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公开(公告)号：CN107192897A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710574659.1
申请日：2017-07-14
Applicant: 郑州大学
CPC classification number: G01R29/22 , G01R31/2601 , G01R31/2648
Abstract: 本发明公开了一种压电半导体薄膜极化实验装置，包括柜体，在柜体的顶部设有沿竖直方向设置的左导向柱和右导向柱，在左导向柱和右导向柱之间的柜体顶部固定有加热板和第一电机，所述第一电机的转轴竖直向上设置且设有外螺纹，在加热板上放置有石英玻璃管；在石英玻璃管上方设有承载板，所述第一电机的转轴穿过承载板且与承载板螺纹连接，承载板的左右两端分别与左导向柱和右导向柱滑动连接；在承载板的底部固定有极化夹具；实现了一种可实现变温、安全、易于操作的真空环境下的压电半导体薄膜极化实验装置。
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公开(公告)号：CN118190218A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410360335.8
申请日：2024-03-27
Applicant: 郑州大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本发明提供一种残余应力剥层装置，箱体，所述箱体具有倾斜平面以促使腐蚀液流动；夹持装置，所述夹持装置用于夹持试样棒，以实现对剥层的角度进行控制；顶紧装置，所述顶紧装置用于限制所述试样棒沿轴向方向移动；多功能支座，所述多功能支座用于安装功能组件，所述多功能支座还具有调整机构，所述调整机构用于使所述功能组件与所述试样棒表面接触。通过提供一个灵活且精密的实验平台，以便进行残余应力剥层实验，并确保实验条件的精确控制，通过这些组件的协同作用，研究人员可以更好地理解材料或涂层中的残余应力分布和特性。
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公开(公告)号：CN117074023A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311039126.5
申请日：2023-08-17
Applicant: 河南华辰智控技术有限公司 , 郑州大学
IPC: G01M13/045 , G01N3/08 , G01N3/02
Abstract: 本发明公开了一种测试轴承滚动体强度的试验装置，包括内环工装和外环工装，内环工装拆分式的插入到轴承内环；内环工装包括第一插轴和第二插轴，第一插轴和第二插轴的端部设有连接孔，由第一插轴和第二插轴通过连接孔相互对齐；外环工装用于抵触轴承外环并调试轴承载荷状态；外环工装包括基准环，基准环上设有夹持机构，夹持机构为多个且环绕设置在基准环上，夹持机构用于夹持轴承外环；基准环上设有配置孔，配置孔以基准环的圆心为中心环绕设置在基准环上，配置孔用于外挂缆绳和配重，基准环用于外接压力传感器；以期望改善轴承测试过程中需要检测项目较多，从而单个装置难以满足不同的工况检测需求的问题。
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公开(公告)号：CN116519294A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310514918.7
申请日：2023-05-09
Applicant: 河南华辰智控技术有限公司 , 郑州大学
IPC: G01M13/021 , G01M13/027 , G01M13/028
Abstract: 本发明公开了一种高精密齿轮抗疲劳检测装置，涉及齿轮加工技术领域。本发明包括加工台，所述加工台的顶部转动安装有安置架、所述安置架的外壁固定有转环，所述加工台的顶部转动安装有皮带环，所述皮带环通过电机一驱动，所述转环与皮带环通过皮带传动连接，所述加工台的顶部设置有检测装置，所述检测装置包括U形架，所述U形架固定在加工台的顶部，所述U形架的顶部固定有电机二。本发明通过检测装置的设置，使得电机一、电机二、皮带环、转环、安置架、电机二和伸缩杆配合带动半弧打磨盘转动，从而使得半弧打磨盘对高精密齿轮进行摩擦，通过观察检测器来测量半弧打磨盘的抗疲劳数据。
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公开(公告)号：CN115431143A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210625780.3
申请日：2022-06-02
Applicant: 河南华辰智控技术有限公司 , 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种金属材料抗疲劳抛光装置，包括工作台面、位移机构、打磨机构和夹具机构，位移机构包括“U”型架、横向位移组件和纵向位移组件，横向位移组件包括驱动电机、电机侧曲柄、内齿圈、行星齿轮、齿轮侧曲柄和推杆，驱动电机的动力输出轴与电机侧曲柄的一端固定连接，电机侧曲柄的另一端与行星齿轮的轴心转动连接，行星齿轮与内齿圈啮合连接，且行星齿轮直径为内齿圈直径的一半，行星齿轮的一侧轴心与齿轮侧曲柄的一端固定连接，齿轮侧曲柄的另一端与推杆的一端转动连接，齿轮侧曲柄与推杆之间的转动轴心位于行星齿轮的分度圆上，推杆的另一端滑动连接有打磨机构，纵向位移组件设于打磨机构的顶部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109653347B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201811424322.3
申请日：2018-11-27
Applicant: 郑州大学 , 晨龙集团有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种单层球形网架用多面定位接头，它包括接头本体，接头本体包括有顶面、底面、密封面、节点连接通孔及分别互为空间角度的两个端侧立面、两个定位面和两个翅板，每个翅板上对应的位置处均设置有边杆连接孔，每个翅板的外侧分别设置有边杆长度方向定位面、边杆垂直方向定位面和边杆贴合面，边杆长度方向定位面和边杆垂直方向定位面用来限定带凹“U”形槽的边杆在长度和垂直方向上的位置，多个接头本体之间依靠定位面定位安装为一个组合接头，在该组合接头中，每个接头本体与节点连接圆盘之间通过节点连接圆盘螺栓实现定位连接，节点连接圆盘的上方设置有节点圆盖；本发明制造工艺性好，且能够降低加工和安装过程中质量控制的难度。
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公开(公告)号：CN109653347A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811424322.3
申请日：2018-11-27
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明涉及一种单层球形网架用多面定位接头，它包括接头本体，接头本体包括有顶面、底面、密封面、节点连接通孔及分别互为空间角度的两个端侧立面、两个定位面和两个翅板，每个翅板上对应的位置处均设置有边杆连接孔，每个翅板的外侧分别设置有边杆长度方向定位面、边杆垂直方向定位面和边杆贴合面，边杆长度方向定位面和边杆垂直方向定位面用来限定带凹“U”形槽的边杆在长度和垂直方向上的位置，多个接头本体之间依靠定位面定位安装为一个组合接头，在该组合接头中，每个接头本体与节点连接圆盘之间通过节点连接圆盘螺栓实现定位连接，节点连接圆盘的上方设置有节点圆盖；本发明制造工艺性好，且能够降低加工和安装过程中质量控制的难度。
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公开(公告)号：CN106226171B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610816047.4
申请日：2016-09-12
Applicant: 郑州大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明公开了基于极化方向改变的压电半导体断裂失效实验研究方法，包括制作极化方向不同的压电半导体标准试样并在压电半导体标准试样上预制裂纹；在机械应力场、电流场、高电压场及其耦合场加载条件下进行压电半导体标准试样的断裂韧性实验；同时将裂纹制作成导电裂纹，在导电裂纹情况下各物理场及其耦合场加载时压电半导体材料的断裂失效特性；在得到大量实验数据情况下，根据实验数据拟合上述各物理场加载环境下压电半导体材料的断裂失效机理并归纳压电半导体材料的断裂失效数理模型，从断裂损伤的角度研究多场条件下压电半导体材料的失效，对提高压电半导体器件的设计质量具有十分重要的科学依据和实用价值。
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公开(公告)号：CN106442131B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610816172.5
申请日：2016-09-12
Applicant: 郑州大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明公开了一种压电半导体多场耦合断裂失效实验研究方法，包括制作压电半导体标准试样并在压电半导体标准试样上预制裂纹；机械应力场、电流场、高电压场及其耦合场加载实施方法；在机械应力场、电流场、高电压场及其耦合场加载条件下进行压电半导体标准试样的断裂韧性实验；通过改变预制裂纹长度研究不同裂纹长度条件下，上述各物理场及其耦合场加载时压电半导体材料的断裂失效特性；在得到大量实验数据情况下，根据实验数据拟合上述各物理场加载环境下压电半导体材料的断裂失效机理并归纳压电半导体材料的断裂失效数理模型，从断裂损伤的角度研究多场条件下压电半导体材料的失效，对提高压电半导体器件的设计质量具有十分重要的科学依据和实用价值。
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公开(公告)号：CN106291142A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610830844.8
申请日：2016-09-19
Applicant: 郑州大学
IPC: G01R29/22
CPC classification number: G01R29/22
Abstract: 压电陶瓷及压电半导体试件多样性极化实验系统，包括安装架和极化箱，安装架上设有多通道高压电源和电机减速机，极化箱顶部设有开口，电机减速机的主轴传动连接有位于极化箱内的升降机构，极化箱内设有设置在升降机构上的多工位夹持装置，多工位夹持装置位于开口下方，多工位夹持装置上设有用于封堵开口的箱盖，多工位夹持装置中安装有不同结构的可更换极化压头；极化箱内插设有热电偶。本发明可以实现夹持多个压电陶瓷及压电半导体试件同时极化，可分别对压电陶瓷及压电半导体试件施加不同的电压，确保具有较好的极化一致性，大大降低因环境条件变化引起的实验误差，充分提高了实验室制备压电陶瓷及压电半导体试件的效率、安全性和一致性。
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