料研究所
CPC分类号： H04B5/00 , H01F5/003 , H01L43/08 , H03F3/181 , H03F3/189 , H03F3/45475 , H03F3/45991 , H03F2200/03 , H03F2200/451 , H03F2200/78 , H03F2203/45538 , H03F2203/45554 , H03F2203/45561 , H03F2203/45576 , H03F2203/45591 , H03F2203/45594 , H03F2203/45621
摘要： 一种磁耦合元件以及磁耦合型隔离器。磁耦合元件(2)具有：磁场产生电路，其具有根据输入电流而产生磁场的励磁线圈(7a、7b)；具有两个输出(12a、12b)的检测桥式电路，其具有通过施加由磁场产生电路产生的磁场而使电阻值变化的至少一对磁阻效应元件(9a、9b)，所述两个输出生成对应于磁场产生电路产生的磁场强度的电压差，通过将所述磁耦合元件(2)的磁场产生电路以及检测桥式电路的几何形状分别线对称或点对称地形成，在高频也可得到高的S/N比。
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公开(公告)号：CN100516774C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200410092754.0
申请日：2004-11-10
申请人： 财团法人电气磁气材料研究所
摘要： 本发明的磁北检测装置，具备：包括对相互垂直的3个座标轴方向的地磁磁场强度成分分别进行检测的3个地磁传感器的三维地磁传感器单元；以及依据由这些地磁传感器单元的各地磁传感器检测出的地磁磁场强度成分进行演算、算出地磁的磁北方位的三维演算功能部，上述三维演算功能部在下列假设的2个条件下进行演算、算出地磁磁北方位，该假设的2个条件为：(i)上述地磁传感器单元的3个座标轴中至少有一个轴相对地表面为水平；(ii)由上述地磁传感器单元的3个座标轴方向的地磁磁场强度成分算出的地磁磁场矢量的以地表面为基准的角度与预先估计的地磁的磁倾角一致。
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