公开(公告)号：CN104937721B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201380045640.8

申请日：2013-07-01

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 赛格·利维 ,  斐德列克·杰能 ,  克里希纳斯瓦米·库马尔

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L29/125 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7926

摘要： 改进电荷俘获存储器件和由此制造的制品。在一个实施方案中，电荷俘获器件包括：具有源极区、漏极区以及电连接源极和漏极的沟道区的衬底。隧道介电层被置于衬底上方，且盖住沟道区，并且多层电荷俘获区被置于隧道介电层上。多层电荷俘获区包括置于隧道介电层上的第一氘化层、置于第一氘化层上的第一氮化物层、以及置于第一氮化物层之上的第二氮化物层。

公开(公告)号：CN106653761A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610911402.6

申请日：2009-04-10

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 赛格·利维 ,  克里希纳斯瓦米·库马尔 ,  弗雷德里克·詹纳

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/285

摘要： 本申请涉及含多层氧氮化物层的氧化物‑氮化物‑氧化物堆栈。本发明公开了一种含有多层电荷存储层的氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)堆栈的半导体器件及其形成方法。通常，该方法涉及：(i)形成ONO结构上的第一氧化物层；(ii)在第一氧化物层上形成含有氮化物的多层电荷存储层；以及(iii)在多层电荷存储层上形成ONO结构第二氧化物层。优选的是电荷存储层包含至少两个含有不同氧，氮，和/或硅化学组成比的硅氧氮化物层。更优选的是ONO结构是硅‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑硅(SONOS)结构的一部分，且该半导体器件是SONOS存储晶体管。

公开(公告)号：CN104937721A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201380045640.8

申请日：2013-07-01

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 赛格·利维 ,  斐德列克·杰能 ,  克里希纳斯瓦米·库马尔

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L29/125 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7926

摘要： 改进电荷俘获存储器件和由此制造的制品。在一个实施方案中，电荷俘获器件包括：具有源极区、漏极区以及电连接源极和漏极的沟道区的衬底。隧道介电层被置于衬底上方，且盖住沟道区，并且多层电荷俘获区被置于隧道介电层上。多层电荷俘获区包括置于隧道介电层上的第一氘化层、置于第一氘化层上的第一氮化物层、以及置于第一氮化物层之上的第二氮化物层。

公开(公告)号：CN101636845B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200780035965.2

申请日：2007-09-28

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 赛格·利维 ,  弗雷德里克·B·詹纳 ,  克里希纳斯瓦米·库马尔

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833

摘要： 本文描述了非易失性电荷俘获存储器件。该器件在衬底上包括一个沟道区域和一对源/漏区域。栅堆垛在衬底的沟道区域的上方，位于源/漏区的中间。栅堆垛包括一个含有第一氘化层的多层电荷俘获区。多层电荷俘获区进一步包括无氘电荷俘获层。

公开(公告)号：CN101523582A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037846.0

申请日：2007-09-28

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 依格·普利斯查克 ,  赛格·利维 ,  克里希纳斯瓦米·库马尔

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/045 ,  H01L29/42324

摘要： 本发明描述了一个非易失性电荷俘获器件和制造该器件的方法。该器件包括沟道长度为 晶面方向的沟道区域。沟道区域在一对源漏区之间，栅堆跺设置在沟道区域上方。

公开(公告)号：CN109585453A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810982560.X

申请日：2013-07-01

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 依格·普利斯查克 ,  赛格·利维 ,  克里希纳斯瓦米·库马尔

IPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8246

摘要： 本申请涉及具有多个电荷存储层的存储器晶体管。本发明提供了一种包含非易失性存储器的半导体设备以及制造所述半导体设备以改善其性能的方法。通常，所述设备包含存储器晶体管，所述存储器晶体管包含：多晶硅沟道区，其电气连接在衬底中形成的源极区和漏极区；氧化物-氮化物-氮化物-氧化物(ONNO)堆叠，其被布置在所述沟道区之上；以及高功函数栅电极，其在所述ONNO堆叠的表面之上形成。在一个实施方案中，所述ONNO堆叠包含多层电荷俘获区，所述多层电荷俘获区包含富氧的第一氮化物层和被布置在所述第一氮化物层之上的贫氧的第二氮化物层。还公开其他实施方案。

公开(公告)号：CN102714223A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201280000107.5

申请日：2012-01-17

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 赛格·利维 ,  克里希纳斯瓦米·库马尔 ,  斐德列克·杰能 ,  萨姆·吉哈

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/792 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/349 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： 本发明提供一种包括硅-氧化物-氮氧化物-氧化物-硅结构的半导体装置及其形成方法。一般而言，该结构包含：在包括硅的基板的表面上的隧道氧化物层；多层电荷储存层，其包括该隧道氧化物层上的富氧第一氮氧化物层，其中该第一氮氧化物层的化学计算量组成导致其实质上无陷阱，及该第一氮氧化物层上的贫氧第二氮氧化物层，其中该第二氮氧化物层的化学计算量组成导致其陷阱致密；该第二氮氧化物层上的阻挡氧化物层；及该阻挡氧化物层上的含硅闸极层。亦揭示其他具体实例。

公开(公告)号：CN101517714B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780035963.3

申请日：2007-09-28

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 弗雷德里克·B·詹纳 ,  赛格·利维

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： 本发明在此论述了等比缩小一个非易失性电荷俘获存储器件。在一个实施例中，等比缩小包括多步氧化和氮化操作来提供给隧穿层比纯二氧化硅隧穿层具有更高的介电常数但是比衬底界面含氮隧穿层具有更少的氢和氮陷阱。在一个实施例中，等比缩小包括用非均匀的氮氧化合物形成电荷俘获层。在一个实施例中，电荷俘获层包括一个富硅富氧层和一个富硅富氧层上的富硅少氧氧氮化物层。在一个实施例中，等比缩小的方法包括稀释湿法氧化来致密化阻挡氧化物和氧化部分富硅少氧氧氮化物层。

公开(公告)号：CN101548385A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780037848.X

申请日：2007-09-28

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 克里希纳斯瓦米·库马尔 ,  赛格·利维

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  Y10S438/954

摘要： 本发明公开了一种制造非易失性电荷俘获存储器件的方法。该方法包括首先在单晶片群组设备的第一工艺腔体形成衬底上的隧道介质层，然后在单晶片群组设备的第二工艺腔体形成隧道介质层上的电荷俘获层。然后，在单晶片群组设备的第二或第三工艺腔体形成电荷俘获层上的顶端介质层。

公开(公告)号：CN109755135A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811474047.6

申请日：2013-07-01

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： 克里希纳斯瓦米·库马尔 ,  赛格·利维 ,  边政树

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/792 ,  B82Y10/00

摘要： 本申请涉及用于制造非易失性电荷俘获存储器装置的自由基氧化工艺，具体描述一种用于制造非易失性电荷俘获存储器装置的方法。方法包括使衬底经受第一氧化工艺以形成覆盖多晶硅沟道的隧穿氧化物层，并且在隧穿氧化物层上形成多层电荷存储层，所述多层电荷存储层包括含有氮化物的富氧的第一层以及在第一层上的含有氮化物的贫氧的第二层。然后，使衬底经受第二氧化工艺以消耗一部分的第二层并且形成覆盖多层电荷存储层的高温氧化物(HTO)层。第一层的化学计量组成导致其大体上没有陷阱，并且第二层的化学计量组成导致其是陷阱密集的。第二氧化工艺可以包括使用原位水汽生成的等离子体氧化工艺或自由基氧化工艺。