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公开(公告)号：CN115966618A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211383955.0
申请日：2022-11-07
申请人： 重庆文理学院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18 , C23C14/34 , C23C14/18
摘要： 一种双层堆叠硫锑银基梯度薄膜，以硫锑银（AgSbS2）为基体，添加铟（In）制备的AgInxSb(S,Se)2为第一层，添加锑（Sb）形成AgSb1+y(S,Se)2为第二层，其中x=0.1~0.5，y=0.1~0.5。本发明中双吸收层梯度带隙AgInxSb(S,Se)2/AgSb1+y(S,Se)2薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，双吸收层的配合在保有AgInxSb(S,Se)2薄膜高的短路电流的基础上，通过第二层的AgSb1+y(S,Se)2减小了开路电压的降低，通过双吸收层配合，使得整个太阳能电池的效率提升至最大3.5%，以AgInxSb(S,Se)2/AgSb1+y(S,Se)2薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgIn0.5Sb(S,Se)2/AgSb1.25(S,Se)2/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到17mA·cm‑2，Voc达到396.5mV，FF为52.7%。
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公开(公告)号：CN112764506B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110101748.0
申请日：2021-01-26
申请人： 重庆文理学院
IPC分类号： G06F1/20
摘要： 本发明涉及一种利用热电的笔记本散热装置及其使用方法，包括芯片上方有热传导回路管，热传导回路管与芯片之间可热传递，热传导回路管内有热传导液，热传导回路管还与散热风扇之间可热传递；热传导回路管上设置有第一热电器件，热传导回路管内设置有循环组件，循环组件与电池之间电性连接，控制器的第一信号输入端与第一热电器件的信号输出端电连接，控制器的第一信号输出端与循环组件的信号输入端电连接。本申请通过循环组件带动热传导回路管内的热传导液进行循环流动，通过热传导液对芯片产生的热量进行传导，通过散热风扇进行风冷散热，散热效率高，适应性强。
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公开(公告)号：CN113728966A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111150689.2
申请日：2021-09-29
申请人： 重庆文理学院
摘要： 一种基于热电效应的水产养殖池，所述养殖池包括有第一池体和储水池，第一池体和储水池通过第一管道连通，第一池体侧壁上设置有温差发电元件，第一管道上设置有电控阀门，所述电控阀门与温差发电元件电连接；所述第一池体内还设置有可升降的底板单元和用于播撒饲料的投食单元。本发明可以利用温差发电启动电控阀门，节约能源，且反应灵敏，实时检测水温，因多数水产生物都有不能抵抗水温骤变的的弱点，电控阀门配合温差发电的控制，可使第一池体温度变化较小，利于养殖。
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公开(公告)号：CN110473986A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910716127.6
申请日：2019-08-05
申请人： 重庆文理学院
摘要： 本发明公开了一种基于银纳米线薄膜的柔性有机电致发光器件及其制备方法，其结构包括柔性衬底、银纳米线复合薄膜、发光层、电子传输功能层、低功函数金属电极；银纳米线复合薄膜包括银纳米线薄膜与钨酸铵层。采用本发明提供的结构组合，提高了导电层与柔性基板的结合力，降低了导电层表面粗糙度，同时提高了载流子传输性能，简化了器件制备工艺和流程、生产成本低、生产效率高；并且发光稳定、易于控制、重复性好，更利于市场的广泛应用。
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公开(公告)号：CN110092418A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910497070.5
申请日：2019-06-10
申请人： 重庆文理学院
IPC分类号： C01G30/00
摘要： 一种三元铜基硫化物半导体纳米材料是采用溶剂热法配制不同计量比的纳米尺寸三元铜锑硫化物，以无机铜盐、无机锑盐和硫源为原料，通过中温加压一步反应制备三元硫化物粉体。本发明操作简单，步骤较少，原料价廉易得，对不同原料的选择具有强的适用性，制备过程产品易得，产品粒径细小并且晶粒不会长大，反应过程不会出现爆炸导致制备失败，利于工业化大规模生产，产率高，可高达86.2%，产物相纯度高，杂质少，纯度可高达97.8%，普适性强，工艺稳定，生产稳定性好，克服了传统制备方法中需要长时间高温处理的缺点，本发明制备的纳米三元硫锑铜材料可广泛应用于锂电池、热电、光电等能源领域。
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公开(公告)号：CN118125384A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410271405.2
申请日：2024-03-11
申请人： 重庆文理学院
IPC分类号： C01B19/00
摘要： 一种高均匀性分散碲化物纳米片的制备方法，具体是将铋盐、锡盐或锑盐和碲盐作为前体，表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮，溶解于溶剂乙二醇中形成反应液，置于反应釜中进行搅拌加热合成，待冷却至室温，然后洗涤离心得悬浊液，将悬浊液进行旋涂处理，然后进行冷冻干燥，加热合成过程中对反应液进行扰流处理，具体是在反应釜中引入对称分布有2齿、4齿或6齿的圆弧形扰动齿、底部置有扰流磁子的扰流内衬。本发明中通过引入扰流处理和旋涂处理，制得尺寸均匀性优异的碲化物纳米片，纳米片表面直径的尺寸分布范围跨度达到20nm左右，并通过旋涂结合冷冻干燥处理，有效解决了纳米片破损、团聚的问题，最终获得形貌完整、不破损、不团聚的单分散碲化铋纳米片结构。
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公开(公告)号：CN112573521B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011312799.X
申请日：2020-11-20
申请人： 重庆文理学院
摘要： 一种CaSi纳米线的制备方法，将晶面为（111）的单晶硅基板进行预处理，随后与钙不接触置于石英容器中，预处理后的硅基板置于钙的上方，容器口放置少量石英棉，石英容器在真空中加热至630~690℃，保温反应，然后快速降至室温。本发明一步反应制备产物中没有生成其他硅化物杂相，产物为单相的CaSi单晶纳米线，纯度高，CaSi纳米线垂直于晶面（111）的单晶硅基板，没有团聚缠绕现象，分布均匀性优异，密度大，粒径控制在30~50nm之间，生长的纳米线直径均匀，能有效适应较大的体积变化而不发生粉化，具有优异的电接触和导电性，其均匀的一维结构，促进电荷的有效传输，每根纳米线基本垂直于基板，不团聚，增强了其导电性能，无需额外添加粘合剂或导电剂。
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公开(公告)号：CN112408393B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202011308192.4
申请日：2020-11-20
申请人： 重庆文理学院
IPC分类号： C01B33/021 , B82Y40/00 , H01M10/052 , H01M4/38
摘要： 一种硅纳米片阵列的制备方法，是将晶面为（111）的硅基板预处理后，与钙置于真空中依次在630~640℃和700~720℃下进行分段加热反应，反应完成后降至室温，将反应后的硅基板置于氯化锰的乙醇溶液浸泡2h，然后与氯化锰颗粒分别置于分段加热炉的两端，全程通入氮气，将氯化锰颗粒一端加热至700~830℃，基板一端加热至500~600℃保温反应，反应结束后冷却至室温。本发明制备的硅纳米片垂直于硅基板并形成阵列，纳米片之间的间距达到10~100nm，纳米片不团聚、不垮塌，纳米片厚度在5~150nm之间可有效调控，高度达到2μm左右，产率高，产率可达到原材料的55.7~63.9%，形成高密度的硅纳米片阵列，纯度高达96.4%。
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公开(公告)号：CN110459701A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910716131.2
申请日：2019-08-05
申请人： 重庆文理学院
摘要： 本发明公开了一种基于银纳米线的有机电致发光器件的制备方法，其步骤包括银纳米线复合薄膜的制备、包含银纳米线薄膜的制备和氧化镍涂层的制备；发光层与电子传输功能层的制备；电子注入层与金属电极层的制备。该方法简化了有机电致发光器件的制备工艺，提高了有机电致发光器件的稳定性，解决了传统透明薄膜膜基结合力差、薄膜表面粗糙度高的问题，提高光电转换效率，从而提高了有机电致发光器件的稳定性以及使用寿命。该工艺可以用于大面积制备有有机电致发光器件，且具有设备简单，生产成本低，生产效率高等优点。
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公开(公告)号：CN113355500B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110701665.5
申请日：2021-06-24
申请人： 重庆文理学院
摘要： 本发明涉及一种淬火冷却的热量利用设备，包括有冷却水池，冷却水池内有冷却液，冷却水池内设置有可升降的升降单元，升降单元的升降端上转动设置有转动单元，转动单元的转动端上设置有夹持待冷却的管状淬火零件的夹持单元，夹持单元上设置有利用待冷却的管状淬火零件的热量进行发电的热电单元，热电单元与蓄电池电性连接，蓄电池为动力单元提供能量，动力单元为升降单元和转动单元提供升降动力。本申请通过热电单元利用待冷却的管状淬火零件的热量进行发电，其发的电通过动力单元带动升降单元带动零件进行冷却，并在冷却时带动零件转动，实现了快速高效的冷却。
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