公开(公告)号：CN117886371A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410223479.9

申请日：2024-02-29

申请人： 金川集团镍钴有限公司 ,  兰州金川新材料科技股份有限公司

发明人： 陈晓闯 ,  冯玉洁 ,  蒋晓锋 ,  任小蕊 ,  张生海 ,  焦永胜 ,  薛杰琛 ,  刘效斐

IPC分类号： C01G51/04

摘要： 本申请实施例公开了一种片状掺铝氢氧化钴的制备方法和片状掺铝氢氧化钴产品，先将钴溶液、氢氧化钠溶液、氨水溶液和偏铝酸钠溶液进行混合、反应，而后对反应获取的片状掺铝氢氧化钴半成品进行过滤、洗涤和干燥，获取片状掺铝氢氧化钴产品。该方法以可溶钴盐为钴源，氢氧化钠为沉淀剂，氨水为络合剂，偏铝酸钠为掺铝剂，在高速搅拌的合成过程中制备得到片状β型掺铝氢氧化钴，然后对合成出的掺铝氢氧化钴过滤、洗涤、干燥，得到掺铝量为0.8~1.2%，微观形貌为片层状，且片层厚度为纳米级，长宽尺寸为微米级的片状掺铝氢氧化钴。

公开(公告)号：CN118221168A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410223487.3

申请日：2024-02-29

申请人： 金川集团镍钴有限公司 ,  兰州金川新材料科技股份有限公司

发明人： 陈晓闯 ,  冯玉洁 ,  蒋晓锋 ,  任小蕊 ,  张生海 ,  焦永胜 ,  刘效斐

IPC分类号： C01G51/04

摘要： 本申请实施例公开了一种片状氢氧化钴的制备方法和片状氢氧化钴产品，片状氢氧化钴的制备方法，以可溶钴盐为钴源，氢氧化钠为沉淀剂，氨水为络合剂，通过在高速搅拌的合成过程中添加一定量的水合肼溶液的方式制备得到片状β型氢氧化钴，然后对合成出的氢氧化钴过滤、洗涤、干燥，得到片层厚度为纳米级，长宽尺寸为微米级的片状氢氧化钴。

公开(公告)号：CN115108591A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210762739.0

申请日：2022-08-31

申请人： 金川集团股份有限公司 ,  兰州金川新材料科技股份有限公司

发明人： 陈晓闯 ,  焦永胜 ,  张生海 ,  任小蕊

IPC分类号： C01G51/04

摘要： 本发明属于锂离子电池技术领域，公开了一种低硫四氧化三钴的制备方法，以解决现有技术不能将硫含量降低至0.02%以下的问题，该方法通过二次煅烧洗涤，通过先合成出一次粒子粗大的Co(OH)2,然后将Co(OH)2浆料固液分离，低温煅烧成CoO，改变颗粒晶体结构，从而改变SO42‑在晶体中的结合方式，通过水洗，能够非常容易的将产品中的硫含量降低至≤0.05%，然后通过高温煅烧，使CoO变成Co3O4，二次改变产品晶体结构，再通过水洗，使产品中硫含量降低至≤0.02%。本发明采用高温低pH的合成工艺合成Co(OH)2,氢氧化钴一次粒子粗大，且结晶致密，阻止钠离子进入晶体内部，最终得到钠含量≤0.002%的四氧化三钴产品。

公开(公告)号：CN115108591B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202210762739.0

申请日：2022-08-31

申请人： 金川集团镍钴有限公司

发明人： 陈晓闯 ,  焦永胜 ,  张生海 ,  任小蕊

IPC分类号： C01G51/04

摘要： 本发明属于锂离子电池技术领域，公开了一种低硫四氧化三钴的制备方法，以解决现有技术不能将硫含量降低至0.02%以下的问题，该方法通过二次煅烧洗涤，通过先合成出一次粒子粗大的Co(OH)2,然后将Co(OH)2浆料固液分离，低温煅烧成CoO，改变颗粒晶体结构，从而改变SO42‑在晶体中的结合方式，通过水洗，能够非常容易的将产品中的硫含量降低至≤0.05%，然后通过高温煅烧，使CoO变成Co3O4，二次改变产品晶体结构，再通过水洗，使产品中硫含量降低至≤0.02%。本发明采用高温低pH的合成工艺合成Co(OH)2,氢氧化钴一次粒子粗大，且结晶致密，阻止钠离子进入晶体内部，最终得到钠含量≤0.002%的四氧化三钴产品。

公开(公告)号：CN115745013A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211448242.8

申请日：2022-11-18

申请人： 金川集团股份有限公司 ,  兰州金川新材料科技股份有限公司

发明人： 陈晓闯 ,  蒋晓锋 ,  任小蕊 ,  焦永胜 ,  张生海

IPC分类号： C01G51/04

摘要： 本发明公开了一种均相高掺铝小粒度四氧化三钴的制备方法，该方法以硫酸钴为钴源，EDTA‑2Na为络合剂，双氧水为氧化剂，高浓度偏铝酸钠为掺铝剂，将溶液并流加入反应釜中进行液相合成，制备得到均相掺铝氢氧化钴产品，然后通过洗涤、煅烧、二次洗涤、干燥，得到均相掺铝四氧化三钴产品。利用此工艺，能够制备出激光粒度（D50）在4~5µm，振实密度≥2.2g/cm3，比表面积3.0±0.5m2/g，掺铝量0.8~1.2%且铝均匀分布的掺铝四氧化三钴产品。采用该四氧化三钴，可用于制备4.5V及以上高电压钴酸锂。

公开(公告)号：CN115636444A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211448243.2

申请日：2022-11-18

申请人： 金川集团股份有限公司 ,  兰州金川新材料科技股份有限公司

发明人： 陈晓闯 ,  冯玉洁 ,  张生海 ,  任小蕊 ,  焦永胜

IPC分类号： C01G51/04

摘要： 本发明公开了一种用于高倍率钴酸锂的小粒度低钠硫四氧化三钴的制备方法，该方法以硫酸钴为钴源，EDTA‑2Na为络合剂，氢氧化钠为沉淀剂，双氧水为氧化剂，将溶液并流加入反应釜中进行湿法合成，制备得到粒度4~5µm、形貌规则的氢氧化钴产品，然后通过洗硫、煅烧、洗钠、干燥，得到粒度为4~5µm，振实密度≥2.0g/cm3，比表面积3.0±0.5m2/g，钠含量≤0.01%，硫含量≤0.005%的四氧化三钴产品。本发明方法制备过程简单易控，对环境友好，适于工业化推广应用。通过该方法得到的四氧化三钴可用于后续制备高电压、高压实、高倍率的钴酸锂。