公开(公告)号：CN101859702B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN200910134374.1

申请日：2009-04-10

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 赛格·利维 ,  克里希纳斯瓦米·库马尔 ,  弗雷德里克·詹纳 ,  萨姆·吉哈

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/44 ,  H01L21/283 ,  H01L29/792 ,  H01L29/423

摘要： 本发明公开了一种含有多层电荷存储层的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)堆栈的半导体器件及其形成方法。通常，该方法涉及：(i)形成ONO结构上的第一氧化物层；(ii)在第一氧化物层上形成含有氮化物的多层电荷存储层；以及(iii)在多层电荷储存层上形成ONO结构第二氧化物层。优选的是电荷存储层包含至少两个含有不同氧，氮，和/或硅化学组成比的硅氧氮化物层。更优选的是ONO结构是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构的一部分，且该半导体器件是SONOS存储晶体管。

公开(公告)号：CN101859702A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200910134374.1

申请日：2009-04-10

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 赛格·利维 ,  克里希纳斯瓦米·库马尔 ,  弗雷德里克·詹纳 ,  萨姆·吉哈

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/44 ,  H01L21/283 ,  H01L29/792 ,  H01L29/423

摘要： 本发明公开了一种含有多层电荷存储层的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)堆栈的半导体器件及其形成方法。通常，该方法涉及：(i)形成ONO结构上的第一氧化物层；(ii)在第一氧化物层上形成含有氮化物的多层电荷存储层；以及(iii)在多层电荷储存层上形成ONO结构第二氧化物层。优选的是电荷存储层包含至少两个含有不同氧，氮，和/或硅化学组成比的硅氧氮化物层。更优选的是ONO结构是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构的一部分，且该半导体器件是SONOS存储晶体管。

公开(公告)号：CN106653761A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610911402.6

申请日：2009-04-10

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 赛格·利维 ,  克里希纳斯瓦米·库马尔 ,  弗雷德里克·詹纳

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/285

摘要： 本申请涉及含多层氧氮化物层的氧化物‑氮化物‑氧化物堆栈。本发明公开了一种含有多层电荷存储层的氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)堆栈的半导体器件及其形成方法。通常，该方法涉及：(i)形成ONO结构上的第一氧化物层；(ii)在第一氧化物层上形成含有氮化物的多层电荷存储层；以及(iii)在多层电荷存储层上形成ONO结构第二氧化物层。优选的是电荷存储层包含至少两个含有不同氧，氮，和/或硅化学组成比的硅氧氮化物层。更优选的是ONO结构是硅‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑硅(SONOS)结构的一部分，且该半导体器件是SONOS存储晶体管。