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公开(公告)号：CN1982259B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200610064709.3
申请日：2006-12-13
Applicant: 通用电气公司
Inventor： K·M·克里斯纳 , V·S·芬卡塔拉马尼 , M·马诺哈兰
CPC classification number: C09K11/7774 , B82Y30/00 , C01F17/0025 , C01P2002/34 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/02 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C04B35/44 , C04B35/6267 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/768 , C04B2235/781 , C04B2235/786 , C04B2235/9653
Abstract: 多晶透明陶瓷制品及其制造方法提出一种包括镥的多晶透明陶瓷制品。该制品包括结构式为ABO3、有A型晶格位置和B型晶格位置的氧化物。晶格位置A除镥之外还可进一步包括许多元素。B型晶格位置包括铝。提供包括镥基制品的图像装置、激光集合器和闪烁体。同时提供制造上述制品的方法。
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公开(公告)号：CN1778757A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510114024.0
申请日：2005-10-19
Applicant: 通用电气公司
IPC: C04B35/00 , C04B35/515
CPC classification number: C04B35/584 , C04B35/593 , C04B35/597 , C04B35/6267 , C04B35/64 , C04B2235/3826 , C04B2235/386 , C04B2235/666 , C04B2235/781 , C04B2235/80 , C04B2235/87
Abstract: 公开了具有至少三相的多相陶瓷纳米复合材料。所述至少三相中的每一相都具有小于约100nm的平均晶粒尺寸。在一种实施方案中，该陶瓷纳米复合材料基本不含玻璃态晶界相。在另一种实施方案中，该多相陶瓷纳米复合材料在直到至少约1500℃的温度下是热稳定的。还公开了制造这种多相陶瓷纳米复合材料的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101646748A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880009906.2
申请日：2008-01-24
Applicant: 通用电气公司
Inventor： S·P·M·卢雷罗 , J·S·瓦图利 , B·A·克罗蒂尔 , S·J·杜克洛斯 , M·马诺哈兰 , P·R·L·马伦范特 , V·S·文卡塔拉马尼 , C·比诺 , A·斯里瓦斯塔瓦 , S·J·斯托克洛萨
Abstract: 提供包括嵌在塑料基质中的闪烁化合物纳米尺寸颗粒的闪烁检测器。所述纳米尺寸颗粒可以由金属氧化物、金属卤氧化物、金属硫氧化物或金属卤化物制成。提供了制备所述纳米尺寸颗粒的方法。所述颗粒在结合到所述塑料基质中之前可被涂以有机化合物或聚合物。还提供通过引入二氧化钛纳米尺寸颗粒来使塑料基质的折射率与所述纳米尺寸颗粒相匹配的方法。可将所述闪烁体与一或多个光电检测器联接以形成闪烁检测系统。所述闪烁检测系统可适用于X射线和辐射成像装置如数字X射线成像、乳房造影术、CT、PET或SPECT，或者可用于辐射安全检测器或地下辐射探测器。
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公开(公告)号：CN101102976A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200580038309.9
申请日：2005-11-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/50
CPC classification number: C04B35/505 , C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/6264 , C04B35/62655 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/63424 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/608 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/9653
Abstract: 提供一种制备具有平均晶粒直径小于1微米的多阳离子陶瓷的方法。该方法包括以下步骤：提供至少第一材料和第二材料，其中第一材料包含第一阳离子，第二材料包含第二阳离子，并且其中第一阳离子和第二阳离子相互不相同，第一材料和第二材料每一都是纳米粉；形成包含第一材料和第二材料的混合物；由混合物形成坯体；形成包括第一阳离子和第二阳离子的致密多阳离子陶瓷材料，其中致密多阳离子陶瓷材料包含含有第一阳离子和第二阳离子的主相，该主相与第一材料和第二材料不同。多阳离子陶瓷具有高密度和高的直线透射率。
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公开(公告)号：CN1775900A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510131576.2
申请日：2005-09-30
Applicant: 通用电气公司
Inventor： S·P·M·罗雷洛 , A·A·塞特卢尔 , D·S·威廉斯 , M·马诺哈兰 , A·M·斯里瓦斯塔瓦
IPC: C09K11/08
CPC classification number: C09K11/7706 , B82Y30/00 , C01F17/0025 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/64
Abstract: 本发明的一些实施方案针对的是纳米结晶的基于氧化物的发光材料，以及它们的制造方法。典型地，这些方法包括一种将前体转化成为这样的发光材料的立体截留路线。在一些实施方案中，纳米结晶的基于氧化物的发光材料是量子分裂发光材料。在某些实施方案中，这样的纳米结晶的基于氧化物的发光材料，当它们被用于光应用时使得散射降低，从而导致具有更大的效率。
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公开(公告)号：CN1982259A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610064709.3
申请日：2006-12-13
Applicant: 通用电气公司
Inventor： K·M·克里斯纳 , V·S·芬卡塔拉马尼 , M·马诺哈兰
CPC classification number: C09K11/7774 , B82Y30/00 , C01F17/0025 , C01P2002/34 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/02 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C04B35/44 , C04B35/6267 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/768 , C04B2235/781 , C04B2235/786 , C04B2235/9653
Abstract: 提出一种包括镥的多晶透明陶瓷制品。该制品包括结构式为ABO3、有A型晶格位置和B型晶格位置的氧化物。晶格位置A除镥之外还可进一步包括许多元素。B型晶格位置包括铝。提供包括镥基制品的图像装置、激光集合器和闪烁体。同时提供制造上述制品的方法。
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公开(公告)号：CN1840606A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610006841.9
申请日：2006-02-05
Applicant: 通用电气公司
Inventor： S·P·M·罗赖洛 , S·J·斯托克罗萨 , A·A·塞特卢尔 , A·M·斯里瓦斯塔瓦 , M·马诺哈兰
IPC: C09K11/00
CPC classification number: C09K11/7787 , C09K11/02 , C09K11/673 , C09K11/771 , C09K11/7734 , C09K11/7738 , C09K11/7739 , C09K11/7774 , C09K11/7777 , C09K11/778 , C09K11/7786 , C09K11/7792 , C09K11/7797
Abstract: 提供一种磷光体组合物(10/15)，该磷光体组合物包括第一磷光体(20)，该第一磷光体包括发射可见光的磷光体；以及平均主晶体尺寸小于约100nm的第二磷光体(30)。第二磷光体(30)包括至少一种选自可见光发射磷光体、紫外(VUV)光发射磷光体以及量子分裂磷光体的磷光体。还提供一种制备磷光体组合物的方法(60)。该方法包括如下步骤：提供第一磷光体(70)，该第一磷光体包括发射可见光的磷光体；提供平均主晶体尺寸小于约100nm的第二磷光体(80)，并将第二磷光体设置在第一磷光体(80)上。第二磷光体(30)包括至少一种选自可见光发射磷光体、紫外(VUV)光发射磷光体以及量子分裂磷光体的磷光体。
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