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公开(公告)号：CN113673529B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110945717.3
申请日：2021-08-16
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
IPC分类号： G06V20/70 , G06V20/40 , G06V10/26 , G06V10/44 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/08
摘要： 本发明提供了一种语义分割模型训练方法、硅熔融状态检测方法及电子设备，训练方法包括：获取至少一种硅原料的多张熔融状态图像；对每张所述熔融状态图像中所述硅原料的熔融状态进行标注，获得标注结果，根据各张所述熔融状态图像和对应的所述标注结果生成数据集；建立基于神经网络的待训练模型，采用所述数据集训练所述待训练模型，获得用于检测硅熔融状态的语义分割模型，所述语义分割模型用于根据所述熔融状态图像输出所述熔融状态图像中各个像素点的类别概率组成的概率图。本发明通过训练语义分割模型，用于检测硅原料的熔融状态，能够减少工作人员的工作量，提高了自动化程度。
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公开(公告)号：CN112501682A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011281323.4
申请日：2020-11-16
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本发明属于单晶炉中炉筒升降技术领域，尤其是一种半导体单晶炉中炉筒升降旋转装置，针对现有的单晶炉中炉筒升降旋转装置不能保证中炉筒升降的稳定性的问题，现提出以下方案，包括底板，所述底板的顶部外壁通过轴承连接有转杆，所述转杆的顶端外壁通过螺栓固定有转板，所述转板顶部外壁的两侧均通过螺栓固定有滑竿，所述滑竿的外壁滑动连接有第二滑套，所述第二滑套的外壁通过螺栓固定有升降杆，所述升降杆的顶端外壁通过螺栓固定有滑块。本发明通过两边均设置有电动伸缩杆同时推动两个升降杆移动可以保证中炉筒升降的稳定性，通过固定板和伸缩板的配合可以进一步增强中炉筒升降时的稳定性，同时可以保证中炉筒升降时发生侧翻。
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公开(公告)号：CN114836823B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210644790.1
申请日：2022-06-08
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本发明是一种单晶硅熔炉晶体生长直径预测方法，其基于PSO优化的KNN算法。本发明的优点：针对单晶硅生长过程中直径控制问题，利用了大量不同熔融炉的历史生长数据，并将不同生长阶段划分为不同数据集。为了消除不同数据类型数值差异过大对权重的影响，采用正态归一化方法进行数据增强。输入KNN回归模型优化加权权重。训练结束后，应用阶段可以将晶体生长数据输入回归模型，给出历史相似参数下的生长直径，并预测下一时刻晶体生长直径。利用PSO优化的带权重KNN回归计算模型，实现了晶体生长直径预测功能；对于优化晶体生长直径控制算法、减小直径波动和提高硅晶体质量具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114717644B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210231348.6
申请日：2022-03-10
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本发明涉及硅单晶炉技术领域，具体为一种连续加料硅单晶炉，包括第一支撑座，所述第一支撑座的右侧固定设置有连接座，所述连接座的右侧固定设置有第二支撑座，所述第二支撑座的内部转动安装有转盘，所述第一支撑座的表面固定安装有炉体，所述炉体的上方固定安装有出料管，所述出料管的顶端设置有拉晶棒；所述拉晶棒的侧面固定连接有固定杆，所述固定杆端的下方设置有承托杆，所述承托杆右端的下方设置有顶板，所述顶板的底部固定连接有顶块。本发明的有益效果是：该连续加料硅单晶炉，在现有的基础上进行改进，利用装置上的同步加料和拉晶组件，使得装置能够在加料的同时自动拉晶，而且能够对多种不同的材料进行加料和自动补充材料。
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公开(公告)号：CN112428126A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011281170.3
申请日：2020-11-16
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于半导体晶体生产的抛光设备，包括支架、定位夹持结构、定点启停结构、固定架、气缸、抛光电机、滑块和导轨；所述支架的顶侧一端安装有定位夹持结构，所述支架的边侧安装有定点启停结构，通过设置定位夹持结构，在气囊的配合下，实现对晶体棒的夹持，在加压时，标量气缸内部同步加压，第二活塞杆在气压下，推动标量指针，在刻度尺的配合下，能够根据标量指针对应的参数，停止第一活塞杆作业，保证晶体棒在稳定夹持的状态下，不会在晶体棒的表面产生挤压痕迹，保证晶体棒表面完好，同时三组气囊同时作业，能够实现对晶体棒固定时，晶体棒的轴心与抛光电机的转轴轴心相同，能够对晶体棒端面抛光的更加的均匀。
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公开(公告)号：CN116926669B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210337194.9
申请日：2022-03-31
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种蓝宝石装甲板制备模具、制备装置及制造工艺。该制备模具包括：第一模板以及第二模板；第一模板与第二模板相对设置，第一模板的第一表面与第二模板的第二表面位置相对，第一表面与第二表面之间具有间隙，第一表面与第二表面均为弧面，且第一表面的弯曲方向与第二表面的弯曲方向相同，第一模板与第二模板可拆卸连接；第一模板的一端在间隙的出口处具有第一晶体成型面，第二模板的一端在间隙的出口处具有第二晶体成型面，第一晶体成型面与第二晶体成型面位置相对。
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公开(公告)号：CN113403677B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110524237.X
申请日：2021-05-13
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本发明的目的在于提出一种长晶炉，长晶炉包括坩埚，坩埚用于承载硅液，漏硅检测装置，漏硅检测装置设置在坩埚下方，漏硅检测装置包括：检测线，检测线为导电金属丝，检测线设置在坩埚正下方投影区域，并在坩埚的投影区域进行排布；检测单元，检测单元与检测线的入线端和出线端相连接，用于检测检测线的电性能参数值。通过在坩埚正下方投影区域设置漏硅检测装置，当硅液从坩埚中漏出，会直接滴落在检测线上，检测单元感知到检测线的电性能参数的变化，及时反馈给长晶炉，从而使得漏硅被实时监控，进而避免危险的发生。
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公开(公告)号：CN114836823A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210644790.1
申请日：2022-06-08
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本发明是一种单晶硅熔炉晶体生长直径预测方法，其基于PSO优化的KNN算法。本发明的优点：针对单晶硅生长过程中直径控制问题，利用了大量不同熔融炉的历史生长数据，并将不同生长阶段划分为不同数据集。为了消除不同数据类型数值差异过大对权重的影响，采用正态归一化方法进行数据增强。输入KNN回归模型优化加权权重。训练结束后，应用阶段可以将晶体生长数据输入回归模型，给出历史相似参数下的生长直径，并预测下一时刻晶体生长直径。利用PSO优化的带权重KNN回归计算模型，实现了晶体生长直径预测功能；对于优化晶体生长直径控制算法、减小直径波动和提高硅晶体质量具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113673529A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110945717.3
申请日：2021-08-16
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种语义分割模型训练方法、硅熔融状态检测方法及电子设备，训练方法包括：获取至少一种硅原料的多张熔融状态图像；对每张所述熔融状态图像中所述硅原料的熔融状态进行标注，获得标注结果，根据各张所述熔融状态图像和对应的所述标注结果生成数据集；建立基于神经网络的待训练模型，采用所述数据集训练所述待训练模型，获得用于检测硅熔融状态的语义分割模型，所述语义分割模型用于根据所述熔融状态图像输出所述熔融状态图像中各个像素点的类别概率组成的概率图。本发明通过训练语义分割模型，用于检测硅原料的熔融状态，能够减少工作人员的工作量，提高了自动化程度。
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公开(公告)号：CN112428126B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202011281170.3
申请日：2020-11-16
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于半导体晶体生产的抛光设备，包括支架、定位夹持结构、定点启停结构、固定架、气缸、抛光电机、滑块和导轨；所述支架的顶侧一端安装有定位夹持结构，所述支架的边侧安装有定点启停结构，通过设置定位夹持结构，在气囊的配合下，实现对晶体棒的夹持，在加压时，标量气缸内部同步加压，第二活塞杆在气压下，推动标量指针，在刻度尺的配合下，能够根据标量指针对应的参数，停止第一活塞杆作业，保证晶体棒在稳定夹持的状态下，不会在晶体棒的表面产生挤压痕迹，保证晶体棒表面完好，同时三组气囊同时作业，能够实现对晶体棒固定时，晶体棒的轴心与抛光电机的转轴轴心相同，能够对晶体棒端面抛光的更加的均匀。
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