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公开(公告)号：CN110197044B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910503069.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 贵州大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种基于分形几何的图案自动生成方法，包括基本花朵图案的生成和不同布局方式的花朵图案的生成，具体步骤如下：通过超椭圆曲线函数生成花叶的基本元素，并重复迭代生成花叶图案；通过玫瑰曲线函数生成花瓣的基本元素，且重复迭代生成花瓣图案；通过园内摆线函数生成花蕊图案；通过玫瑰曲线和圆形曲线函数生成花芯图案；并组合上述步骤中的图案生成完整的花朵图案；使用变换函数迭代整个花朵图案以生成各种图案布局，其中根据迭代次数的不同可以生成对称布局、二方连续或四方连续等花朵图案的布局。本发明不仅能有效的模拟传统手工蜡染的图案，而且能快速生成不同布局图案。
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公开(公告)号：CN110197044A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910503069.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 贵州大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于分形几何的图案自动生成方法，包括基本花朵图案的生成和不同布局方式的花朵图案的生成，具体步骤如下：通过超椭圆曲线函数生成花叶的基本元素，并重复迭代生成花叶图案；通过玫瑰曲线函数生成花瓣的基本元素，且重复迭代生成花瓣图案；通过园内摆线函数生成花蕊图案；通过玫瑰曲线和圆形曲线函数生成花芯图案；并组合上述步骤中的图案生成完整的花朵图案；使用变换函数迭代整个花朵图案以生成各种图案布局，其中根据迭代次数的不同可以生成对称布局、二方连续或四方连续等花朵图案的布局。本发明不仅能有效的模拟传统手工蜡染的图案，而且能快速生成不同布局图案。
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公开(公告)号：CN113088902B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110390892.0
申请日：2021-04-12
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法：以含有MnO的Mn靶材作为原料，在Si衬底上通过磁控溅射的方法制备薄膜，构成“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构样品，进而在真空条件下高温退火。基于该工艺办法，通过控制“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构中的Si薄膜中间层溅射时间，可以完全消除掉本来含量占比很大的MnO，获得单一相的高锰硅薄膜材料，显著降低了获得高锰硅薄膜对原料、储存及工艺条件的要求，使得高锰硅薄膜的制备更为简单，产业化生产成本降低，生产效率得到提高。
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公开(公告)号：CN113088902A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110390892.0
申请日：2021-04-12
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法：以含有MnO的Mn靶材作为原料，在Si衬底上通过磁控溅射的方法制备薄膜，构成“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构样品，进而在真空条件下高温退火。基于该工艺办法，通过控制“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构中的Si薄膜中间层溅射时间，可以完全消除掉本来含量占比很大的MnO，获得单一相的高锰硅薄膜材料，显著降低了获得高锰硅薄膜对原料、储存及工艺条件的要求，使得高锰硅薄膜的制备更为简单，产业化生产成本降低，生产效率得到提高。
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