-
公开(公告)号：CN110729396A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910909812.0
申请日：2019-09-25
申请人： 郑州轻工业学院
摘要： 本发明属于磁电传感器技术领域，涉及一种具有自放大能力的磁电薄膜传感器，所述磁电薄膜传感器由磁电复合材料与MOS管复合而成的多层异质结构及密绕在所述多层异质结构上下两侧的铜线圈构成，多层异质结构具体包括衬底层、本征层、n+型半导体层、p+型半导体层、第一金属接触层、第二金属接触层、第一输出电极、第二输出电极、绝缘层、两个磁致伸缩层和压电层。本发明中n+型半导体层、p+型半导体层和磁致伸缩层分别作为MOS管的源极、漏极和栅极，栅极电压变化引起MOS管内沟道感应电荷量变化，导致其导电沟道变宽，此时MOS管由截止状态工作在放大（即可变电阻区）状态，实现磁电电压的自放大功能，可用于较低信噪比环境下弱磁场的高灵敏度探测。
-
公开(公告)号：CN109671844A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811618538.3
申请日：2018-12-28
申请人： 郑州轻工业学院
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/20
摘要： 本发明属于高效功率传输器件技术领域，公开了一种具有高Q值的磁电回旋器件，其由磁芯及均匀围绕在磁芯外围的铜质线圈构成，所述磁芯为在一层压电陶瓷矩形片的上下两侧分别通过环氧树脂胶黏结一层磁致伸缩矩形片构成三明治结构，所述磁致伸缩矩形片的材质为铁镍基恒弹性合金，所述压电陶瓷矩形片的材质为PZT-8。本发明采用铁镍基恒弹性合金，通过改变磁致伸缩层材料，利用其在高频时具有较高的机械品质因数和稳定的频率响应特性，使其与低阻抗型压电陶瓷复合组成磁电回旋器时，磁致伸缩层在参与磁电耦合过程中相继完成磁-机转换和机-电转换的同时也增强了磁电耦合能力，降低了机-电转换过程的机械能量损耗，进而提高了磁电回旋器的功率转换效率。
-
公开(公告)号：CN109003780A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810848852.4
申请日：2018-07-28
申请人： 郑州轻工业学院
摘要： 本发明属于电子元器件技术领域，公开了一种双向可调控的磁电电感器，包括层状磁电复合元件以及均匀绕制在所述层状磁电复合元件外围的铜质线圈；所述层状磁电复合元件包括矩形铁磁元件和矩形压电元件，所述矩形铁磁元件位于所述矩形压电元件的上下两侧形成三明治状的对称结构；所述矩形铁磁元件的材料为镓掺杂的镍锌铁氧体材料，所述矩形压电元件的材料为PZT-8。本发明通过外加电/磁场所引起磁致伸缩层的伸长或缩短引起磁导率的改变，对应于外围密绕线圈电感量的增大或减小，从而实现外场调控下的电感的双向可调控，拓展了调节方式，扩大了可调电感的应用范围。
-
公开(公告)号：CN107462785A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710448207.9
申请日：2017-06-14
申请人： 郑州轻工业学院
IPC分类号： G01R31/00
CPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明公开了一种基于GA-SVM的电能质量多扰动信号分类识别方法，首先采用基于改进的EEMD的HHT方法对各种电能质量复合扰动进行特征提取，即根据EEMD算法的特性，添加绝对值相等的正负高斯白噪声来降低噪声残余；利用概率统计的参数自适应特性对EEMD算法的参数选择过程进行了优化；提出自适应阈值去噪的方法对IMF信号进行去噪处理，降低了各个IMF分量中噪声的影响；其次运用GA算法实现SVM参数的最优化；选取支持向量机（SVM）分类器作为电能质量多扰动信号的分类工具；同时，针对传统SVM存在的经验参数选取等缺点，提出了利用GA的全局寻优特性优化SVM参数的选取过程，大大节省了依靠经验和反复试验来设置参数的时间并提高了参数的准确性和实用性。
-
公开(公告)号：CN110729396B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201910909812.0
申请日：2019-09-25
申请人： 郑州轻工业学院
摘要： 本发明属于磁电传感器技术领域，涉及一种具有自放大能力的磁电薄膜传感器，所述磁电薄膜传感器由磁电复合材料与MOS管复合而成的多层异质结构及密绕在所述多层异质结构上下两侧的铜线圈构成，多层异质结构具体包括衬底层、本征层、n+型半导体层、p+型半导体层、第一金属接触层、第二金属接触层、第一输出电极、第二输出电极、绝缘层、两个磁致伸缩层和压电层。本发明中n+型半导体层、p+型半导体层和磁致伸缩层分别作为MOS管的源极、漏极和栅极，栅极电压变化引起MOS管内沟道感应电荷量变化，导致其导电沟道变宽，此时MOS管由截止状态工作在放大（即可变电阻区）状态，实现磁电电压的自放大功能，可用于较低信噪比环境下弱磁场的高灵敏度探测。
-
公开(公告)号：CN107462785B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710448207.9
申请日：2017-06-14
申请人： 郑州轻工业学院
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明公开了一种基于GA‑SVM的电能质量多扰动信号分类识别方法，首先采用基于改进的EEMD的HHT方法对各种电能质量复合扰动进行特征提取，即根据EEMD算法的特性，添加绝对值相等的正负高斯白噪声来降低噪声残余；利用概率统计的参数自适应特性对EEMD算法的参数选择过程进行了优化；提出自适应阈值去噪的方法对IMF信号进行去噪处理，降低了各个IMF分量中噪声的影响；其次运用GA算法实现SVM参数的最优化；选取支持向量机（SVM）分类器作为电能质量多扰动信号的分类工具；同时，针对传统SVM存在的经验参数选取等缺点，提出了利用GA的全局寻优特性优化SVM参数的选取过程，大大节省了依靠经验和反复试验来设置参数的时间并提高了参数的准确性和实用性。
-
公开(公告)号：CN109166942A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810998916.9
申请日：2018-08-30
申请人： 郑州轻工业学院
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0312 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了带有磁应变源的自调式GeSn红外探测器，包括：由下至上依次设置的衬底层、赝衬底层、驰豫层和n+型层；还包括应变源阵列和光吸收阵列、p+型金属接触阵列、探测第一电极和探测第二电极，应变源阵列的四周包裹绝缘电介质薄膜。本发明将探测器有源区的本征区和p+型金属接触刻蚀成条形阵列，在阵列间隔处生长超磁致伸缩材料，通过外加磁场施加或改变磁场强度，调控超磁致伸缩材料的形变量，进而在探测器有源区沿磁场方向引入可调应变。有源区内的应变会影响GeSn合金能带结构及带隙大小的变化，从而调控GeSn材料的光吸收边界，进而实现对GeSn探测器光响应范围的调控。
-
公开(公告)号：CN109037435B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201810991449.7
申请日：2018-08-29
申请人： 郑州轻工业学院
摘要： 本发明属于电子元器件技术领域，公开了一种基于生物辅助自组装的磁电纳米复合材料的制备方法，首先分别合成叠氮基修饰的铁磁、铁电纳米颗粒，再利用CuAAC点击反应在Cu(II)的催化作用下，将5端经己炔基修饰的RNA分别与叠氮基修饰的铁磁、铁电纳米颗粒在一定条件下反应并聚合，使得叠氮基的表面修饰的铁磁和铁电纳米颗粒与RNA链键合，最后将与RNA链键合的铁磁、铁电纳米颗粒混合即可得到磁电纳米复合材料。本发明制备出的磁电纳米复合材料，结构有序，具有较高面体比，在外加偏置磁场的作用下展现出显著的磁介电效应，为磁电纳米材料在高密度信息存储、药物运输、自旋电子器件及生物器件上提供了广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109166942B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810998916.9
申请日：2018-08-30
申请人： 郑州轻工业学院
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0312 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了带有磁应变源的自调式GeSn红外探测器，包括：由下至上依次设置的衬底层、赝衬底层、驰豫层和n+型层；还包括应变源阵列和光吸收阵列、p+型金属接触阵列、探测第一电极和探测第二电极，应变源阵列的四周包裹绝缘电介质薄膜。本发明将探测器有源区的本征区和p+型金属接触刻蚀成条形阵列，在阵列间隔处生长超磁致伸缩材料，通过外加磁场施加或改变磁场强度，调控超磁致伸缩材料的形变量，进而在探测器有源区沿磁场方向引入可调应变。有源区内的应变会影响GeSn合金能带结构及带隙大小的变化，从而调控GeSn材料的光吸收边界，进而实现对GeSn探测器光响应范围的调控。
-
公开(公告)号：CN109037435A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810991449.7
申请日：2018-08-29
申请人： 郑州轻工业学院
摘要： 本发明属于电子元器件技术领域，公开了一种基于生物辅助自组装的磁电纳米复合材料的制备方法，首先分别合成叠氮基修饰的铁磁、铁电纳米颗粒，再利用CuAAC点击反应在Cu(II)的催化作用下，将5端经己炔基修饰的RNA分别与叠氮基修饰的铁磁、铁电纳米颗粒在一定条件下反应并聚合，使得叠氮基的表面修饰的铁磁和铁电纳米颗粒与RNA链键合，最后将与RNA链键合的铁磁、铁电纳米颗粒混合即可得到磁电纳米复合材料。本发明制备出的磁电纳米复合材料，结构有序，具有较高面体比，在外加偏置磁场的作用下展现出显著的磁介电效应，为磁电纳米材料在高密度信息存储、药物运输、自旋电子器件及生物器件上提供了广阔的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
15 条记录 (耗时 0.027 秒)