公开(公告)号：CN113088902B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202110390892.0

申请日：2021-04-12

Applicant: 贵州大学

Inventor： 张晋敏 ,  潘王衡 ,  谢泉 ,  肖清泉 ,  王勤 ,  冯磊 ,  谢杰

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法：以含有MnO的Mn靶材作为原料，在Si衬底上通过磁控溅射的方法制备薄膜，构成“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构样品，进而在真空条件下高温退火。基于该工艺办法，通过控制“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构中的Si薄膜中间层溅射时间，可以完全消除掉本来含量占比很大的MnO，获得单一相的高锰硅薄膜材料，显著降低了获得高锰硅薄膜对原料、储存及工艺条件的要求，使得高锰硅薄膜的制备更为简单，产业化生产成本降低，生产效率得到提高。

公开(公告)号：CN113088902A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110390892.0

申请日：2021-04-12

Applicant: 贵州大学

Inventor： 张晋敏 ,  潘王衡 ,  谢泉 ,  肖清泉 ,  王勤 ,  冯磊 ,  谢杰

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法：以含有MnO的Mn靶材作为原料，在Si衬底上通过磁控溅射的方法制备薄膜，构成“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构样品，进而在真空条件下高温退火。基于该工艺办法，通过控制“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构中的Si薄膜中间层溅射时间，可以完全消除掉本来含量占比很大的MnO，获得单一相的高锰硅薄膜材料，显著降低了获得高锰硅薄膜对原料、储存及工艺条件的要求，使得高锰硅薄膜的制备更为简单，产业化生产成本降低，生产效率得到提高。