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公开(公告)号:CN103030093B
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201210376998.6
申请日:2012-10-08
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: B81C1/00261 , B81B3/0081 , B81B7/0077 , B81B7/0093 , H01L21/56 , H01L23/10 , H01L23/3677 , H01L24/96 , H01L2224/16225 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的名称是:“包括增加的热耗散能力的3D集成电子装置结构”。微电子装置结构包括增加的热耗散能力。该结构包括倒装芯片接合到衬底的三维(3D)集成芯片组件。芯片组件包括装置衬底,其包括放置在其上有源装置。盖层在物理上接合到装置衬底,以至少部分限定有源装置周围的气密密封。微电子装置结构提供通过其的多个热量耗散路径,以耗散在其中生成的热量。
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公开(公告)号:CN103030093A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201210376998.6
申请日:2012-10-08
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: B81C1/00261 , B81B3/0081 , B81B7/0077 , B81B7/0093 , H01L21/56 , H01L23/10 , H01L23/3677 , H01L24/96 , H01L2224/16225 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的名称是:“包括增加的热耗散能力的3D集成电子装置结构”。微电子装置结构包括增加的热耗散能力。该结构包括倒装芯片接合到衬底的三维(3D)集成芯片组件。芯片组件包括装置衬底,其包括放置在其上有源装置。盖层在物理上接合到装置衬底,以至少部分限定有源装置周围的气密密封。微电子装置结构提供通过其的多个热量耗散路径,以耗散在其中生成的热量。
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