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公开(公告)号：CN117776680A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311826192.7
申请日：2023-12-28
IPC分类号： C04B35/053 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/08
摘要： 本发明实施例公开了透明氧化镁陶瓷靶材及其制备方法；制备方法包括步骤：S1、纳米氧化镁粉体进行喷雾造粒；S2、喷雾造粒得到的粉体在冷等静压下成型为靶材素坯；S3、靶材素坯在设定条件下烧结；S4、烧结后的靶材素坯进行梯度退火处理，得到透明氧化镁靶材。本发明实施例公开的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，制备得到了相对密度在可达99.9％以上的透明氧化镁陶瓷靶材。
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公开(公告)号：CN118270829A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410409361.5
申请日：2024-04-07
IPC分类号： C01G15/00
摘要： 本发明属于半导体粉体制备技术领域，公开了一种棒状氧化镓及其制备方法，用以提出一种棒状纳米氧化镓的制备方法。本发明以尿素作为沉淀剂，通过将其加入到镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、研磨和筛分后得到前驱体羟基氧化镓；然后经梯度升温、降温处理后得到棒状氧化镓。通过调控氧化镓的合成过程，使用一种节能、高效、不需高温高压、低成本的制备方法，获得棒状氧化镓材料，为工业生产氧化镓半导体器件提供一种棒状氧化镓粉末材料。
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公开(公告)号：CN118666571A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410714191.1
申请日：2024-06-04
IPC分类号： C04B35/053 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , C23C14/35 , C23C14/08
摘要： 本发明提供了一种高致密氧化镁靶材及其制备方法和应用，属于新材料制造及应用技术领域。本发明通过将镁源粉体原料、溶剂、功能助剂混合后砂磨得到浆料；然后将浆料通过压力注浆、保压得到靶材素坯；最后将靶材素坯依次经过干燥处理、脱脂烧结得到高致密氧化镁陶瓷靶材。在制备过程中不使用烧结助剂、不采用热压方法，没有烧结助剂和碳污染导致的纯度不足问题，同时脱脂和烧结步骤相结合简化了制备过程，在常压下进行即可降低了成本和操作难度，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN118256868A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410363410.6
申请日：2024-03-28
IPC分类号： C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/54 , C30B29/22 , C30B23/00 , H01B5/14 , H01B13/00
摘要： 本发明实施例公开了稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法；多晶薄膜材料由稀土、氧化铝对氧化锌进行共掺杂得到，其中，稀土的含量为0.1～5wt.％，氧化铝的含量为2wt.％，氧化锌的含量为93～98wt.％；多晶薄膜材料的厚度为50～500nm，可见光透过率为85～95％，电阻率为1×10‑4～9×10‑4Ω·cm；制备方法包括步骤：S1、稀土粉体、氧化铝粉体与氧化锌粉体混合，得到混合粉体；S2、混合粉体压制、烧结得到靶材；S3、以得到的靶材为溅射靶材，在衬底上沉积得到系统掺杂AZO多晶薄膜材料。AZO多晶薄膜材料性能优异，且稳定性好，可以媲美ITO材料，满足光伏电池、薄膜显示器等领域的应用要求；且制备方法简单，工艺参数易于调控，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN117926194A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410090130.2
申请日：2024-01-22
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/453 , C04B35/63
摘要： 本发明公开了稀土掺杂IZO氧化物靶材及其制备方法，涉及氧化物靶材技术领域；其成分包括：稀土氧化物、氧化铟和氧化锌；其中，该靶材的R、In和Zn的原子比例满足以下关系：RxIn24‑xZn36O72(R＝Pr、Nd、Tb，x＝1、2、3、4、5、6)。本发明选择IZO(In2ZnkOk+3)中本征导电率最好的In2Zn3O6为靶材主体材料，通过掺杂微量稀土元素后不会明显降低主体材料原来导电率，同时提高了作为TFT使用的稳定性。由于使用了大量氧化锌代替了氧化铟的使用量，本发明提供的稀土掺杂IZO氧化物靶材及其制备方法具有高性能和原料成本低的特点。
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公开(公告)号：CN114702304A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210511038.X
申请日：2022-05-11
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/638 , C23C14/08 , C23C14/34
摘要： 本发明提供了一种铟钨氧化物靶材及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明先将化学计量比的氧化铟和氧化钨混合，经过煅烧使二者能够完全固相反应得到In6WO12；通过在氧气氛围中进行煅烧可以抑制氧空位的产生，进而提高产物的致密度；将In6WO12与氧化铟、水、分散剂和粘结剂混合后进行压力注浆，提高In6WO12相在靶材中的分散程度，同时进一步提高靶材的致密度；通过脱脂处理去除分散剂和粘结剂，结合台阶变温烧结，使得到的靶材组织细化均匀、致密度高。实施例的实验结果表明，本发明提供的制备方法制备的铟钨氧化物靶材的相对密度为98.1～99.6％。
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公开(公告)号：CN116002749B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202310048494.X
申请日：2023-01-31
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C01G15/00 , C04B35/453 , C04B35/626 , C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种镧系稀土掺杂氧化铟锌纳米粉体的制备方法。该方法包括：分别配置设定浓度的镧系稀土盐水溶液、铟盐水溶液、锌盐水溶液和沉淀剂水溶液；将铟盐水溶液倒入反应器中；在搅拌条件下，滴加沉淀剂水溶液，当pH值达到3～5时，将镧系稀土盐水溶液加入反应器，滴加沉淀剂水溶液，当pH值达到6～8时，将锌盐水溶液加入反应器，滴加沉淀剂水溶液，当pH值达到9～11时，停止滴加沉淀剂水溶液，得到含镧系稀土掺杂的铟锌胶状沉淀的溶液；将含有镧系稀土掺杂的铟锌胶状沉淀的溶液升温搅拌熟化、冷却静置、分离洗涤，得到镧系稀土掺杂氧化铟锌的前驱体；将镧系稀土掺杂氧化铟锌的前驱体干燥、高温煅烧，得到镧系稀土掺杂氧化铟锌纳米粉体。
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公开(公告)号：CN116716577A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310707873.5
申请日：2023-06-15
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明公开了一种IZO薄膜及其制备方法。IZO薄膜的制备方法包括：将石英玻璃片粘贴在磁控溅射腔体内的基板上，将IZO靶材设置在磁控溅射腔体内，并调整IZO靶材与基板的距离为50～90mm；对磁控溅射腔体抽真空，至4～6×10‑4pa时，以一定流量向磁控溅射腔体内通入氩气或氧气和氩气的混合气体，其中，混合气体中氩气与氧气的体积比为40:1～4；调节磁控溅射腔体的溅射功率为60～120W、溅射气压为0.5～0.8pa、溅射时间为10～40min，对IZO靶材进行磁控溅射，得到IZO薄膜。
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公开(公告)号：CN116575006A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310666464.5
申请日：2023-06-07
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明公开了一种稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶及其制备方法。该制备方法包括步骤：S1、取设定量的铟盐溶液、锌盐溶液、稀土盐溶液混合，并加入设定量的纯水、稳定剂和有机溶剂，搅拌得到前驱体溶液；S2、将前驱体溶液旋涂在硅晶片上，对涂覆有前驱体溶液的硅晶片进行干燥；S3、干燥后的硅晶片在设定温度下退火处理，得到稀土掺杂氧化铟锌复合物薄膜；其中，退火处理的温度为200～400℃；S4、通过铟颗粒将稀土掺杂氧化铟锌复合物薄膜粘在钛背板上，得到稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶。本发明实施例公开的稀土掺杂氧化铟锌溅射膜靶的制备方法制备工艺简单，节省能耗，成型产品透光率高，电阻率低。
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公开(公告)号：CN116253556A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310073135.X
申请日：2023-02-07
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C04B35/01 , C23C14/35 , C23C14/08 , H01L27/12 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626
摘要： 本发明实施例公开了氧化铟锡锌靶材的制备方法，包括：纳米氧化铟粉体、纳米氧化锡粉体和纳米氧化锌粉体按照设定比例混合，得到混合粉体；得到的混合粉体与设定比例的消泡剂、分散剂、粘结剂混合，然后依次经过高速分散处理、超声处理和球磨混合，得到混合浆料；混合浆料经过喷雾造粒，得到氧化铟、氧化锡、氧化锌混合粉体；得到的混合粉体经过放电等离子烧结；烧结得到的产物经过退火，得到氧化铟锡锌靶材。得到的氧化铟锡锌靶材载流子迁移率高，能够作为性能优良的原料制备性能优良的氧化物半导体和薄膜晶体管，在半导体显示技术领域有良好应用前景。
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