公开(公告)号：CN116856010A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310857189.5

申请日：2023-07-13

申请人： 郑州大学 ,  中原关键金属实验室 ,  西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司

发明人： 高彪峰 ,  赵中伟 ,  王东新 ,  孙本双 ,  罗文 ,  李思哲 ,  李军义 ,  杨一群 ,  何季麟

IPC分类号： C25C3/02

摘要： 本发明公开了一种废铍电化学回收的方法，技术方案是，先构建含铍氟化物或含铍氟氯化物熔盐体系，然后以废铍为阳极，在保护气气氛下进行电化学选择性溶解‑沉积，得到阴极产物，最后清除阴极产物的夹盐，得到高纯金属铍。相较于火法重熔等，本发明电化学反应回收的反应驱动力大，可断开废铍中的Be‑O等键能大的键，破除火法难重熔的难题，同时电化学回收控制精度高。本申请在熔盐体系中加入铍离子，并控制铍盐浓度，在电化学过程中保持铍离子浓度相对稳定，便于稳定电解，若初始无铍离子，则难以阴极沉积铍。本发明实现废铍再利用，既实现了废铍无害化，又实现了其资源化，产生了经济效益同时，弥补了我国铍资源的不足。

公开(公告)号：CN117185321A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310774116.X

申请日：2023-06-28

申请人： 中原关键金属实验室 ,  西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司

发明人： 高彪峰 ,  罗文 ,  赵中伟 ,  王东新 ,  孙本双 ,  孟将 ,  李树荣 ,  何季麟

IPC分类号： C01F3/00 ,  C01G35/02

摘要： 本发明涉及无机材料技术领域，尤其涉及一种无水氯化铍的制备方法及无水氯化铍，包括将自然状态金属铍经氢气表面处理后与氯气氯化反应制备无水氯化铍，极大地缩短了工艺流程，简化了操作；同时避免了引入新的杂质，改善了铍单质与氯气反应活性差，氯化铍产率低的缺陷，提高了无水氯化铍纯度和产率，降低了含水率，氯化后无水氯化铍的产率可达58.2％～85.3％，氯化铍含量达到80.3％～94.6％；同时利用金属杂质和氯气反应生成的氯化物沸点不同进行分步提纯，进一步提高了无水氯化铍纯度，回收了铍矿中稀有金属钽，经提纯后氯化铍含量≥99.6％，无水氯化铍含水率≤0.2/％。

公开(公告)号：CN118255385A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410407494.9

申请日：2024-04-07

申请人： 郑州大学 ,  中原关键金属实验室

发明人： 陈杰 ,  岳康伟 ,  刘苗 ,  孙本双 ,  何季麟

IPC分类号： C01G15/00

摘要： 本发明属于无机材料制备技术领域，公开了一种丝状纳米氧化镓及其制备方法，用以提出一种新的丝状纳米氧化镓的制备方法。本发明以碳酸氢钠为沉淀剂，通过将其滴加至镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、研磨和筛分后得到前驱体羟基氧化镓；然后经梯度升温法、降温处理后得到丝状氧化镓。通过调控氧化镓的合成过程，使用一种节能、高效、不需高温高压、低成本的制备方法，获得丝状纳米氧化镓材料，为工业生产氧化镓半导体器件提供一种高长径比丝状纳米粉末材料。

公开(公告)号：CN118206374A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410056056.2

申请日：2024-01-15

申请人： 郑州大学 ,  中原关键金属实验室

发明人： 张龙振 ,  郭家豪 ,  何新 ,  吴小超 ,  李庆奎 ,  王成铎 ,  何季麟

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

摘要： 本发明公开了用于节能玻璃领域的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备方法包括：将铯钨青铜粉末预压制成型得到铯钨青铜初生坯；将铯钨青铜初生坯冷等静压得到铯钨青铜次生坯；将铯钨青铜次生坯在保护气氛下烧结得到铯钨青铜靶坯，铯钨青铜靶坯的平均粒径为1～15μm，致密度大于85％，纯度大于99.9％；将铯钨青铜靶坯机加工得到铯钨青铜陶瓷靶材。制备得到的铯钨青铜陶瓷靶材微观组织均匀、晶粒细小均匀、致密度高，成分均匀、纯度大于99.9％、满足后续磁控溅射镀膜的要求，成本低，且采用本发明实施例公开的铯钨青铜陶瓷靶材磁控溅射得到的铯钨青铜薄膜组织均匀，成分均匀，近红外光屏蔽效果好，可见光透过率高，使用寿命长。

公开(公告)号：CN118026665A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410243070.3

申请日：2024-03-04

申请人： 郑州大学 ,  中原关键金属实验室

发明人： 陈杰 ,  王诗 ,  王延宇 ,  王海龙 ,  孙本双 ,  何季麟

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C23C14/34 ,  C23C14/32 ,  C23C14/08

摘要： 本发明实施例公开的用于RPD薄膜的氧化锡镓陶瓷靶材的制备方法，包括步骤：S1、取氧化锡镓废靶若干，在稀盐酸溶液中浸泡处理；S2、浸泡处理后的氧化锡镓废靶研磨成粉料，选取粒度小于80～200目的粉料为细颗粒料，选取粒度小于20～40目、大于80～100目的粉料为粗颗粒料；S3、将粗颗粒料与细颗粒料以体积比3～8:1～5混合，与聚乙烯醇水溶液混匀，得到颗粒表面附着有聚乙烯醇的粉料；S4、步骤S3得到的粉料模压成型，得到靶材素坯；S5、靶材素坯等静压压制，得到低密度靶材素坯；S6、低密度靶材素坯进行脱脂‑烧结一体化工艺处理，得到用于RPD薄膜的氧化锡镓陶瓷靶材。

公开(公告)号：CN117819967A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410056045.4

申请日：2024-01-15

申请人： 郑州大学 ,  中原关键金属实验室

发明人： 张龙振 ,  何新 ,  吴小超 ,  李庆奎 ,  王成铎 ,  姚曙光 ,  何季麟

IPC分类号： C04B35/495 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备方法包括：称取设定量的铯钨青铜粉体；在热压模具中铺展一层石墨纸或喷涂一层氮化硼喷剂，然后再铺展一层防污染材料；将铯钨青铜粉体放入热压模具中压实，并对热压模具进行封口，放入热压烧结炉中预压制铯钨青铜粉体；调节参数，对铯钨青铜粉体进行热压烧结，得到铯钨青铜烧结坯体；将得到的铯钨青铜烧结坯体进行机加工处理，得到铯钨青铜陶瓷靶材。制备得到的铯钨青铜陶瓷靶材微观组织均匀、晶粒细小、致密度大于98％，成分均匀、纯度大于99.9％、满足后续磁控溅射镀膜的要求，成本低，磁控溅射得到的铯钨青铜薄膜近红外光屏蔽效果好，可见光透过率高，使用寿命长。

公开(公告)号：CN117776680A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311826192.7

申请日：2023-12-28

申请人： 郑州大学 ,  中原关键金属实验室

发明人： 刘苗 ,  孙本双 ,  钱志杰 ,  何季麟 ,  王成铎 ,  刘洋 ,  陈杰 ,  曾学云 ,  王之君

IPC分类号： C04B35/053 ,  C04B35/622 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

摘要： 本发明实施例公开了透明氧化镁陶瓷靶材及其制备方法；制备方法包括步骤：S1、纳米氧化镁粉体进行喷雾造粒；S2、喷雾造粒得到的粉体在冷等静压下成型为靶材素坯；S3、靶材素坯在设定条件下烧结；S4、烧结后的靶材素坯进行梯度退火处理，得到透明氧化镁靶材。本发明实施例公开的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，制备得到了相对密度在可达99.9％以上的透明氧化镁陶瓷靶材。

公开(公告)号：CN118666571A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410714191.1

申请日：2024-06-04

申请人： 中原关键金属实验室 ,  郑州大学

发明人： 刘苗 ,  孙本双 ,  刘洋 ,  何季麟 ,  钱志杰 ,  陈杰 ,  曾学云 ,  王之君

IPC分类号： C04B35/053 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

摘要： 本发明提供了一种高致密氧化镁靶材及其制备方法和应用，属于新材料制造及应用技术领域。本发明通过将镁源粉体原料、溶剂、功能助剂混合后砂磨得到浆料；然后将浆料通过压力注浆、保压得到靶材素坯；最后将靶材素坯依次经过干燥处理、脱脂烧结得到高致密氧化镁陶瓷靶材。在制备过程中不使用烧结助剂、不采用热压方法，没有烧结助剂和碳污染导致的纯度不足问题，同时脱脂和烧结步骤相结合简化了制备过程，在常压下进行即可降低了成本和操作难度，适用于工业生产。

公开(公告)号：CN118497673A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410628851.4

申请日：2024-05-21

申请人： 郑州大学 ,  中原关键金属实验室

发明人： 张龙振 ,  宋志朋 ,  何新 ,  郭家豪 ,  吴小超 ,  李庆奎 ,  姚曙光 ,  何季麟

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  G02B5/20 ,  G02B5/22

摘要： 本发明实施例公开了用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜及其制备方法；方法包括，以铯钨青铜靶材为溅射靶材，以平面基材为基底，在磁控溅射装置内进行溅射镀膜，在基底材料得到铯钨青铜薄膜，对铯钨青铜薄膜进行热处理，得到用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜，其中，热处理温度设置在200～450℃之间。热处理为在溅射镀膜过程中，对基底进行加热，热处理过程与溅射成膜过程同步进行；或者在溅射镀膜结束后，对得到的铯钨青铜薄膜进行热处理。得到的可见光透过率高、近红外光阻隔率高、紫外阻隔率高的高质量铯钨青铜薄膜作为应用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜，还能制作成铯钨青铜薄膜基复合膜；在近红外屏蔽膜领域有良好应用前景。

公开(公告)号：CN118256868A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410363410.6

申请日：2024-03-28

申请人： 郑州大学 ,  中原关键金属实验室

发明人： 刘苗 ,  李景辉 ,  孙本双 ,  何季麟 ,  刘洋 ,  王成铎 ,  陈杰 ,  王之君 ,  扈百直 ,  曾学云

IPC分类号： C23C14/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C30B29/22 ,  C30B23/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

摘要： 本发明实施例公开了稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法；多晶薄膜材料由稀土、氧化铝对氧化锌进行共掺杂得到，其中，稀土的含量为0.1～5wt.％，氧化铝的含量为2wt.％，氧化锌的含量为93～98wt.％；多晶薄膜材料的厚度为50～500nm，可见光透过率为85～95％，电阻率为1×10‑4～9×10‑4Ω·cm；制备方法包括步骤：S1、稀土粉体、氧化铝粉体与氧化锌粉体混合，得到混合粉体；S2、混合粉体压制、烧结得到靶材；S3、以得到的靶材为溅射靶材，在衬底上沉积得到系统掺杂AZO多晶薄膜材料。AZO多晶薄膜材料性能优异，且稳定性好，可以媲美ITO材料，满足光伏电池、薄膜显示器等领域的应用要求；且制备方法简单，工艺参数易于调控，适合工业化生产。